羅姆開發(fā)出高溫環(huán)境下無熱失控超低IR肖特基勢(shì)壘二極管
加入技術(shù)交流群
＜術(shù)語解說＞
肖特基勢(shì)壘二極管（Schottky-Barrier Diode：SBD）
使金屬和半導(dǎo)體接觸從而形成肖特基結(jié)，利用其可得到整流性（二極管特性）的二極管。具有“正向壓降少、開關(guān)速度快”的特點(diǎn)。主要用于開關(guān)電源等。
快速恢復(fù)二極管（Fast Recovery Diode： FRD）
正向施加的電壓向反向切換時(shí)，反向電流瞬間流過。這種電流到零之間的時(shí)間D即反向恢復(fù)時(shí)間快的一種二極管。
VF ( Forward Voltage)
是指正向電流經(jīng)過時(shí)二極管產(chǎn)生的電壓值。數(shù)值越小功耗越少。
IR（Reverse Current）
是指施加反向電壓時(shí)發(fā)生的反向電流。數(shù)值越小功耗越少。
熱失控
反向損耗超過散熱，損耗進(jìn)一步增加，產(chǎn)品溫度呈指數(shù)級(jí)上升的狀態(tài)。
模擬電路相關(guān)文章:模擬電路基礎(chǔ)
評(píng)論