日本a√视频在线,久久青青亚洲国产,亚洲一区欧美二区,免费g片在线观看网站

        <style id="k3y6c"><u id="k3y6c"></u></style>
        <s id="k3y6c"></s>
        <mark id="k3y6c"></mark>
          
          

          <mark id="k3y6c"></mark>

          新聞中心

          EEPW首頁 > 電源與新能源 > 設計應用 > 熱插拔控制器實現(xiàn)雙極性處理

          熱插拔控制器實現(xiàn)雙極性處理

          作者: 時間:2005-05-29 來源:網(wǎng)絡 收藏

            有些應用場合需要使用一個熱插拔、一個斷路器或者兩者都要使用,以適應雙直流輸入電源干線。在某些使用熱插拔的情況下,這種要求僅僅出于對起動電流的考慮。要消除連接器的應力和電源干線的干擾,就必須控制起動電流。另外一些應用場合在某一電源因某種原因發(fā)生故障時就會出現(xiàn)問題。砷化鎵FET放大器的偏置電源就是一個范例。如果你去掉負的柵極偏壓,那你也得去除正的漏極電源;否則,放大器就會因漏極電流過大而自行毀壞。但你只要使用一個單通道熱插,就可滿足上述這兩個要求。


          圖1 該電路是低壓電路用雙電壓定序器。

            圖1,所示電路以浮動方式使用TPS2331(即IC1)。該電路使得IC的接地與負輸入電壓有關。如果正干線電壓太低或負干線電壓太高,則該電路在VSENSE引腳上達不到1.225V的閾值,于是IC關斷。VSENSE引腳上有大約30mV的滯后電壓,以保證IC開啟時無震顫。
            當正負兩個電壓都超出各自的閾值時,IC1接通,為兩只FET提供的受控制的轉換速率隨時間線性增長。要注意的是,該電路只使用N溝道FET,因為尺寸和費用給定的情況下,N溝道FET的導通電阻比P溝道FET的要小。為了使Q1A導通,TPS2331有一個內置式電荷泵,它能產生一個比正干線電壓大的電壓,從而對這一FET起增強作用。隨著柵極電壓的建立,Q3起到線性電平晶體管的作用,因而Q1B也能隨時間線性增長,其導通速度是TPS2331 14μA輸出電流和C3值的函數(shù)。本設計使用這兩只FET的依據(jù)是直流通路中允許的最大電阻和FET的功耗值。事實上可以使用任何規(guī)格的FET,視你想要控制的電流大小而定。要注意的是,加到TPS2331上的總電壓范圍不能超過最大額定電壓15V。如果IC1不在兩個輸入電源電壓之間浮動,則負輸入電壓可能比較大。圖2示出了這樣一種應用電路,其輸入電壓為5V和-12V。該電路的主要要求是,電平移動晶體管Q3要能耐受較高的電壓。此外,這一電路還能使用象IC1最大額定電壓15V那么高的正輸入電壓。

          圖2,本電路在圖1所示電路基礎上有所改動,能承受較高的電壓。


          評論


          相關推薦

          技術專區(qū)

          關閉