日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以擴充用于低電壓DC/DC轉(zhuǎn)換器應用的PowerPAIR家族雙芯片不對稱功率MOSFET。新器件擴大了該系列產(chǎn)品的電壓和封裝占位選項，使Vishay成為3mm x 3mm、6mm x 3.7mm和6mm x 5mm PowerPAIR尺寸規(guī)格產(chǎn)品的獨家供應商。

　　采用PowerPAIR 3 x 3封裝的30V SiZ300DT和采用PowerPAIR 6 x 5封裝的SiZ910DT提供了新的占位面積選項，擴充了該系列產(chǎn)品。SiZ300DT定位在需要處理10A和以下電流的DC/DC應用，SiZ910DT適用于20A以上的應用。PowerPAIR 3 x 3的面積大約是PowerPAIR 6 x 5的1/3。

　　采用PowerPAIR 6 x 3.7封裝的三款新器件是業(yè)內(nèi)首批產(chǎn)品，再加上此前推出的SiZ710DT，使這種尺寸規(guī)格器件的電壓范圍從20V擴展到30V。新的SiZ728DT是首款25V PowerPAIR 6 x 3.7器件，SiZ790DT是采用這種尺寸規(guī)格并提供一個板上肖特基二極管的首款器件。SiZ730DT是首個具有最低RDS(on)的30V PowerPAIR 6 x 3.7器件。

　　下表提供了所有五款新器件及SiZ710DT的詳細性能規(guī)格。

　　Vishay Siliconix PowerPAIR 家族中的各款器件將兩個MOSFET以最優(yōu)的方式組合在單片封裝內(nèi)，幫助簡化高效同步降壓單相和多相DC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計。通過增大低邊MOSFET的尺寸以實現(xiàn)更低的傳導損耗，器件的不對稱配置有效提高了性能表現(xiàn)。Vishay充分發(fā)揮TrenchFET Gen III技術(shù)和PowerPAIR的不對稱特點，將低邊MOSFET的最大導通電阻降至3m?，比同檔的不對稱器件降低了幾乎50%。

　　PowerPAIR器件為設(shè)計者提供了兩個封裝在一起的MOSFET，能夠簡化PCB布線并減少寄生電感，從而幫助降低開關(guān)損耗并提高效率。

　　新的PowerPAIR器件將在各種電子產(chǎn)品中更有效地使用能源和空間，這些產(chǎn)品包括筆記本電腦和桌面電腦、服務器、游戲機、機頂盒、電視機和調(diào)制解調(diào)器。