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          邏輯門電路

          作者: 時間:2011-07-27 來源:網(wǎng)絡 收藏
          邏輯門電路

          第3章 邏輯門電路
          3. 1 概述
          3. 2 分立元件門電路
          3. 2. 1 二極管的開關特性
          一、靜態(tài)開關特性及開關等效電路
          二、動態(tài)開關特性

          3. 2. 2 三極管的開關特性
          一、靜態(tài)開關特性及開關等效電路
          二、動態(tài)開關特性

          3. 2. 3 二極管門電路
          一、二極管與門電路
          二、二極管或門電路

          3. 2. 5 組合邏輯門電路
          一、與非門電路
          二、或非門電路

          作業(yè):P87 3.10


          第3章 邏輯門電路
          3. 1 概述
          門電路——用以實現(xiàn)各種基本邏輯關系的電子電路
          正邏輯——用1表示高電平、用0表示低電平的情況;
          負邏輯——用0表示高電平、用1表示低電子的情況。

          (此處用數(shù)字電路網(wǎng)絡課程或PowerPoint)


           




          二、動態(tài)開關特性 (PowerPoint)
          在高速開關電路中,需要了解二極管導通與截止間的快速轉換過程。

          當輸入電壓UI 由正值UF 躍變?yōu)樨撝礥R 的瞬間,VD 并不能立刻截止,而是在外加反向電壓 UR作用下,產(chǎn)生了很大的反向電流IR ,這時 iD= IR≈- UR/R,經(jīng)一段時間 trr后二極管VD 才進人截止狀態(tài),如圖3. 2. 3 (c) 所示。通常將trr 稱作反向恢復時間。
          產(chǎn)生 trr的主要原因是由于二極管在正向導通時,P區(qū)的多數(shù)載流子空穴大量流入N區(qū),N區(qū)的多數(shù)載流子電子大量流入P區(qū),在P區(qū)和N區(qū)中分別存儲了大量的電子和空穴,統(tǒng)稱為存儲電荷。當UI 由UF 躍變?yōu)樨撝?UR時,上述存儲電荷不會立刻消失,在反向電壓的作用下形成了較大的反向電流 IR,隨著存儲電荷的不斷消散,反向電流 也隨之減少,最終二極管VD 轉為截止。
          當二極管VD 由截止轉為導通時,在P區(qū)和N區(qū)中積累電荷所需的時間遠比trr 小得多,故可以忽略。

          3. 2. 2 三極管的開關特性

          一、靜態(tài)開關特性及開關等效電路

           


          3. 2. 3 二極管門電路


          一、二極管與門電路

           

           

          二、二極管或門電路

           



          表3.2.3 或門輸入和輸出的邏輯電平 表3.2.4 或門的真值表

           

          表3.2.5 非門的真值表

          二、或非門電路


          列出其真值表

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