5.2.4 MOS管的選取

開關(guān)管MOSFET最大漏極電流IDMAX應(yīng)大于開關(guān)管所流過的峰值電流IPKP至少1.5倍，MOSFET的漏源擊穿電壓(參考圖四)BVDSS應(yīng)大于最大輸入電壓，VOR以及漏感引起的尖峰之和，一般應(yīng)留至少90%的余量。

5.2.5 次級整流管的選取

考慮一定的裕量，次級整流管D最大反向電壓VRM需滿足：

因為反激式開關(guān)電源次級整流二極管只有在電源Toff的時候才會導(dǎo)通，輸出在導(dǎo)通時必須能夠承受整個輸出電流的容許值。輸出二極管需要的最小正向?qū)ǚ逯惦娏鳛椋?/p>

Dmax為工作周期，如果設(shè)定Dmax為0.5則Ifps>4Iout

5.2.6 輸出電容的選取

輸出電容電壓通常呈現(xiàn)兩種紋波，一種是由高頻輸出電流引起，主要與輸出電容的等效竄連電阻(ESR)大小有關(guān)，另外一種是低頻紋波，為了獲得較高的PF值，環(huán)路帶寬通常較窄，因此輸出不可避免地出現(xiàn)較大的兩倍輸入電壓頻率紋波，其值與電容大小有關(guān)，一般說來低頻紋波滿足要求時，高頻紋波因為電容等效ESR夠小，可以忽視。電容的容量可以參考各個廠家的規(guī)格書(一般選用高頻低阻型)選用，根據(jù)產(chǎn)品的實際工作溫度，電壓和考慮產(chǎn)品的MTBF選取合適的電容系列型號。

5.2.7 IC主要外圍參數(shù)選取

5.2.7.1 最大導(dǎo)通時間典型參數(shù)選取

圖五

5.2.7.2 Cs Pin參數(shù)選取

R1與C1為用來濾除突波的濾波器

R1: 100?~300?

C1: 100PF~470PF

圖六

5.2.7.3 RZCD參數(shù)選取

圖七

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