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          手把手教你讀懂FET選取合適器件

          作者: 時間:2011-02-27 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          是實實在在的物質(zhì)構(gòu)成的;里面有導體/半導體/絕緣體。這些物質(zhì)的相互搭配;做成了。那么;任何兩個絕緣的導體,自然構(gòu)成了物理電容——寄生電容。

          紅色的就是DS間的寄生電容Coss。藍色的就是密勒電容Cgd。黑色的就是柵原電容Cgs。

          Cgd+Cgs=Ciss——輸入電容

          Coss——輸出電容

          所以;Cgd/Cds在理論上存在,在數(shù)據(jù)表中也有所列。在微變等效中也可以作為參量計算分析,但;也僅在線性放大里的微變等效分析中有所使用。在開關(guān)過程的工程分析中,變態(tài)的變化導致只能用電荷量這個值來衡量。

          Qgd就是Cdg儲存的電荷量(彌勒電荷),Qds是Cds儲存電荷量。

          下面;分析這些電荷在開/關(guān)狀態(tài)下,是如何影響工作的。

          FET靜態(tài)關(guān)斷時,Cgd/Cgs充電狀態(tài)如圖示:

          柵電壓為零,Qgs=0。Qgd被充滿,Vgd=Vds。

          注:由于Cds通常和其它雜散電容并聯(lián)在一起;共同對電源施加影響,因此;這里暫時不做分析。問題將在后面和雜散參數(shù)一起一并討論。

          給FET的柵極施加正脈沖。



          關(guān)鍵詞: FET

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