MAXQ架構(gòu)是一種基于標(biāo)準(zhǔn)Harvard結(jié)構(gòu)、功能強(qiáng)大的單周期RISC微控制器，程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)總線相互獨(dú)立。這種組織形式要求每個(gè)存儲(chǔ)器具有專用總線(圖1)，所以可同時(shí)讀取指令和操作數(shù)。由于不存在單條數(shù)據(jù)總線的沖突問題，MAXQ指令的執(zhí)行時(shí)間僅需要單個(gè)周期。

圖1. Harvard結(jié)構(gòu)

每個(gè)MAXQ器件采用以下存儲(chǔ)器類型：

閃存

SRAM

固定用途ROM

MAXQ器件也可從閃存、固定用途ROM或SRAM執(zhí)行程序代碼。從某個(gè)存儲(chǔ)器段執(zhí)行程序代碼時(shí)，其它兩個(gè)存儲(chǔ)器段可作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(更多詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱從閃存執(zhí)行程序和執(zhí)行固定用途ROM函數(shù)部分)。這是因?yàn)槌绦蚝蛿?shù)據(jù)存儲(chǔ)器總線不能同時(shí)存取同一存儲(chǔ)器段。

有人可能認(rèn)為采用Harvard結(jié)構(gòu)的MAXQ微控制器也不能在非易失閃存中儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。然而，MAXQ器件內(nèi)嵌固定用途ROM函數(shù)，允許讀、寫非易失閃存數(shù)據(jù)。

從閃存執(zhí)行程序

MAXQ器件中，從閃存執(zhí)行應(yīng)用程序時(shí)，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器為SRAM(讀和寫)和固定用途ROM(只讀)。從閃存執(zhí)行代碼時(shí)，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器映射請(qǐng)參見表1，存儲(chǔ)器映射參見圖2。

SRAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器在存儲(chǔ)器映射中位于地址0x0000至0x07FF (字節(jié)尋址模式下)或地址0x0000至0x03FF (字尋址模式下)。

固定用途ROM在存儲(chǔ)器映射中位于地址0x8000至0x9FFFh (字節(jié)模式)或地址0x8000至0x8FFF (字尋址模式下)。

圖2. 從閃存執(zhí)行應(yīng)用代碼時(shí)的存儲(chǔ)器映射

執(zhí)行固定用途ROM函數(shù)

執(zhí)行固定用途ROM函數(shù)時(shí)，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器為SRAM(讀和寫)和閃存(讀和寫)。從閃存執(zhí)行應(yīng)用程序且變量或數(shù)據(jù)對(duì)象位于閃存時(shí)，可通過固定用途ROM函數(shù)讀或?qū)戇@些變量或數(shù)據(jù)對(duì)象。通過跳轉(zhuǎn)至執(zhí)行固定用途ROM函數(shù)，即可將閃存作為數(shù)據(jù)進(jìn)行存取。從固定用途ROM執(zhí)行代碼時(shí)，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器映射請(qǐng)參見表2，存儲(chǔ)器映射參見圖3。

SRAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器在存儲(chǔ)器映射中位于地址0x0000至0x07FF (字節(jié)尋址模式下)或地址0x0000至0x03FF (字尋址模式下)。

字節(jié)尋址模式下，CDA0 = 0時(shí)，閃存的低半部分在存儲(chǔ)器映射中位于地址0x8000至0xFFFFh；CDA0 = 1時(shí)，閃存的高半部分在存儲(chǔ)器映射中位于地址0x8000至0xFFFFh。字尋址模式下，閃存在存儲(chǔ)器映射中位于地址0x8000至0xFFFF。

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