增強型ClearNAND閃存

　　圖4所示為增強型ClearNAND閃存的架構(gòu)。它支持1個ONFI 2.2接口和速度高達200MT/s的指令、地址和數(shù)據(jù)總線。VDDI去耦電容常見于e?MMC產(chǎn)品和內(nèi)含控制器的其它閃存，用于對內(nèi)部穩(wěn)壓器進行去耦。為向后兼容傳統(tǒng)NAND閃存，VDDI連接放置在一個閑置引腳上。ClearNAND控制器支持兩條內(nèi)部閃存總線，其中一條用于連接偶數(shù)編號的邏輯單元(LUN)，另一條則連接奇數(shù)編號的邏輯單元。這兩條獨立閃存總線的速度高達200MT/s。此外，每條總線都配有各自的ECC引擎，可在兩條總線上同時管理讀操作或?qū)懖僮鳌？梢灶A見，未來的控制器還將支持面向400MT/s的ONFI 3接口規(guī)范。

　　下面將討論增強型ClearNAND提供的四項高級功能：卷尋址、電子數(shù)據(jù)映像、中斷功能和內(nèi)部回寫(copyback)。

　　卷尋址

　　卷尋址允許一個片選或芯片啟動信號(CE#)對16個ClearNAND卷進行尋址。每個 ClearNAND控制器支持在一個MCP封裝內(nèi)堆疊8個裸片。ClearNAND控制器為主處理器或SSD控制器存取操作提供一個緩沖區(qū)。

　　如圖5所示，增強型ClearNAND設(shè)計將存儲容量擴大八倍，同時保持或提升了信號完整性，并減少了所需的有效芯片使能數(shù)量。這是因為對于SSD控制器，一個ClearNAND控制器僅代表一個負載，但是在一個MCP封裝內(nèi)最多可支持八個NAND裸片。