宜普電源轉換公司(EPC)推出半橋式開發(fā)板(EPC9059)，專為大電流、高頻的負載點(POL)應用而設，目的是利用氮化鎵集成電路(eGaN IC)的優(yōu)勢，縮小功率轉換系統(tǒng)的尺寸。該板具有30 V最高器件電壓、50 A 最大輸出電流。在這應用中，兩個30 V 的eGaN IC(EPC2100)并聯(lián)工作并配備板載驅動器，從而可以實現(xiàn)更高的輸出電流。與硅基MOSFET相比，由于氮化鎵器件具有卓越的均流能力，因此更適合并聯(lián)操作。

　　在12 V輸入電壓、1 V輸出、1 MHz開關頻率的工作條件下，該板的總系統(tǒng)效率差不多達90%。 在自然對流及沒有散熱器的條件下，它可支持的負載可以達32 A。而在40 A重負載的條件下，與硅基DrMOS解決方案相比，效率會高出2.5%，使系統(tǒng)的總功率損耗差不多降低了20%。

　　該板展示了氮化鎵技術如何針對新一代負載點轉換器所需的更高的頻率及更大的電流，從而實現(xiàn)更細小、更高效及具有更高功率密度的解決方案。

　　價格及供貨詳情

　　EPC9059開發(fā)板的單價為137.75美元，可立即從Digikey公司或北高智科技公司購買。