EEPW 產(chǎn)業(yè)觀察｜2025 年 10 月 22 日

在全球存儲芯片市場持續(xù)波動的背景下，本周 DRAM 現(xiàn)貨交易量顯著上升，買家情緒全面轉(zhuǎn)向積極。EEPW 觀察發(fā)現(xiàn)，主流 DDR4 與 DDR5 產(chǎn)品價格均出現(xiàn)明顯上漲，其中 DDR4 1G×8 3200 MT/s 的平均成交價較上周上漲近 9.9%，成為今年下半年以來漲勢最明顯的一波行情。

市場交易熱度驟升

近期現(xiàn)貨市場的交易量與成交頻率持續(xù)攀升，尤其是 DDR4 模塊的報價幾乎每日刷新高點。買家普遍反映，渠道低價庫存已大幅消化，而供應商與模塊廠的報價同步上調(diào)。與此同時，部分中下游廠商開始提前采購，意圖對沖未來進一步的價格上行風險。

EEPW 了解到，雖然終端消費類電子（特別是 PC 與智能手機）需求仍處于溫和恢復階段，但市場情緒已經(jīng)率先啟動?！?strong>大家都擔心明天會更貴”成為業(yè)內(nèi)最直觀的心態(tài)寫照。一些中小型模組廠為了確保未來一個季度的供貨穩(wěn)定，已經(jīng)重新調(diào)整采購節(jié)奏，將補貨周期從季度級縮短為月度甚至周度。

DDR4 供應收縮，價格彈性放大

EEPW 分析認為，本輪現(xiàn)貨上漲的根本原因仍在供需兩端的結(jié)構(gòu)性變化。

1. 主流廠商持續(xù)轉(zhuǎn)產(chǎn) DDR5 與 HBM
   過去一年，全球前幾大 DRAM 廠商陸續(xù)將部分產(chǎn)線從 DDR4 轉(zhuǎn)向 DDR5 或高帶寬記憶體（HBM）產(chǎn)品，以迎合 AI 服務器與高性能計算的快速增長需求。這導致 DDR4 的有效供應量明顯收縮，庫存逐步減少。

2. 模塊廠與分銷渠道的庫存偏低
   在上半年價格疲軟期間，多數(shù)模塊廠采取“以銷定采”的保守策略，庫存水位普遍偏低。如今需求端略有回暖，而上游供貨周期延長，使得渠道補貨壓力上升。

3. 價格傳導鏈條順暢
   當前市場報價上行的過程幾乎沒有被中間層攔截——從晶圓廠到模組廠再到分銷端，價格傳遞相對迅速。這意味著市場已經(jīng)進入明顯的買方追價階段。

DDR5 交易同步活躍

雖然 DDR4 漲幅更為顯著，但 DDR5 的成交量也呈現(xiàn)穩(wěn)步攀升趨勢。
EEPW 認為，DDR5 的價格變化體現(xiàn)出一種“雙重邏輯”：

• 一方面，AI 服務器與新一代平臺導入持續(xù)擴大，使得 DDR5 在中高端市場需求穩(wěn)定；

• 另一方面，隨著 DDR4 價格的抬升，部分整機廠商開始考慮更快地切換到 DDR5 平臺，以在長期成本上獲得可預測性。

目前 DDR5 仍處于快速滲透階段，市場報價波動相對溫和，但若 DDR4 現(xiàn)貨繼續(xù)拉高，不排除 DDR5 隨后出現(xiàn)跟漲行情。

NAND Flash 同步走強

除 DRAM 外，EEPW 監(jiān)測到 NAND Flash 現(xiàn)貨價格也繼續(xù)上揚，漲幅普遍在 15%–20% 之間。其中 512 Gb TLC 晶圓本周價格已接近 4.6 美元，環(huán)比上漲近 28%。
這種同步上行的現(xiàn)象，反映出存儲全品類的市場信號趨于一致：買方普遍擔心 2025 年第四季度及 2026 年初的供應偏緊，并通過提前備貨來鎖定成本。

EEPW 指出，這一行為將對 NAND 與 DRAM 價格形成聯(lián)動效應。
DRAM 廠商在資本支出上維持謹慎，產(chǎn)能擴張有限；而 NAND 廠商雖積極推動 QLC 與 3D 堆疊技術(shù)，但短期仍難以顯著增加出貨量。兩者疊加，使“庫存低位 + 預期上行”成為價格的核心推手。

買家行為：從“觀望”到“對沖”

EEPW 采訪的多家渠道與模組廠均表示，自 9 月以來，買家采購策略發(fā)生明顯轉(zhuǎn)變：

• 上半年普遍采取 “按需采購、隨用隨買” 模式；

• 進入 10 月后，普遍改為 “提前鎖量、分批入庫”。

這表明，市場心態(tài)已從“防跌”轉(zhuǎn)向“防漲”。
部分買家甚至采用金融化的對沖策略，通過期貨合約或批量現(xiàn)貨鎖價，規(guī)避第四季度的價格波動風險。

EEPW 認為，這種現(xiàn)象意味著現(xiàn)貨市場正在成為 DRAM 廠商價格調(diào)節(jié)的關(guān)鍵窗口：當合約價未能及時反映成本變化時，現(xiàn)貨波動率便成為最直接的信號來源。

價格變化的連鎖影響

從供應鏈層面看，DRAM 價格的上漲將帶來以下三方面連鎖反應：

1. 整機成本抬升
   對 PC、筆電及部分服務器制造商而言，存儲器約占總 BOM 成本的 8%–15%。DDR4 報價上漲近一成，將直接推高整機成本約 1%–2%，對低價段產(chǎn)品利潤形成擠壓。

2. DDR5 滲透加速
   隨著 DDR4 價格上升、DDR5 差價收窄，OEM 廠商將更快地轉(zhuǎn)向支持 DDR5 的平臺。EEPW 預計 2026 年 DDR5 在 PC 端的滲透率將突破 70%。

3. 模塊廠盈利改善
   模組組裝與分銷環(huán)節(jié)的毛利率有望階段性回升，部分廠商已調(diào)高下季度報價目標。

市場展望

EEPW 認為，當前的價格上行更多體現(xiàn)為結(jié)構(gòu)性補庫而非需求全面復蘇。
若第四季度終端消費并未持續(xù)增長，2026 年初仍可能出現(xiàn)階段性回調(diào)。但考慮到 DDR4 供應持續(xù)收緊、DDR5 需求穩(wěn)步提升，整體價格趨勢仍維持溫和上行。

展望未來幾個季度，EEPW 判斷：

• 短期（Q4 2025）： 現(xiàn)貨價仍將保持高位震蕩，買家情緒主導市場；

• 中期（H1 2026）： 隨合約價上調(diào)與出貨節(jié)奏穩(wěn)定，現(xiàn)貨波動趨緩；

• 長期（H2 2026 以后）： DDR5 全面取代 DDR4 成為主流后，現(xiàn)貨市場將回歸相對平穩(wěn)的周期節(jié)奏。

結(jié)語

EEPW 認為，DDR4 與 DDR5 現(xiàn)貨的同步上漲，標志著存儲行業(yè)再次進入新一輪周期性上升階段。
盡管終端需求仍在恢復途中，但供應端的戰(zhàn)略收縮、買方的風險對沖行為、以及合約與現(xiàn)貨價的聯(lián)動，正在共同塑造這一輪價格曲線。

對于系統(tǒng)制造商而言，未來幾個月的關(guān)鍵在于：如何在漲勢中保持庫存靈活性與成本可控性。
而對于產(chǎn)業(yè)鏈上游而言，本輪上漲的可持續(xù)性將取決于：AI 服務器出貨能否繼續(xù)放量，以及 DDR5 生態(tài)能否在 2026 年全面成熟。

EEPW 將持續(xù)跟蹤存儲器市場的價格趨勢與結(jié)構(gòu)性變化，為業(yè)界提供最新數(shù)據(jù)與深度分析。