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          飛兆首席技術(shù)長DAN KINZER獲得ISPSD貢獻(xiàn)獎(jiǎng)

          —— 該獎(jiǎng)表彰在擴(kuò)大技術(shù)領(lǐng)域的杰出貢獻(xiàn)
          作者: 時(shí)間:2013-07-25 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            在2013年第25屆功率半導(dǎo)體器件和集成電路國際學(xué)術(shù)研討會(huì)(International Symposium on Power Semiconductor Devices and Integrated Circuits, )上,半導(dǎo)體的首席技術(shù)長Dan Kinzer被授予“貢獻(xiàn)獎(jiǎng)”。

          本文引用地址:http://yuyingmama.com.cn/article/147910.htm

            貢獻(xiàn)獎(jiǎng)于2001年在ISPSD大會(huì)上設(shè)立,頒發(fā)給對(duì)擴(kuò)大技術(shù)領(lǐng)域做出杰出貢獻(xiàn)的成員。在慶祝ISPSD 25周年之際,Dan Kinzer成為獲此殊榮的八位入選者之一,以獎(jiǎng)勵(lì)他20多年來對(duì)ISPSD建立并發(fā)展為功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域世界領(lǐng)先國際學(xué)術(shù)研討會(huì)做出的努力和貢獻(xiàn)。

            Dan Kinzer于2007年加盟半導(dǎo)體,擔(dān)任產(chǎn)品和技術(shù)開發(fā)部的高級(jí)副總裁,并于2010年12月被任命為首席技術(shù)長兼技術(shù)高級(jí)副總裁。他的職責(zé)包括領(lǐng)導(dǎo)半導(dǎo)體器件、工藝和包裝技術(shù)開發(fā)。此外,他還負(fù)責(zé)技術(shù)戰(zhàn)略、技術(shù)人員招聘和發(fā)展以及與技術(shù)相關(guān)的業(yè)務(wù)和制造戰(zhàn)略。他還領(lǐng)導(dǎo)碳化硅技術(shù)開發(fā)。

            Kinzer先生是100多個(gè)美國專利和多個(gè)國際專利的發(fā)明者、數(shù)篇科學(xué)和貿(mào)易文章的作者、ISPSD的大會(huì)主席以及IEEE和EDS的成員。他于1978年在普林斯敦大學(xué)航空航天和機(jī)械系獲得BSE學(xué)位,主修工程物理學(xué)。

            ISPSD是電源設(shè)備各研究和開發(fā)領(lǐng)域的研究人員、工程師、科學(xué)家和專家的國際會(huì)場(chǎng),電源設(shè)備和領(lǐng)域?qū)<覅R聚一堂,以增強(qiáng)并推動(dòng)功率電子及其應(yīng)用的研究和開發(fā)。ISPSD展示豐富的技術(shù)成果,已成為電源設(shè)備和領(lǐng)域的世界領(lǐng)先大會(huì),我們期待今年大會(huì)同樣大獲成功。



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