對芯片的任何一個允許寫入或擦除的區(qū)域，其執(zhí)行寫入和擦除的必要條件是芯片的SV標(biāo)志為“1”狀態(tài)。

　　注:在CLK為低的狀態(tài)下，PGM端從“0”到“1”，并延時一段“編程建立時間”(Tspr)之后，CLK端從“0”到“1”(這時是寫入/擦除操作的開始)，在此刻之前的Tds(數(shù)據(jù)建立時間)由外部向I/O線給出寫入數(shù)據(jù)。CLK端在“1”狀態(tài)應(yīng)至少保持5ms(Tchp)之后，CLK端從“1”到“0”(這時是寫入/擦除操作的結(jié)束)。應(yīng)特別注意結(jié)束寫入操作的CLK端的下降沿并不會使地址計(jì)數(shù)器加1，而只是將剛寫入的“數(shù)據(jù)”讀出， 以便外部驗(yàn)證剛才的“寫入操作”。

　　WICD: MOV A,#KDWDZ ;送擦除卡低位首地址

　　LCALL SADR ;尋位地址

　　MOV R2,#30 ;擦除30字節(jié)

　　LCALL CPESC3 ;擦除

　　MOV R0,#RAMDZ ;CPU的RAM中待寫

　　入數(shù)據(jù)地址

　　MOV R2,#30 ;寫入30字節(jié)

　　WICDA: MOV A,@R0

　　LCALL WICDAA

　　INC R0

　　DJNZ R2,WICDA

　　RET

　　; 向IC卡寫入子程序

　　WICDAA: MOV R3,#08

　　WICDAB: RLC A

　　JC WICDAC ;該位為1,轉(zhuǎn)

　　SETB ICPGM ;打開編程位

　　SETB ICPGM

　　MOV ICSDA,C

　　MOV ICSDA,C

　　SETB ICCLK

　　SETB ICCLK

　　CLR ICPGM ;關(guān)閉編程位

　　CLR ICPGM ;關(guān)閉編程位

　　LCALL DELY5 ;延時5MS

　　CLR ICCLK

　　CLR ICCLK

　　WICDAC: SETB ICCLK

　　SETB ICCLK

　　CLR ICCLK

　　DJNZ R3,WICDAB

　　RET

　　; 擦除應(yīng)用區(qū)1

　　CPESC3: SETB ICPGM ;打開編程位,擦除灰名

　　單入口

　　SETB ICPGM

　　SETB ICSDA

　　SETB ICSDA

　　SETB ICCLK

　　SETB ICCLK

　　CLR ICPGM ;關(guān)閉編程位

　　LCALL DELY5 ;延時5MS

　　CLR ICCLK

　　CLR ICCLK

　　SETB ICCLK

　　SETB ICCLK

　　CLR ICCLK

　　MOV R3,#07

　　CPESC4: SETB ICCLK

　　SETB ICCLK

　　CLR ICCLK

　　CLR ICCLK

　　DJNZ R3,CPESC4

　　DJNZ R2,CPESC3

　　RET

　　; 延時(R7)

　　DELY5: MOV R7,#0AH ;5毫秒延時

　　DELY: PUSH 07

　　DLY1: PUSH 07

　　DLY2: PUSH 07

　　DLY3: DJNZ R7,DLY3

　　POP 07

　　DJNZ R7,DLY2

　　POP 07

　　DJNZ R7,DLY1

　　POP 07

　　DJNZ R7,DELY

　　RET

　　結(jié)束語

　　隨著IC卡技術(shù)的飛速發(fā)展,金融機(jī)構(gòu)、國家機(jī)關(guān)、公司企業(yè)、教育部門等領(lǐng)域的需求越來越迫切，應(yīng)用越來越廣泛。