設計中，根據IXYS公司IXFN50N80Q2芯片手冊中提供的ID-VDS，ID-VGS和Cap-VDS等特性曲線及相關參數，利用saber提供的Model Architect菜單下Power MOSFET Tool建立IXFN50N80Q2仿真模型，圖5-1所示MOSFET DC Characteristics設置，圖5-2所示MOSFET Capacitance Characteristics設置，Body Diode 參數采用默認設置。

　　首先驗證Rg、Vgs、Vds關系，仿真電路如圖

　　這里電路中加入了一定的電感Lg，仿真電路寄生電感，取值是0.05uH，有沒有什么依據?我當時是想導線計算電感的時候好像是要加上0.05u，就放了個0.05u。

　　仿真過程是，Rg分別取1歐姆，到10歐姆，到100歐姆。驗證Rg取值對驅動波形Vgs和開關導通特性Vds影響。結果如下圖：

　　可以看出，不同Rg阻值對MOSFET IXFN50N80Q2 的影響。設計中，取Rg=10，取Rg=1，擔心過沖擊穿Vgs，取100，上升沿速度太慢，不滿足高速應用。

　　下邊討論MOSFET串聯(lián)問題。仿真電路如圖：仿真電路中兩路驅動，只有Rg參數不一致，其他均一致。

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