日本a√视频在线,久久青青亚洲国产,亚洲一区欧美二区,免费g片在线观看网站

        <style id="k3y6c"><u id="k3y6c"></u></style>
        

        <s id="k3y6c"></s>
        <mark id="k3y6c"></mark>
          

          <mark id="k3y6c"></mark>
          
	
	
          
		
			
		
          
    
    	
          
  		
          
		    
          
		      
		      
		      
		    
          
  		
          
  		
          
	
          


	


          
		
          
		            
            
				
          
		
          







          


          
	
	
          
		
          新聞中心
          
	
          
	
          
	
          EEPW首頁(yè) 
	 > 測(cè)試測(cè)量 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 微波暗箱反射率電平分析與測(cè)量
          
    
          

          

          


	
	
	

          
	
          
		
          
			
          微波暗箱反射率電平分析與測(cè)量
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2012-07-26
				來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)

							
				
				
				
				收藏
			
          

			
          
				
				
			
          

			
          
			
			
          
			
			
          
				
				
			
          
                
			
          （3） 描繪駐波曲線(xiàn)的包絡(luò)，由包絡(luò)線(xiàn)的極大極小值求出Δab，并求出它的平均電平A1（dB），若ED＞ER，A1（dB）就是接收天線(xiàn)的方向圖電平。如圖（6）：
          （4） 在不同的角上，重復(fù)（2）、（3）步驟，就能求出一系列空間駐波曲線(xiàn)，再由駐波曲線(xiàn)的包絡(luò)來(lái)求出Δab值，在ED＞ER的情況下，由式（8）就能求出不同方向上的反射率電平。如果ED＞ER，則需按下式計(jì)算反射率電平：
          由于ED隨天線(xiàn)的移動(dòng)有規(guī)律的變化，ER無(wú)規(guī)律的變化，在某取向角，如果實(shí)測(cè)空間駐波曲線(xiàn)的平均值出現(xiàn)無(wú)規(guī)律變化時(shí)，就能判定ER＞ED，或者在這個(gè)取向角上，假定駐波曲線(xiàn)的平均電平比在這個(gè)取向角上方向圖的電平高，也能判定ER＞ED。
          6 建立小圓柱型微波暗箱的測(cè)試系統(tǒng)與測(cè)試步驟
          （1）測(cè)試裝置的建立
          微波暗箱反射率電平的測(cè)試系統(tǒng)主要由發(fā)射信號(hào)源（69347B）、接收機(jī)（MS2667C頻譜分析儀）、計(jì)算機(jī)及接收天線(xiàn)和測(cè)試支架組成，見(jiàn)框圖（7）。其中信號(hào)源為發(fā)射天線(xiàn)輸出一個(gè)微波直射信號(hào)，由頻譜分析儀接收來(lái)自各方向的反射及直射信號(hào)，并由計(jì)算機(jī)讀出后描繪出一個(gè)空間駐波曲線(xiàn)，并計(jì)算出反射率電平。天線(xiàn)支架用來(lái)控制測(cè)試天線(xiàn)的上下、左右直線(xiàn)移動(dòng)及轉(zhuǎn)角姿態(tài)的變化動(dòng)作。為了能比較準(zhǔn)確地描繪出空間行程駐波曲線(xiàn)，天線(xiàn)移動(dòng)的行程距離必須大于等于兩個(gè)波長(zhǎng)。最后通過(guò)改變接收天線(xiàn)取向角以獲得若干條駐波曲線(xiàn)，從而達(dá)到測(cè)試小圓柱型微波暗箱反射率電平的目的。
          （2）測(cè)試過(guò)程
          依據(jù)VSWR法的特點(diǎn)，我們將接收天線(xiàn)安裝在測(cè)試支架上，使天線(xiàn)處于暗箱中心軸線(xiàn)上，并距離后壁尖劈為15cm處，分別改變天線(xiàn)與中心軸的夾角來(lái)進(jìn)行反射率電平的測(cè)試。
          （3）天線(xiàn)測(cè)試狀態(tài)的確定
          這里我們僅選擇垂直極化狀態(tài)進(jìn)行測(cè)試，其次考慮到被測(cè)箱體的限制，在測(cè)試位置上僅選取一點(diǎn)，即接收天線(xiàn)距離后壁尖劈為15cm處，俯仰角為±20°，±35°時(shí)，接收天線(xiàn)上下移動(dòng)2-4個(gè)波長(zhǎng)。由于暗箱為圓柱體，因此可通過(guò)轉(zhuǎn)動(dòng)暗箱來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)暗箱內(nèi)壁任意一點(diǎn)反射性能的測(cè)試，而暗箱后壁的反射性能受測(cè)試條件的局限而無(wú)法進(jìn)行測(cè)量，故暫不考慮。
          （4）Z向（垂直向）的測(cè)試
          Z向的測(cè)試是接收天線(xiàn)離后壁尖劈15cm處，以箱體軸線(xiàn)作垂直向的上下移動(dòng)，其上下移動(dòng)的高度為±3λ（±9cm），天線(xiàn)的取向角為±20°，±35°，在這些點(diǎn)上測(cè)出若干條干涉曲線(xiàn)。垂直向的測(cè)試主要是測(cè)量暗箱上下尖劈對(duì)電磁波的反射情況。
          在0°時(shí)，接收天線(xiàn)所獲取的曲線(xiàn)（數(shù)值）為Z向場(chǎng)幅度的均勻性。通過(guò)由頻譜儀測(cè)得的曲線(xiàn)，求出其最大電平變化值（Δab），及曲線(xiàn)的平均值（Ai）以得到天線(xiàn)在該取向角θ時(shí)的方向圖電平值。
          （5）將微波暗箱旋轉(zhuǎn)至所需要的角度φi，重復(fù)（3）、（4）步驟，測(cè)出暗箱其余內(nèi)壁的反射率電平。以下是我們對(duì)802所編號(hào)為6CH-6W2的暗箱采用以上方法進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試數(shù)據(jù)如下：
          表（1）：接收天線(xiàn)作上下移動(dòng)時(shí)電平的變化值測(cè)試頻率：10.125GHz，接收天線(xiàn)距離暗箱中心軸5cm處定義為移動(dòng)的起始位置，接收天線(xiàn)分別取俯仰角+20°、-20°。
          本文引用地址：http://yuyingmama.com.cn/article/193519.htm
          移動(dòng)距離（mm）
          仰角+20°時(shí)電平的變化（dB）
          俯角-20°時(shí)電平的變化（dB）
          0
          61.09
          61.24
          2
          61.08
          61.22
          4
          61.08
          61.17
          6
          61.04
          61.17
          8
          60.98
          61.12
          10
          60.96
          61.08
          12
          60.95
          61.06
          14
          60.91
          61.04
          16
          60.96
          61.03
          18
          60.97
          61.03
          20
          60.97
          61.03
          22
          61.00
          61.04
          24
          61.00
          61.10
          26
          60.98
          61.15
          28
          60.99
          61.17
          30
          60.96
          61.19
          32
          60.94
          61.28
          34
          60.89
          61.37
          36
          60.88
          61.31
          38
          60.86
          61.42
          40
          60.86
          61.47
          42
          60.83
          61.53
          46
          60.80
          61.58
          48
          60.74
          61.63
          50
          60.71
          61.65
          52
          60.66
          61.72
          54
          60.90
          61.74
          56
          60.89
          61.74
          58
          60.79
          61.74
          60
          60.46
          61.69
          62
          60.45
          61.67
          64
          60.73
          61.63
          66
          60.72
          61.58
          表（2）：不同取向角時(shí)的總的反射率電平
          方位角
          +20°
          -20°
          方向圖電平值A(chǔ)(dB)
          10
          10
          最大電平變化值Δ（dB）
          0.64
          0.62
          總的反射率電平值R（dB）
          -38.7
          -39.0
          方位角+20°-20°方向圖電平值A(chǔ)(dB)1010最大電平變化值Δ（dB）0.640.62總的反射率電平值R（dB）-38.7-39.0
          從以上測(cè)試數(shù)據(jù)中可以看出，被測(cè)小圓柱型微波暗箱在所選頻率上用以上方法測(cè)量其反射率電平均優(yōu)于設(shè)計(jì)所要求的-30dB的技術(shù)指標(biāo)。
          參考文獻(xiàn)：
          ［1］ 汪茂光. 幾何繞射原理. 西安: 西北電訊工程學(xué)院出版社, 1985.
          ［2］ 江賢祚. 天線(xiàn)原理. 北京: 北京航空航天大學(xué)出版社,1993.
          ［3］ 毛乃宏. 天線(xiàn)測(cè)量手冊(cè). 北京: 國(guó)防工業(yè)出版社,1987.
				
            
                
			
								
          接地電阻相關(guān)文章:接地電阻測(cè)試方法

          
							
          
                
			            
          
                            	              			              			              			上一頁(yè)
	              			              			1
              		              			              		              	              				              				2
              					              						              						              				下一頁(yè)
		              					              				              			              		              	
          
                            
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
          • 
					
					
			  	
            • 
			  	
          • 
					
					
			  	
            • 
			  	
          • 
					
					
			  	
            • 
				
          • 
					
					
				
            • 
				
          • 
					
					
				
            • 
			
          
			
          
		
          
		
		
          
		
          
			
			
		
          
        
		
          
			
          關(guān)鍵詞：
            			            暗箱
                        反射
                        電平
                        測(cè)量
                        
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
          評(píng)論
          					
		
          
		
          
			
          
			
				
          
					
					
          
						
                        
					
          
				
          
                		
						
						
			
          
		
          
		
          
		
          
            
			
            
		
          
	
          
	
          
	
          
		

          
	
          
		
          相關(guān)推薦
          					
	
          
	
    
	

          		

          


	
          
	
          
		
		
	
          


    
          
        
          技術(shù)專(zhuān)區(qū)
          
      
          
      
          
			
      
           
       

          

   











          
	
          
	    關(guān)閉