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          二次整流電路設(shè)計(jì)難點(diǎn)解析

          作者: 時(shí)間:2025-04-09 來(lái)源:ADI 收藏

          在電源工程師歡呼有源鉗位正激轉(zhuǎn)換器(ACFC)突破50%占空比限制之際,一個(gè)被長(zhǎng)期忽視的設(shè)計(jì)陷阱正在浮現(xiàn)——最小占空比(Dmin)的精細(xì)控制已成為決定系統(tǒng)可靠性的生死線。實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)顯示,當(dāng)Dmin低于15%時(shí),ACFC的開(kāi)關(guān)損耗會(huì)陡增300%,電磁干擾(EMI)惡化達(dá)18dBμV。

          本文引用地址:http://yuyingmama.com.cn/article/202504/469186.htm

          本文以隔離式ACFC電源為例,闡述最小占空比對(duì)設(shè)計(jì)的影響。該轉(zhuǎn)換器用于將輸入24 VAC或48 ~ 60 VDC,轉(zhuǎn)化為15VDC,1.5 A輸出。其隔離特性使其適合為現(xiàn)場(chǎng)工業(yè)應(yīng)用供電。ACFC拓?fù)鋷椭鷮?shí)現(xiàn)了高達(dá)91%的峰值效率。設(shè)計(jì)要求如表1所示。

          表1. 設(shè)計(jì)要求

          二次整流電路設(shè)計(jì)難點(diǎn)解析

          公司的 MAX17598是有源鉗位電流模式PWM控制器,其中包含隔離正激轉(zhuǎn)換器電源設(shè)計(jì)所需的所有控制電路。本文深入探討了二次自整流的考慮因素和評(píng)估結(jié)果。
          二次自整流電路的設(shè)計(jì)考慮
          ACFC通過(guò)使用自整流電路,實(shí)現(xiàn)了更高的效率。圖1為基于MOSFET的典型自整流電路原理圖。與傳統(tǒng)的二極管整流電路相比,MOSFET的導(dǎo)通電阻更低,所以其電路效率更高,尤其是在低電壓、大電流輸出的情況下。


          二次整流電路設(shè)計(jì)難點(diǎn)解析


          圖1. 通用輸出自整流電路

          然而,當(dāng)輸出電壓接近或超過(guò) MOSFET柵極電壓工作范圍時(shí),這個(gè)設(shè)計(jì)就不合適了。我們可以通過(guò)附加電路來(lái)產(chǎn)生這些MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電壓。圖2為該電路的細(xì)節(jié)信息。G1和G2連接到變壓器的輔助繞組。

          二次整流電路設(shè)計(jì)難點(diǎn)解析

          圖2. 輔助繞組變壓器中的柵極驅(qū)動(dòng)電路

          柵極1連接到N2的柵極(如圖1所示),柵極2連接到N1的柵極。柵極1和柵極2與開(kāi)關(guān)周期同步。當(dāng)柵極1輸出高電平時(shí),柵極2輸出低電平,反之亦然。完整電路如圖3所示。

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          圖3. 性能測(cè)試使用的示例電路

          該環(huán)路必須確保輸出處于MOSFET VGS的工作范圍內(nèi)。公式1反映了柵極驅(qū)動(dòng)電壓與匝數(shù)比之間的關(guān)系。

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          KGATE為變壓器比率。NG為變壓器繞組的匝數(shù)。NP為變壓器初級(jí)繞組的匝數(shù)。VGATE_MAX為MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電壓的最大電壓。VDC_MAX 為直流輸入電壓的最大電壓。
          當(dāng)初級(jí)環(huán)路的主開(kāi)關(guān)閉合時(shí),施加于變壓器的電壓為正,即 VDC。因此,柵極1的輸出為高電平,柵極2的輸出為GND。它與匝 數(shù)比和直流輸入電壓有關(guān)。

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          當(dāng)主MOSFET關(guān)斷時(shí),鉗位電路將漏極電壓限制為VCLAMP。VCLAMP高于VDC,因此柵極1的輸出為GND,而柵極2的輸出為高電平。
          鉗位電壓可通過(guò)下式計(jì)算:

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          柵極2的電壓與匝數(shù)比以及VCLAMP和 VDCINPUT之間的差距有關(guān)。

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          占空比會(huì)隨輸入電壓而變化,因此必須確保柵極的驅(qū)動(dòng)電壓能 夠以完整的 VIN范圍驅(qū)動(dòng)MOSFET。應(yīng)用最大直流輸入和最小導(dǎo)通率 時(shí),柵極驅(qū)動(dòng)電壓將達(dá)到最小值。
          p>在設(shè)計(jì)示例中,柵極2最低電壓可依照式5進(jìn)行計(jì)算。當(dāng)輸入直流電壓達(dá)到最大值時(shí),柵極2上的電壓只有4.23 V。

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          如果該電壓低于VGS導(dǎo)通閾值,則二次整流電路的MOSFET將無(wú)法準(zhǔn)確工作。這可能導(dǎo)致當(dāng)輸入電壓接近最大值時(shí),電源在沒(méi)有任何負(fù)載的情況下無(wú)法啟動(dòng)。在示例電路中,VGS閾值電壓為3 V, 小于計(jì)算出的最小VGATE2 。
          圖4為示例電路的測(cè)量結(jié)果。CH1為柵極1的電壓。CH2為柵極2的電壓。CH4為主面N-MOS的源漏電壓。

          二次整流電路設(shè)計(jì)難點(diǎn)解析

          圖4. 柵極1和柵極2電壓以及MOSFET漏極電壓(VIN = 60 V) 。

          示例電路的性能

          為了驗(yàn)證柵極驅(qū)動(dòng)電路計(jì)算的準(zhǔn)確性,我們對(duì)示例電路進(jìn)行了性能測(cè)試。圖5為不同負(fù)載電流(0A、0.5A、1A、1.5A)下的輸入和輸出電壓。


          二次整流電路設(shè)計(jì)難點(diǎn)解析

          圖5. 不同負(fù)載下的輸入和輸出電壓

          圖6顯示了輸出電壓水平如何隨輸出電流不同而變化。不同的線表示不同的輸入電壓。

          二次整流電路設(shè)計(jì)難點(diǎn)解析

          圖6. 輸出電流和輸出電壓

          圖7為不同輸入電壓和負(fù)載下的峰值效率。當(dāng)輸入為36 V、輸出為1.5 A時(shí),峰值效率達(dá)到91%。


          二次整流電路設(shè)計(jì)難點(diǎn)解析

          圖7. 峰值效率

          波特圖顯示了峰值效率工作條件下的環(huán)路穩(wěn)定性,即 VDCINPUT = 36 V、 IOUTPUT = 1.5 A。
          圖8顯示了環(huán)路響應(yīng)。

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          圖8. 波特圖

          圖9和圖10顯示了輸出峰峰值電壓。圖9是無(wú)負(fù)載電流的情況,圖10是滿負(fù)載的情況。


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          圖9. 空載時(shí)輸出峰峰值電壓

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          圖10. 滿負(fù)載1.5 A時(shí)輸出峰峰值電壓

          圖11和12顯示了負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)。圖11為負(fù)載從零變?yōu)闈M負(fù)載。圖12為負(fù)載從滿負(fù)載變?yōu)榱?。CH1測(cè)量的是輸出電壓(交流耦合)。CH2測(cè)量的是輸出負(fù)載電流。


          二次整流電路設(shè)計(jì)難點(diǎn)解析

          圖11. 瞬態(tài)響應(yīng)(0 A至1.5 A)

          二次整流電路設(shè)計(jì)難點(diǎn)解析

          圖12. 瞬態(tài)響應(yīng)(1.5 A至0 A)

          結(jié)論
          綜上所述,對(duì)ACFC的研究讓我們對(duì)其性能和效率有了重要認(rèn)識(shí)。通過(guò)分析二次整流電路的設(shè)計(jì)以及占空比的影響,我們發(fā)現(xiàn),當(dāng)需要額外的輔助柵極驅(qū)動(dòng)電路時(shí),最小占空比會(huì)受到限制。
          此外,ACFC憑借其出色的能量回收特性,成為了有前景的高效電源系統(tǒng)解決方案。通過(guò)本文可知,占空比存在一個(gè)最佳范圍。也就是說(shuō),最大占空比和最小占空比對(duì)于基于MOSFET的整流電路都很重要。
          將本研究的成果應(yīng)用于設(shè)計(jì)和實(shí)施ACFC,有助于避免設(shè)計(jì)階段出現(xiàn)問(wèn)題。




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