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          EEPW首頁(yè) > 電源與新能源 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 淺析開(kāi)關(guān)模式電源的諧振坐標(biāo)方法

          淺析開(kāi)關(guān)模式電源的諧振坐標(biāo)方法

          作者: 時(shí)間:2013-06-26 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)模式電源時(shí),最麻煩的部件是RCD緩沖器。設(shè)計(jì)RCD緩沖器的傳統(tǒng)方法沒(méi)有主開(kāi)關(guān)的關(guān)斷瞬態(tài)期間的詳細(xì)說(shuō)明。因此,傳統(tǒng)方式設(shè)計(jì)中的設(shè)計(jì)等式也不完全正確。本文將介紹設(shè)計(jì)和分析反激式的RCD緩沖器的新方法。諧振坐標(biāo)提供了一個(gè)了解主開(kāi)關(guān)關(guān)斷瞬態(tài)期間的簡(jiǎn)單方式,并有助于輕松設(shè)計(jì)和分析RCD緩沖器。

          本文引用地址:http://yuyingmama.com.cn/article/175034.htm

          1. 引言

          從商業(yè)上講,反激式因結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、尺寸緊湊、重量輕和成本低而得到廣泛使用。但是它的主開(kāi)關(guān)執(zhí)行硬開(kāi)關(guān)操作,導(dǎo)致主開(kāi)關(guān)上有較高的電壓尖峰和振蕩。主開(kāi)關(guān)的電壓應(yīng)力視電壓尖峰大小而增加。為減少電壓尖峰以便使用更低成本的低額定電壓的MOSFET,最廣泛的方法是RCD緩沖器網(wǎng)絡(luò)。即使緩沖器電壓隨緩沖器電阻降低而降低,但緩沖器網(wǎng)絡(luò)上的功耗增加,導(dǎo)致總系統(tǒng)效率降低。因此,RCD緩沖器網(wǎng)絡(luò)應(yīng)優(yōu)化以同時(shí)符合主開(kāi)關(guān)電壓應(yīng)力和總系統(tǒng)效率兩個(gè)要求。

          本文將先介紹由主變壓器的漏電感而產(chǎn)生的電壓尖峰的傳統(tǒng)分析。將介紹描述關(guān)斷瞬態(tài)期間的簡(jiǎn)單方式用于進(jìn)一步分析。緩沖器電流將在緩沖器坐標(biāo)中分析,以便提供更詳細(xì)的設(shè)計(jì)等式。

          2. RCD緩沖器設(shè)計(jì)和分析

          2.1 RCD緩沖器設(shè)計(jì)的一般方法

          圖1顯示具有RCD緩沖器的傳統(tǒng)反激式。

          圖1:傳統(tǒng)反激式轉(zhuǎn)換器

          RCD緩沖器電路用于箝位由漏電感Llk和主開(kāi)關(guān)漏極至源極的電容CDS之間的諧振導(dǎo)致的電壓尖峰。有多種假定來(lái)描述工作原理以設(shè)計(jì)RCD緩沖器,如下所示:

          (1) Vsn>nVout和Vsn由于較大的Csn而幾乎恒定:

          (2) CDS=COSS+CTRANS,無(wú)論vDS(t)如何都恒定:

          (3)當(dāng)主開(kāi)關(guān)Q1關(guān)閉時(shí),無(wú)次級(jí)端漏電感,因此iDS(t)可瞬時(shí)傳輸至次級(jí)端二極管電流iD1(t),其中Csn是緩沖器電容,CDS是主開(kāi)關(guān)漏極和源極之間的有效電容,COSS是MOSFET的輸出電容,CTRANS是變壓器一次電路端子之間的有效電容,vDS(t)是主開(kāi)關(guān)間的電壓,iDS(t)是流過(guò)主開(kāi)關(guān)的電流,而Q1是主開(kāi)關(guān)。

          圖2顯示緩沖器二極管傳導(dǎo)時(shí)的等效電路。

          圖2:緩沖器二極管接通期間的等效電路

          當(dāng)開(kāi)關(guān)Q1關(guān)閉時(shí),主電流對(duì)Q1的COSS充電(同時(shí)對(duì)變壓器的CTRANS放電)。當(dāng)COSS被充電至Vin+nVout時(shí),次級(jí)端二極管接通,能量傳輸至次級(jí)端,并且對(duì)COSS持續(xù)充電,因?yàn)槁╇姼蠰lk仍有一些剩余能量。當(dāng)Q1的vDS(t)增加至Vin+Vsn,緩沖器二極管Dsn接通,vDS(t)箝位在Vin+Vsn。當(dāng)Dsn傳導(dǎo)時(shí),Llk上的電壓為Vsn-nVout,這樣Dsn(ts)的導(dǎo)通時(shí)間可獲取如下:

          (1)

          其中Ipeak是關(guān)閉開(kāi)關(guān)Q1之前的峰值漏極電流。有兩種方式計(jì)算緩沖器網(wǎng)絡(luò)中的功耗(Psn);通過(guò)Dsn提供的電源和Rsn中的功耗,如下所示:

          (2)

          其中fsw是反激式轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)頻率。因此,緩沖器電阻Rsn可由下列等式獲得:

          (3)

          這是查找緩沖器電阻Rsn的傳統(tǒng)方式。但是,L-C諧振幾步后,峰值漏極電流Ipeak被降低了一些。因此,等式(3)可能誤導(dǎo)被過(guò)度設(shè)計(jì)的系統(tǒng)。

          讓我們使用諧振坐標(biāo)得出實(shí)際峰值漏極電流,以避免在下一節(jié)過(guò)度設(shè)計(jì)RCD緩沖器。

          2.2 諧振坐標(biāo)中的RCD緩沖器設(shè)計(jì)和分析

          本節(jié)將使用諧振坐標(biāo)設(shè)計(jì)RCD緩沖器。僅設(shè)計(jì)緩沖器時(shí),無(wú)需分析整個(gè)反激式操作模式。圖3顯示每個(gè)模式的等效電路,圖4顯示反激式轉(zhuǎn)換器中的開(kāi)關(guān)MOSFET的vDS(t)。


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