3-2-2、氮化鋁陶瓷基板

　　而在更高功率LED應用的前提下，具高導熱S數的氮化鋁(170-230W/mK)將是散熱基板的首選材質，但厚膜印刷之金屬層(如高溫銀膠)多需經過高溫(高于800oC)燒結工藝，此高溫燒結工藝于大氣環(huán)境下執(zhí)行易導致金屬線路與氮化鋁基板間產生氧化層，進而影響線路與基板之間的附著性；然而，薄膜工藝則在300℃以下工藝之條件下備制，無氧化物生成與附著性不佳之疑慮，更可兼具線路尺寸與高精準度之優(yōu)勢。薄膜工藝為高功率氮化鋁陶瓷LED散熱基板創(chuàng)造更多應用空間。

　　4、結論

　　以上我們已將LED散熱基板在兩種不同工藝上做出差異分析，以薄膜工藝備制陶瓷散熱基板具有較高的設備與技術，需整合材料開發(fā)門檻，如曝光、真空沉積、顯影、蒸鍍(Evaporation)、濺鍍(Sputtering)電鍍與無電鍍等技術，以目前的市場規(guī)模，薄膜產品的相對成本較高，但是一旦市場規(guī)模達到一定程度時，必定會反映在成本結構上，相對的在價格上與厚膜工藝的差異將會有大幅度的縮短。

　　在高效能、高產品品質要求與高生產架動的高功率LED陶瓷基板的發(fā)展趨勢之下，高散熱效果、高精準度之薄膜工藝陶瓷基板的選擇，將成為趨勢，以克服目前厚膜工藝產品所無法突破的瓶頸。因此，可預期的薄膜陶瓷基板將逐漸應用在高功率LED上，并隨著高功率LED的快速發(fā)展而達經濟規(guī)模，此時不論高功率LED芯片、薄膜型陶瓷散熱基板、封裝工藝成本等都將大幅降低，進而更加速高功率LED產品的量化。