MOCVD技術(shù)在光電薄膜中的應(yīng)用
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5、多種襯底上異質(zhì)材料的生長同時并進開發(fā)，GaAs技術(shù)目前最為成熟，充分發(fā)揮InP襯底的優(yōu)異性能，挖掘lnP襯底的潛力的研究正在廣泛進行;
6、寬帶隙的材料研究受到高度重視，特別是以CaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料的研究，已成為各國業(yè)內(nèi)科學(xué)家研發(fā)的熱點;SiC材料已研制成功許多性能優(yōu)異的器件，如MOSFET、MESFET、JFET等。
MOCVD技術(shù)在半導(dǎo)體材料和器件及薄膜制備方面取得了巨大的成功。盡管如此，MOCVD仍是一種發(fā)展中的半導(dǎo)體超精細加工技術(shù)，MOCVD技術(shù)的進一步發(fā)展將會給微電子技術(shù)和光電子技術(shù)帶來更廣闊的前景。
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