2012年2月27日，2012年世界移動(dòng)通信大會(huì)(MWC2012)在巴塞羅那隆重舉行，世界移動(dòng)通信大會(huì)是全球規(guī)模最大的通信年度盛會(huì)。

　　國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的移動(dòng)通信終端芯片解決方案廠(chǎng)商創(chuàng)毅聯(lián)合中國(guó)移動(dòng)在MWC2012上共同演示了LTE多模、單模數(shù)據(jù)卡和CPE等多款終端產(chǎn)品，其中TD-LTE多模數(shù)據(jù)卡既支持TDD/FDD共模，也向下支持TD-SCDMA、GSM多模制式，TDD/FDD 共模為TD-LTE標(biāo)準(zhǔn)的國(guó)際化推廣提供了強(qiáng)有力的支撐，而兼容TDS/GSM將助力2G，3G市場(chǎng)向TD-LTE的平滑演進(jìn)。

　　該多模數(shù)據(jù)卡采用了創(chuàng)毅40nm工藝 WarpDrive 5000基帶芯片，支持FDD /TD-LTE/TDS/GSM/GPRS/EDGE 多模制式，最高可實(shí)現(xiàn)150Mbps的下載速率和50Mbps的上傳速率，支持700M~3.5GHz全頻段，可實(shí)現(xiàn)TD-SCDMA/GSM雙模自動(dòng)切換。WarpDrive 5000采用超低功耗設(shè)計(jì)，支持多種上下行配比及同頻、異頻測(cè)量和切換，支持CAT4速率等級(jí)，下行高達(dá)150Mbps，值得一提的是該款產(chǎn)品是全球第一款支持先進(jìn)的雙流波束賦形TM8傳輸技術(shù)的基帶芯片。

　　作為國(guó)內(nèi)主要的TD-LTE芯片供應(yīng)商，創(chuàng)毅早在2007 年就啟動(dòng)了TD-LTE 終端基帶芯片研發(fā)項(xiàng)目。2010 年4 月創(chuàng)毅成功推出全球首枚TD-LTE 終端芯片與終端數(shù)據(jù)卡，并服務(wù)于2010 年上海世博會(huì)。2011年5月創(chuàng)毅率先入選由工信部組織的“6+1”城市TD-LTE 第一階段規(guī)模技術(shù)試驗(yàn)網(wǎng)測(cè)試，并在廈門(mén)，廣州，杭州，南京，深圳，與多家系統(tǒng)廠(chǎng)商展開(kāi)測(cè)試，2011年底，創(chuàng)毅又成為首批入圍第二階段TD-LTE 規(guī)模技術(shù)試驗(yàn)網(wǎng)測(cè)試的芯片廠(chǎng)商。同時(shí)，創(chuàng)毅也在加速支持4G標(biāo)準(zhǔn)TD-LTE-Advanced的基帶芯片研發(fā)進(jìn)度，預(yù)計(jì)將在2013年推出支持TD-LTE-A的基帶芯片。

　　隨著2012年TD-LTE試點(diǎn)城市規(guī)模試驗(yàn)第二階段的開(kāi)始，TDD與FDD共模，并兼容現(xiàn)有的2G和3G制式，從而為T(mén)D-LTE終端產(chǎn)品預(yù)商用奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)將成為中國(guó)移動(dòng)TD-LTE規(guī)模試驗(yàn)網(wǎng)測(cè)試的主要內(nèi)容。與此相對(duì)應(yīng)，多模TD-LTE終端芯片將成為市場(chǎng)的主流趨勢(shì)，在未來(lái)較長(zhǎng)一段時(shí)間，是否同時(shí)支持FDD并兼容2G和3G 制式將成為檢驗(yàn)TD-LTE芯片技術(shù)成熟與否的一個(gè)重要標(biāo)準(zhǔn)。