全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布擴(kuò)大了旗下包括邏輯電平器件系列在內(nèi)的 40V 至 100V 汽車專用 MOSFET 組合。新系列 MOSFET 適合傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī) (ICE) 平臺以及微型混合動力和全混合動力平臺上的重載應(yīng)用。

　　經(jīng)過優(yōu)化的新型車用 MOSFET 系列在 55V 電壓下可提供低至8 mΩ 的導(dǎo)通電阻(RDS(on))。此外，邏輯電平 MOSFET 器件簡化了柵極驅(qū)動需求，同時減少了電路板占用空間和元件數(shù)量。

　　IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“我們擴(kuò)充后的包括邏輯電平器件在內(nèi)的車用 MOSFET 系列，為客戶在選擇符合其設(shè)計要求的電壓、封裝和功能方面提供了更好的選擇，而 IR 經(jīng)過驗證的硅技術(shù)更為客戶提供了保證。”

　　新系列 MOSFET 采用 AU Gen 10.2 溝道技術(shù)開發(fā)。所有 IR 車用 MOSFET 產(chǎn)品都遵循 IR 要求零缺陷的汽車質(zhì)量理念，并經(jīng)過了動態(tài)和靜態(tài)器件平均測試及 100% 自動晶圓級目視檢查。AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)要求器件在經(jīng)過1, 000 次溫度循環(huán)測試后，導(dǎo)通電阻變化幅度不能超過 20%。然而，經(jīng)過延長測試后，IR 的新款A(yù)U 材料在 5,000 次溫度循環(huán)時的最大導(dǎo)通電阻變化只有 12%，體現(xiàn)了這款材料的高強(qiáng)度和耐用性。

　　新器件符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，所采用的環(huán)保材料既不含鉛，也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布擴(kuò)大了旗下包括邏輯電平器件系列在內(nèi)的 40V 至 100V 汽車專用 MOSFET 組合。新系列 MOSFET 適合傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī) (ICE) 平臺以及微型混合動力和全混合動力平臺上的重載應(yīng)用。

　　經(jīng)過優(yōu)化的新型車用 MOSFET 系列在 55V 電壓下可提供低至8 mΩ 的導(dǎo)通電阻(RDS(on))。此外，邏輯電平 MOSFET 器件簡化了柵極驅(qū)動需求，同時減少了電路板占用空間和元件數(shù)量。

　　IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“我們擴(kuò)充后的包括邏輯電平器件在內(nèi)的車用 MOSFET 系列，為客戶在選擇符合其設(shè)計要求的電壓、封裝和功能方面提供了更好的選擇，而 IR 經(jīng)過驗證的硅技術(shù)更為客戶提供了保證。”

　　新系列 MOSFET 采用 AU Gen 10.2 溝道技術(shù)開發(fā)。所有 IR 車用 MOSFET 產(chǎn)品都遵循 IR 要求零缺陷的汽車質(zhì)量理念，并經(jīng)過了動態(tài)和靜態(tài)器件平均測試及 100% 自動晶圓級目視檢查。AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)要求器件在經(jīng)過1, 000 次溫度循環(huán)測試后，導(dǎo)通電阻變化幅度不能超過 20%。然而，經(jīng)過延長測試后，IR 的新款A(yù)U 材料在 5,000 次溫度循環(huán)時的最大導(dǎo)通電阻變化只有 12%，體現(xiàn)了這款材料的高強(qiáng)度和耐用性。

　　新器件符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，所采用的環(huán)保材料既不含鉛，也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。