日本a√视频在线,久久青青亚洲国产,亚洲一区欧美二区,免费g片在线观看网站

        <style id="k3y6c"><u id="k3y6c"></u></style>
        <s id="k3y6c"></s>
        <mark id="k3y6c"></mark>
          
          

          <mark id="k3y6c"></mark>

          新聞中心

          EEPW首頁(yè) > 電源與新能源 > 新品快遞 > 英飛凌推出采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25V和30V功率MOSFET,樹立技術(shù)新標(biāo)準(zhǔn)

          英飛凌推出采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25V和30V功率MOSFET,樹立技術(shù)新標(biāo)準(zhǔn)

          作者: 時(shí)間:2022-03-15 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          英飛凌科技股份公司近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列,旨在為分立功率MOSFET技術(shù)樹立全新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。這些新器件采用薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝,尺寸極小,卻具有顯著的性能優(yōu)勢(shì)。OptiMOS 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列已針對(duì)服務(wù)器、通訊、便攜式充電器和無(wú)線充電等SMPS應(yīng)用中的同步整流進(jìn)行了優(yōu)化。這些功率MOSFET還可在無(wú)人機(jī)中,應(yīng)用于小型無(wú)刷電機(jī)的ESC(電子速度控制)模塊。眾所周知,無(wú)人機(jī)通常需要尺寸小、重量輕的元器件。

          本文引用地址:http://yuyingmama.com.cn/article/202203/431983.htm

          這些領(lǐng)先的功率MOSFET器件采用PQFN 2x2封裝,具備更高的功率密度、小巧的外形尺寸以及業(yè)界極低的導(dǎo)通電阻,能夠進(jìn)一步降低能耗。2 x 2 mm2的小尺寸封裝,為PCB布局布線提供了更高的靈活性。此外,該解決方案還具有出色的電氣性能,可進(jìn)一步提高終端應(yīng)用的功率密度,縮小外形尺寸。同時(shí),系統(tǒng)溫度的降低、性能的提升,也讓熱管理變得更加輕松。這些特性有助于實(shí)現(xiàn)更小巧的客戶應(yīng)用,充分節(jié)省空間、降低系統(tǒng)成本,打造易于設(shè)計(jì)的產(chǎn)品。

          1647307318159435.png

          供貨情況

          采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列現(xiàn)已上市:

          ●   PQFN 2x2 25 V: 2 x 2 mm2, RDS(on) 2.4 m? (ISK024NE2LM5)

          ●   PQFN 2x2 30 V: 2 x 2 mm2, RDS(on) 3.6 m? (ISK036N03LM5)



          關(guān)鍵詞:

          評(píng)論


          相關(guān)推薦

          技術(shù)專區(qū)

          關(guān)閉