IGBT剛出現(xiàn)時，電壓、電流額定值只有600V、25A。很長一段時間內(nèi)，耐壓水平限于1200V～1700V，經(jīng)過長時間的探索研究和改進，現(xiàn)在IGBT的電壓、電流額定值已分別達到3300V/1200A和4500V/1800A，高壓IGBT單片耐壓已達到6500V，一般IGBT的工作頻率上限為20kHz～40kHz，基于穿通（PT）型結構應用新技術制造的IGBT，可工作于150kHz（硬開關）和300kHz（軟開關）。

其共同點是，二 者集成的對象都是電子電路。因此，集成電路中的許多技術都為電力電子集成技術所借鑒。例如，單片電力電子集成技術就和集成電路十分相似。起源于集成電路封 裝技術的多芯片模塊（Multi Chip Module-MCM）技術就對電力電子集成技術有很大的借鑒意義。共同點主要是：信息電力技術特別容易在單 個芯片上實現(xiàn)，甚至出了片上系統(tǒng)（System on Chip-SOC）的概念和技術。而在電力電子集成中，單片集成就要困難很多。因為電力電子中主電 路通常電壓較高、功率較大、發(fā)熱嚴重、電磁干擾也嚴重，而控制電路通常電壓較低、本身功耗不大也難于承受高壓，抗電磁干擾性能也較弱。因此，電壓隔離、熱隔離、抗電磁干擾就成為電力電子集成技術的三大問題。

碳化硅SiC是功率半導體器件晶片的理想材料，其優(yōu)點是：禁帶寬、工作溫度高（可達600℃）、熱穩(wěn)定性好、通態(tài)電阻小、導熱性能好、漏電流極小、PN結耐壓高等，有利于制造出耐高溫的高頻大功率半導體器件。