應用材料公司近日宣布為其大獲成功的Centris^? Sym3^?刻蝕產品系列再添新成員?，F在，該系列產品能讓芯片制造商在尖端存儲器和邏輯芯片上以更加精細的尺寸成像和成型。

新型Centris Sym3^? Y是應用材料公司最先進的導體刻蝕系統。該系統采用創(chuàng)新射頻脈沖技術為客戶提供極高的材料選擇性、深度控制和剖面控制，使之能夠在3D NAND、DRAM和邏輯節(jié)點（包括FinFET和新興的環(huán)繞柵極架構）創(chuàng)建密集排列的高深寬比結構。

●   Sym3^? Y專為3D NAND、DRAM和代工廠邏輯節(jié)點中的關鍵導體刻蝕應用而打造

●   這一最新系統為公司歷史上最迅速大量占領市場的產品擴大了應用范圍

●   里程碑達成：Sym3反應腔出貨量達到5000臺

應用材料公司的Centris^? Sym3^? Y刻蝕系統能讓芯片制造商在尖端存儲器和邏輯芯片上以更加精細的尺寸成像和成型

Sym3系列成功的關鍵在于其獨特技術特征： 高電導反應腔架構能夠提供特殊的刻蝕剖面控制，快速有效地排出每次晶圓工藝產生的刻蝕副產物。Sym3 Y系統采用保護關鍵腔體組件的專有新型涂層材料，擴大了該成功架構的優(yōu)勢，從而進一步減少缺陷并提高良率。

Sym3刻蝕系統于2015年首次推出，如今已成為應用材料公司歷史上最迅速大量占領市場的產品。時至今日，Sym3反應腔出貨量達到了5000臺大關。

應用材料公司的戰(zhàn)略是為客戶提供全新的材料成型和成像方法，以實現新型3D結構并開辟繼續(xù)進行2D微縮的新途徑，而Sym3系列正是實現這一戰(zhàn)略的關鍵產品。應用材料公司采用獨特的化學氣相沉積（CVD）鍍膜技術對Sym3系統進行協同優(yōu)化，讓客戶能夠增加3D NAND內存器件中的層數，并減少DRAM制造中四重成型所需的步驟數。應用材料公司會將上述技術與其電子束檢測和審查技術一同部署，以加快研發(fā)并大規(guī)模實現行業(yè)最先進節(jié)點的產量爬坡，從而幫助客戶改善芯片功耗、增強芯片性能、降低單位面積成本并加快上市時間（PPACt）。

應用材料公司半導體產品事業(yè)部副總裁兼總經理Mukund Srinivasan博士表示：“應用材料公司在2015年推出Sym3系統時采用了全新方法進行導體刻蝕，并解決了3D NAND和DRAM中一些最棘手的刻蝕難題。今天，在最先進的存儲器和代工廠邏輯節(jié)點中，關鍵刻蝕和極紫外（EUV）圖形化應用呈現出強勁的發(fā)展勢頭和增長。未來，我們將繼續(xù)升級并助力業(yè)界向下一代芯片設計演進?！?/p>

每個Sym3 Y系統均包括多個刻蝕和等離子清潔晶圓工藝反應腔，并由智能系統控制可確保每個反應腔都擁有一致的性能，從而實現穩(wěn)定的工藝和高生產力。全球多家領先的NAND、DRAM和代工廠邏輯節(jié)點客戶都在使用這一新系統。