Infineon 推出第五代準(zhǔn)諧振CoolSET? PWM電源控制芯片與內(nèi)建高壓 CoolMOS?P7 MOSFET combo高整合度之待機(jī)電源產(chǎn)品，產(chǎn)品內(nèi)建不同Rds-on等級(jí)之MOSFET , 可滿足不同輸出瓦數(shù)的應(yīng)用增加產(chǎn)品在設(shè)計(jì)上的靈活性與通用性 , 因ICE5QR2270AZ 本身具有高集成度之產(chǎn)品 ,  簡(jiǎn)化周邊回路設(shè)計(jì)降低 Layout空間 , 且符合能效DOE、CoC 規(guī)范 , 來(lái)達(dá)到低成本、體積小、穩(wěn)健及安全產(chǎn)品設(shè)計(jì)。

?場(chǎng)景應(yīng)用圖

?產(chǎn)品實(shí)體圖

?展示板照片

?方案方塊圖

?核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)

1.  輸入電壓 85~264Vac

2. 提供12V/12W之電源輸出

3. 平均效率可達(dá)89%

4. 待機(jī)功耗可小于100mW @230Vac

5. 具有Brownout、輸出過(guò)電壓/電流、輸出短路保護(hù) ...等保護(hù)

?方案規(guī)格

1. 內(nèi)建 700V CoolMOS?P7 MOSFET.

2. 新型準(zhǔn)諧振操作和實(shí)現(xiàn)低EMI.

3. Active Burst Mode，具有可選的進(jìn)入和退出待機(jī)功率.

4. Active Burst Mode可達(dá)到最低待機(jī)功率<100 mW.

5. 使用共源共柵配置實(shí)現(xiàn)快速啟動(dòng).

6. 數(shù)字頻率降低可提高整體系統(tǒng)效率

7. 具有輸入過(guò)電壓和Brown out 保護(hù)機(jī)制.