韓國(guó)三星電子宣布提高CMOS傳感器靈敏度的背面照射技術(shù)達(dá)到了實(shí)用化水平，2010年將批量生產(chǎn)產(chǎn)品。至此，三家大型CMOS傳感器公司均將在2010年之前開(kāi)始量產(chǎn)采用背面照射技術(shù)的CMOS傳感器。

背面照射是能夠消除CMOS傳感器唯一的缺點(diǎn)——靈敏度低的技術(shù)。CMOS傳感器的光傳感器（光電二極管）上面有3層等多層布線層，遮擋了部分入射光，靈敏度比只有1層布線層的CCD傳感器要低，只有后者的一半左右。而B(niǎo)SI型CMOS傳感器的光傳感器上面沒(méi)有布線層，從光傳感器的背面（硅底板側(cè)）采光，能夠防止遮擋入射光。