國(guó)際整流器公司（IR）近日推出IRAUDAMP3 D類(lèi)音頻參考設(shè)計(jì)。這款全新的小型參考設(shè)計(jì)采用IRS20124S高壓模擬IC及IRF6645 DirectFET ®功率MOSFET，可實(shí)現(xiàn)無(wú)散熱器的120W 六通道半橋D類(lèi)音頻功率放大器。 

  IR公司節(jié)能產(chǎn)品部副總裁譚仲能先生指出：“通過(guò)采用業(yè)界領(lǐng)先的功率MOSFETS對(duì)我們的D類(lèi)音頻高壓集成電路進(jìn)行優(yōu)化，IRAUDAMP3能夠?yàn)槲覀兊目蛻籼峁╋@著的性能和尺寸方面的優(yōu)勢(shì)?！?nbsp;

  集成了IRS20124S高壓集成電路的參考設(shè)計(jì)具有內(nèi)部可選死區(qū)時(shí)間發(fā)生電路，可以防止噪聲和電源電壓波動(dòng)，有助于在60W、4Ω的情況下實(shí)現(xiàn)0.01%的總諧波失真（THD），而在120W、4Ω單通道可實(shí)現(xiàn)94%的效率。此外，該集成電路還內(nèi)置了雙電流感測(cè)和集成的關(guān)斷功能，在出現(xiàn)揚(yáng)聲器引線短路等過(guò)流狀況時(shí)保護(hù)輸出MOSFET。 

  IRAUDAMP3的占板面積為4.5平方英寸，也采用了IRF6645 DirectFET 功率MOSFET。創(chuàng)新的DirectFET封裝技術(shù)通過(guò)降低引線電感提高了開(kāi)關(guān)性能，并降低了EMI噪聲，從而提高了D類(lèi)音頻放大器電路的性能。其較高的熱性能有助于實(shí)現(xiàn)4Ω阻抗下的120W運(yùn)行，而無(wú)需使用散熱器，這樣不僅縮小了電路尺寸，還為設(shè)計(jì)師作電路布局提供了更大的靈活性，降低了放大器系統(tǒng)的總體成本。