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          如何利用保護(hù)電路輕松消除過(guò)壓

          作者:Frederik Dostal,電源管理專(zhuān)家 時(shí)間:2025-07-09 來(lái)源:EEPW 收藏
          編者按:在許多應(yīng)用中,防止過(guò)壓至關(guān)重要。本文將闡釋如何利用保護(hù)電路來(lái)消除過(guò)壓。

          引言

          例如,在配電系統(tǒng)中,高負(fù)載的快速斷開(kāi)可能會(huì)導(dǎo)致過(guò)壓的產(chǎn)生。為保護(hù)連接到同一電源的其他負(fù)載,建議采取浪涌保護(hù)措施。圖1所示為一個(gè)的布局,在待保護(hù)的電子電路前端使用了LT4363。此示例源自一個(gè)額定電源電壓為24 V的工業(yè)應(yīng)用。

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          圖1 用于攔截電壓浪涌的浪涌的簡(jiǎn)易圖示

          通常情況下,在出現(xiàn)過(guò)壓時(shí),受到保護(hù)的電子設(shè)備應(yīng)保持不間斷地運(yùn)行。這就要求能夠使斷路器(圖1中的Q1)在線(xiàn)性范圍內(nèi)工作。在出現(xiàn)過(guò)壓期間,MOSFET既不會(huì)完全關(guān)斷,也不會(huì)完全導(dǎo)通,而是處于部分導(dǎo)通狀態(tài)。在這種工作狀態(tài)下,它的作用就像一個(gè)電阻,過(guò)壓會(huì)在其上產(chǎn)生壓降。因此,升高的電壓所蘊(yùn)含的能量會(huì)在MOSFET Q1中轉(zhuǎn)化為熱量。根據(jù)所選MOSFET的不同,它只能在一定時(shí)間內(nèi)承受這種熱量,之后便會(huì)因過(guò)熱而損壞。

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          圖2 MOSFET的典型SOA曲線(xiàn)

          圖2顯示了MOSFET的典型安全工作區(qū)(SOA)曲線(xiàn)。SOA曲線(xiàn)定義了器件在不同電壓降下可承載的電流大小,以及能夠持續(xù)承載該電流的時(shí)長(zhǎng)。如果希望有更大的電流長(zhǎng)時(shí)間流過(guò)MOSFET,就必須選擇SOA范圍更大的MOSFET。SOA的范圍越大,MOSFET的尺寸也就越大。這同樣會(huì)增加元件的成本。

          為了實(shí)現(xiàn)元件尺寸的優(yōu)化,通常會(huì)選用盡可能小的MOSFET,并確保其安全運(yùn)行。這意味著所選的MOSFET既不尺寸過(guò)大,又要在實(shí)際應(yīng)用中充分利用其SOA的大部分范圍。為此,控制器IC要能夠精確識(shí)別工作狀態(tài),以判斷MOSFET的運(yùn)行是否處于SOA的安全范圍內(nèi)。然而,許多控制器IC僅僅測(cè)量流過(guò)MOSFET的電流。若還能了解MOSFET兩端的電壓降,那就更好了。

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          圖3 在LT4363中,根據(jù)漏源電壓對(duì)定時(shí)電容器進(jìn)行充電,實(shí)現(xiàn)對(duì)SOA曲線(xiàn)的一種準(zhǔn)仿真

           LT4363浪涌保護(hù)器件不僅會(huì)考慮流過(guò)MOSFET的電流大小,還會(huì)考慮源極和漏極之間施加的電壓。如此一來(lái),MOSFET能夠在線(xiàn)性模式下更安全地運(yùn)行,而且也許能夠選擇尺寸更小的MOSFET,進(jìn)而降低系統(tǒng)成本。

          這種保護(hù)機(jī)制的工作原理是,根據(jù)所測(cè)量的電流和壓降,對(duì)圖1中TMR引腳上的定時(shí)電容器進(jìn)行充電。如果電容器上的電壓上升到1.275 V以上,就會(huì)發(fā)出警告。而當(dāng)電壓高于1.375 V時(shí),MOSFET會(huì)完全關(guān)斷,以實(shí)施保護(hù)。

          圖3顯示了圖1中LT4363的定時(shí)電容器上的電壓如何由于圖1中MOSFET Q1上的VDS電壓而上升。對(duì)于流過(guò)MOSFET Q1的電流,同樣有類(lèi)似的充電圖示。這些參數(shù)可確保不會(huì)超出MOSFET的SOA曲線(xiàn),不僅實(shí)現(xiàn)了安全運(yùn)行,也起到了過(guò)壓保護(hù)的作用。

          結(jié)論

          過(guò)壓保護(hù)模塊看起來(lái)相當(dāng)簡(jiǎn)單且不起眼,但一些細(xì)微的特性卻能在過(guò)壓保護(hù)的性能表現(xiàn)及MOSFET的選型方面產(chǎn)生重大影響。

          作者簡(jiǎn)介

          Frederik Dostal是一名擁有20多年行業(yè)經(jīng)驗(yàn)的電源管理專(zhuān)家。他曾就讀于德國(guó)埃爾蘭根大學(xué)微電子學(xué)專(zhuān)業(yè),并于2001年加入National Semiconductor公司,擔(dān)任現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師,幫助客戶(hù)在項(xiàng)目中實(shí)施電源管理解決方案,進(jìn)而積累了不少經(jīng)驗(yàn)。在此期間,他還在美國(guó)亞利桑那州鳳凰城工作了4年,擔(dān)任應(yīng)用工程師,負(fù)責(zé)開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品。他于2009年加入公司,先后擔(dān)任多個(gè)產(chǎn)品線(xiàn)和歐洲技術(shù)支持職位,具備廣泛的設(shè)計(jì)和應(yīng)用知識(shí),目前擔(dān)任電源管理專(zhuān)家。Frederik在的德國(guó)慕尼黑分公司工作。


          評(píng)論


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