羅姆開發(fā)出高溫環(huán)境下無熱失控超低IR肖特基勢壘二極管
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由此，整流二極管和FRD的替換成為可能，VF特性得以大幅改善（與傳統(tǒng)的FRD相比，VF降低約40％）。另外，更低VF可以抑制發(fā)熱，成功實現(xiàn)小型化封裝，有助于不斷電子化、小型化需求高漲的EV、HEV節(jié)省空間。
羅姆今后還會進(jìn)一步推進(jìn)整流二極管的替換帶來的低VF化、小型化，不斷為提高車載、電源設(shè)備的效率做出貢獻(xiàn)。
＜特點＞
1） 與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，損耗約降低40％
與一般用于車載的FRD相比，VF降低約40％。有助于降低功耗。
2） 小型封裝有助于節(jié)省空間
與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，可實現(xiàn)小一號尺寸的封裝設(shè)計。
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