7月12日消息，近日，西安電子科技大學(xué)廣州研究院第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心郝躍院士、張進(jìn)成教授課題組李祥東團(tuán)隊(duì)在藍(lán)寶石基增強(qiáng)型e-GaN電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)研發(fā)方面取得突破性進(jìn)展。

研發(fā)成果6英寸增強(qiáng)型e-GaN電力電子芯片以“p-GaN Gate HEMTs on 6 Inch Sapphire by CMOSCompatible Process: A Promising Game Changer for Power Electronics”為題發(fā)表在高水平行業(yè)期刊IEEE Electron Device Letters上，并入選封面highlight論文。

西電廣州研究院與廣東致能科技公司聯(lián)合攻克了≥1200V超薄GaN緩沖層外延、p-GaN柵HEMTs設(shè)計(jì)與制造、可靠性加固、高硬度材料封測等整套量產(chǎn)技術(shù)，成功開發(fā)出閾值電壓超過2V、耐壓達(dá)3000V的6英寸藍(lán)寶石基增強(qiáng)型e-GaNHEMTs晶圓，展示了替代中高壓硅IGBT和SiC MOSFET的巨大潛力。

在該項(xiàng)目的研究中，研究團(tuán)隊(duì)還成功研發(fā)了8英寸GaN電力電子芯片，首次證明了8英寸藍(lán)寶石基GaN HEMTs晶圓量產(chǎn)的可行性，并打破了傳統(tǒng)GaN技術(shù)難以同時(shí)兼顧大尺寸、高耐壓、低成本的國際難題，將有望推動(dòng)≥1200 V中高壓氮化鎵電力電子技術(shù)實(shí)現(xiàn)變革。