1 引言

美國(guó)模擬器件公司(ADI)發(fā)布了一種創(chuàng)新的半導(dǎo)體制造工藝，這種工藝技術(shù)是將高電壓半導(dǎo)體工藝與亞微米CMOS和互補(bǔ)雙極型工藝相結(jié)合，并將該工藝命名為iCMOS(工業(yè)CMOS)。使諸如工廠自動(dòng)化和過(guò)程控制等高電壓應(yīng)用在性能、設(shè)計(jì)和節(jié)省成本方面均得到極大提升。iCMOS能把更多的信號(hào)鏈路功能集成在一個(gè)尺寸比以前小很多的芯片內(nèi)，并且不犧牲性能，將數(shù)字邏輯電路與高速模擬電路集成在一起，并且采用前所未有的小尺寸封裝，提供更高的性能和更低的功耗。AD7656就是采用iC-MOS工藝制造的，是高集成度、6通道16-bit逐次逼近(SAR)型ADC，內(nèi)含1個(gè)2.5V基準(zhǔn)電壓源和基準(zhǔn)緩沖器。該器件的功耗比最接近的同類雙極型ADC降低了60％。AD7656在每通道250kS／s采樣速率下的精度(