日本a√视频在线,久久青青亚洲国产,亚洲一区欧美二区,免费g片在线观看网站

        <style id="k3y6c"><u id="k3y6c"></u></style>
        <s id="k3y6c"></s>
        <mark id="k3y6c"></mark>
          
          

          <mark id="k3y6c"></mark>

          新聞中心

          EEPW首頁 > 電源與新能源 > 業(yè)界動態(tài) > 為未來提供動力:寬禁帶半導(dǎo)體的興起

          為未來提供動力:寬禁帶半導(dǎo)體的興起

          作者: 時間:2025-08-15 來源: 收藏

          ,尤其是氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC),正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。這些材料具有更高的效率、更快的開關(guān)和緊湊的設(shè)計(jì),對于滿足電動汽車 (EV)、超快速充電基礎(chǔ)設(shè)施和可再生能源系統(tǒng)不斷增長的需求至關(guān)重要。本文探討了氮化鎵和碳化硅器件的業(yè)務(wù)繁榮,研究了市場驅(qū)動因素、主要參與者,以及這種技術(shù)轉(zhuǎn)變?nèi)绾沃厮苋虬雽?dǎo)體戰(zhàn)略和供應(yīng)鏈。

          為未來提供動力,超越硅

          幾十年來,硅一直是半導(dǎo)體行業(yè)的基石。但電氣化、移動化和可持續(xù)發(fā)展的時代需要更高效、更緊湊的高壓電源解決方案,而傳統(tǒng)硅則難以應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。進(jìn)入寬禁帶 (WBG) 半導(dǎo)體,特別是氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)。

          這些材料正在改變電力電子的動態(tài),實(shí)現(xiàn)更高的耐壓性、更快的開關(guān)速度以及更小、更輕的設(shè)計(jì)。它們的應(yīng)用涵蓋電動汽車 (EV)、快速充電器、太陽能逆變器、數(shù)據(jù)中心和工業(yè)電機(jī)。這場革命的核心在于蓬勃發(fā)展的全球市場、加強(qiáng)的研發(fā)、戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系以及汽車和能源行業(yè)激增的需求。

          為什么 GaN 和 SiC 超過硅

          GaN 和 SiC 的優(yōu)勢植根于物理學(xué)。與硅相比,這些材料具有:

          • 更高的擊穿電壓

          • 更快的開關(guān)頻率

          • 更低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗

          • 更高的導(dǎo)熱系數(shù)

          • 在相同的額定功率下實(shí)現(xiàn)更小的外形尺寸

          這些特性轉(zhuǎn)化為更高的效率和可靠性,使 WBG 器件成為高壓、高頻和高溫應(yīng)用的理想選擇。對于空間、重量和能源效率至關(guān)重要的電動汽車和超快速充電器來說,這是一個游戲規(guī)則的改變者。

          市場增長:數(shù)字說明問題

          根據(jù)Yole Group和其他市場分析師的說法:

          • SiC 器件市場預(yù)計(jì)將從 2023 年的 25 億美元增長到 2028 年的 80 億美元以上,這主要是由電動汽車牽引逆變器和車載充電器推動的。

          • 到 2027 年,氮化鎵功率器件市場預(yù)計(jì)將達(dá)到 20 億美元,這得益于消費(fèi)電子產(chǎn)品、5G 功率放大器和緊湊型快速充電器的推動。

          僅在電動汽車動力總成中,SiC 正在迅速取代牽引逆變器中的 IGBT 和硅 MOSFET,從而顯著提高續(xù)航里程并減少熱損耗。

          電動汽車:主要增長引擎

          全球向電動汽車的轉(zhuǎn)變可能是采用世界銀行集團(tuán)的最強(qiáng)大催化劑。電動汽車逆變器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和車載充電器中的傳統(tǒng)硅器件正在被 SiC MOSFET 和 GaN HEMT 所取代,這些 MOSFET 和 GaN HEMT 可提供更高的效率和更快的充電速度。

          牽引逆變器中的 SiC 可減少 50% 的能量損失,并將行駛里程增加多達(dá) 10%。特斯拉是第一家在其 Model 3 中部署基于 SiC 的逆變器的主要汽車制造商,其他公司也紛紛效仿:

          • Lucid Motors 在其專有的 Wunderbox 充電系統(tǒng)中使用 100% SiC。

          • 比亞迪、現(xiàn)代和大眾正在將碳化硅納入其電動汽車平臺。

          • 瑞薩電子、英飛凌和意法半導(dǎo)體都推出了針對電動汽車應(yīng)用的下一代 SiC MOSFET 和模塊。

          GaN雖然在牽引系統(tǒng)中仍處于新興階段,但在車載充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器中被證明是有價值的,具有緊湊的外形尺寸和低EMI。

          快速充電器和電力基礎(chǔ)設(shè)施

          為了支持電動汽車的普及,世界需要一個強(qiáng)大的直流快速充電器網(wǎng)絡(luò)。這些必須快速安全地提供高功率(100 kW 及以上),同時將能量損失降至最低。GaN 和 SiC 可實(shí)現(xiàn)高頻作,從而減小磁性和冷卻系統(tǒng)的尺寸和成本。

          • SiC 因其堅(jiān)固性和熱性能而在高壓 (>600V) 快速充電站中占據(jù)主導(dǎo)地位。

          • 氮化鎵在 Anker、小米和蘋果等品牌的 AC-DC 轉(zhuǎn)換器和消費(fèi)級快速充電器(高達(dá) 240W)中越來越受歡迎,例如用于筆記本電腦和智能手機(jī)的充電器。

          基于 GaN 的充電器更小、更輕、更高效,因此對便攜式電子產(chǎn)品和住宅電動汽車充電器都具有吸引力。

          行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者和市場推動者

          WBG 市場正在迅速變得具有戰(zhàn)略性和競爭性,傳統(tǒng)半導(dǎo)體巨頭和新興初創(chuàng)公司都在大力投資:

           SiC 市場領(lǐng)導(dǎo)者:

          • Wolfspeed(前身為 Cree):作為 SiC 晶圓和器件的先驅(qū),Wolfspeed 正在紐約建造一座耗資 50 億美元的新 SiC 晶圓廠,以滿足全球需求。

          • 意法半導(dǎo)體:獲得Wolfspeed的長期SiC晶圓供應(yīng),并正在擴(kuò)大其STPOWER產(chǎn)品組合。

          • 英飛凌科技:推出CoolSiC器件,并建立了專門的SiC制造能力。

          • ROHM Semiconductor:專注于汽車級 SiC,為 Lucid Motors 等主要參與者供貨。

          • 安森美半導(dǎo)體:收購了用于SiC晶體生長的GT Advanced Technologies,并正在擴(kuò)大端到端能力。

          氮化鎵市場參與者:

          • 納微半導(dǎo)體:純氮化鎵公司,提供移動和工業(yè)快速充電器。

          • GaN Systems(被英飛凌收購):提供用于汽車和工業(yè)用途的高性能 GaN 功率晶體管。

          • 電源集成:將 GaN 集成到緊湊型充電器 IC 中。

          • Transphorm 和 EPC:在高壓和低壓 GaN 領(lǐng)域競爭。

          主要代工廠和 IDM 正在形成生態(tài)系統(tǒng)聯(lián)盟,投資硅基氮化鎵和碳化硅晶圓技術(shù),并簽署長期供應(yīng)合同以確保高純度碳化硅襯底等原材料。

          供應(yīng)鏈和產(chǎn)能限制

          盡管令人興奮,但供應(yīng)鏈限制仍然是一個瓶頸,尤其是對于碳化硅片來說,碳化硅片比傳統(tǒng)硅更難生產(chǎn)且更昂貴。目前的工作包括:

          • 垂直整合:Wolfspeed 和 ST 等公司正在投資自己的晶圓增長能力。

          • 8 英寸 SiC 晶圓開發(fā):隨著時間的推移,從 6 英寸晶圓轉(zhuǎn)向 8 英寸晶圓將提高吞吐量并降低成本。

          • 政府激勵措施:美國、日本和印度等國家正在為世行集團(tuán)晶圓廠投資提供補(bǔ)貼。

          未來幾年將決定產(chǎn)能是否能夠足夠快地?cái)U(kuò)展以滿足汽車和工業(yè)需求。

          經(jīng)營戰(zhàn)略:多元化與差異化

          公司正在利用 WBG 的采用來實(shí)現(xiàn)投資組合多元化、開拓新市場并從競爭對手中脫穎而出。策略包括:

          • 共同封裝模塊:將 SiC/GaN 與驅(qū)動器、傳感器和控制電路集成。

          • 設(shè)計(jì)服務(wù):為 OEM 提供系統(tǒng)級工程支持。

          • 長期合同:通過與汽車制造商和一級供應(yīng)商的多年協(xié)議鎖定收入。

          初創(chuàng)公司還在使用 WBG 設(shè)備開發(fā)新架構(gòu),例如雙向充電器、無線電動汽車充電和集成電機(jī)驅(qū)動。

          印度角度:人們對世界銀行集團(tuán)的興趣日益濃厚

          印度的半導(dǎo)體使命已經(jīng)開始認(rèn)識到 WBG 半導(dǎo)體在電動汽車和能源基礎(chǔ)設(shè)施中的重要性。主要發(fā)展包括:

          • 塔塔的半導(dǎo)體和電動汽車協(xié)同作用,可能涉及內(nèi)部電力電子開發(fā)。

          • Log 9 Materials 等本地初創(chuàng)公司致力于基于 GaN/SiC 的充電器和電池組。

          • 印度理工學(xué)院馬德拉斯分校和IISc等機(jī)構(gòu)的學(xué)術(shù)研發(fā)專注于SiC器件研究。

          預(yù)計(jì)印度將在未來 5-10 年內(nèi)成為一個區(qū)域市場,并有可能成為 WBG 組件的低成本制造中心。

          結(jié)論:戰(zhàn)略拐點(diǎn)

          氮化鎵和碳化硅半導(dǎo)體不僅僅是技術(shù)升級,它們還是電動、互聯(lián)和可持續(xù)未來的戰(zhàn)略推動者。從擴(kuò)展電動汽車?yán)m(xù)航里程到實(shí)現(xiàn)緊湊、超高效的快速充電器,WBG 設(shè)備正在為各行各業(yè)樹立新的標(biāo)桿。

          隨著全球電氣化需求的增長,早期投資、建設(shè)產(chǎn)能并在WBG中建立牢固合作伙伴關(guān)系的半導(dǎo)體公司將引領(lǐng)電力電子的下一個十年。對于半導(dǎo)體行業(yè)來說,硅時代可能還沒有結(jié)束,但寬帶隙時代肯定已經(jīng)開始。



          關(guān)鍵詞: 寬禁帶半導(dǎo)體

          評論


          相關(guān)推薦

          技術(shù)專區(qū)

          關(guān)閉