過(guò)去，許多設(shè)計(jì)人員都使用粗略假設(shè)來(lái)提供等效輸出電容值，因?yàn)?a class="contentlabel" href="http://yuyingmama.com.cn/news/listbylabel/label/輸出電容">輸出電容通常都指定為25V漏源電壓。不過(guò)，傳統(tǒng)的等效輸出電容值在實(shí)際應(yīng)用中卻沒(méi)有多大幫助，因?yàn)樗S漏源電壓變化，并且在開(kāi)關(guān)導(dǎo)通/關(guān)斷期間不能提供準(zhǔn)確的儲(chǔ)能信息。在功率轉(zhuǎn)換器工作電壓下，新定義的輸出電容提供等效的儲(chǔ)能，能夠?qū)崿F(xiàn)更優(yōu)化的功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。

　　ZVS轉(zhuǎn)換器的輸出電容

　　在軟開(kāi)關(guān)拓?fù)渲?，通過(guò)諧振作用，利用電感(漏電感和串聯(lián)電感或變壓器中的磁化電感)中的儲(chǔ)能使開(kāi)關(guān)管輸出電容放電來(lái)實(shí)現(xiàn)零電壓導(dǎo)通。因此，電感必須精確設(shè)計(jì)，以防止硬開(kāi)關(guān)引起的附加功耗。下面的公式是零電壓開(kāi)關(guān)的基本要求。

　　其中，Ceq是開(kāi)關(guān)等效輸出電容，CTR是變壓器寄生電容。

　　其中，CS是開(kāi)關(guān)等效輸出電容。

　　公式(1)用于移相全橋拓?fù)?，公?2)用于LLC諧振半橋拓?fù)?。在兩個(gè)公式中輸出電容都起著重要作用。如果在公式(1)中假設(shè)輸出電容很大，則由公式將得出較大的電感。然后，此大電感將降低初級(jí)di/dt，并降低功率轉(zhuǎn)換器的有效占空比。相反，太小的輸出電容將導(dǎo)致較小的電感和有害的硬開(kāi)關(guān)。另外，公式(2)中太大的輸出電容將限制磁化電感并引起循環(huán)電流的增加。因此，對(duì)于優(yōu)化軟開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)，獲取準(zhǔn)確的開(kāi)關(guān)輸出電容值將非常關(guān)鍵。通常，針對(duì)等效輸出電容的傳統(tǒng)假設(shè)傾向于使用較大數(shù)值。所以，根據(jù)公式(1)或(2)選擇電感后，設(shè)計(jì)人員還需調(diào)整功率轉(zhuǎn)換器參數(shù)，并經(jīng)過(guò)多次反復(fù)設(shè)計(jì)，因?yàn)槊總€(gè)參數(shù)都相互關(guān)聯(lián)，例如，匝數(shù)比、漏電感、以及有效占空比。而且，功率MOSFET的輸出電容將跟隨漏源電壓變化。在功率轉(zhuǎn)換器工作電壓下，提供等效儲(chǔ)能的輸出電容是這些應(yīng)用的最佳選擇。

　　從輸出電容中獲得儲(chǔ)能

　　在電壓與電荷關(guān)系圖(圖1)上，電容為直線(xiàn)的斜率，電容中的儲(chǔ)能為該直線(xiàn)下包含的面積。雖然功率MOSFET的輸出電容呈非線(xiàn)性，并依據(jù)漏源電壓的變化而變化，但是輸出電容中的儲(chǔ)能仍為非線(xiàn)性電容線(xiàn)下的面積。因此，如果我們能夠找出一條直線(xiàn)，由該直線(xiàn)給出的面積與圖1所示變化的輸出電容曲線(xiàn)所包含的面積相同，則直線(xiàn)的斜率恰好是產(chǎn)生相同儲(chǔ)能的等效輸出電容。

　　圖1：等效輸出電容的概念。

　　對(duì)于某些老式平面技術(shù)MOSFET，設(shè)計(jì)人員可能會(huì)用曲線(xiàn)擬合來(lái)找出等效輸出電容。

　　于是，儲(chǔ)能可由簡(jiǎn)單積分公式獲得。

　　最后，有效輸出電容為：

上一頁(yè) 1 2 3 下一頁(yè)