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          TD-LTE試驗(yàn)?zāi)陜?nèi)啟動(dòng)

          —— 終端芯片滯后成瓶頸
          作者: 時(shí)間:2010-11-10 來(lái)源:飛象網(wǎng) 收藏

            11月10日消息,飛象網(wǎng)在“新一代寬帶無(wú)線移動(dòng)通信國(guó)際論壇”上獲悉,在前期小規(guī)模室內(nèi)室外試點(diǎn)測(cè)試的基礎(chǔ)上,規(guī)模技術(shù)試驗(yàn)有望在今年年底啟動(dòng)。

          本文引用地址:http://yuyingmama.com.cn/article/114395.htm

            滿足2×2技術(shù)要求方可啟動(dòng)

            據(jù)悉,此次規(guī)模試驗(yàn)將在3個(gè)以上的城市開展,采用室內(nèi)2.3GHz、室外2.6GHz的頻譜利用原則,前期以單模測(cè)試為主,后續(xù)產(chǎn)業(yè)條件許可后再進(jìn)行多模測(cè)試。

            對(duì)于啟動(dòng)規(guī)模試驗(yàn)的條件,工信部電信研究院副總工王志勤表示,須滿足2×2的技術(shù)要求,即至少有兩家系統(tǒng)設(shè)備和兩家達(dá)到設(shè)備及系統(tǒng)互操作要求方可規(guī)模試驗(yàn)。

            為保障規(guī)模試驗(yàn)的順利進(jìn)行,今年8月,工信部專門成立了規(guī)模技術(shù)試驗(yàn)領(lǐng)導(dǎo)小組,統(tǒng)一領(lǐng)導(dǎo)試驗(yàn)工作,并負(fù)責(zé)全面組織協(xié)調(diào)TD-LTE研發(fā)產(chǎn)業(yè)化、國(guó)際推廣等重大問題。

            今年9月,工信部發(fā)布了《關(guān)于2.6GHz頻段時(shí)分雙工方式國(guó)際移動(dòng)通信系統(tǒng)頻段規(guī)劃事宜的通知》,文件中確定了2.57~2.62GHz共50M頻段用于TDD方式的移動(dòng)通信系統(tǒng)。

            在這一《通知》的指導(dǎo)下,工信部、中移動(dòng)近期又聯(lián)合各大廠商開始了基于2.6GHz頻段的相關(guān)測(cè)試,9月底2.6GHz試驗(yàn)網(wǎng)的建設(shè)和調(diào)試工作已完成。

            談及2.6GHz測(cè)試的要求時(shí),王志勤表示,在單系統(tǒng)、芯片方面的測(cè)試要求和2.3GHz類似,都是先室內(nèi)后室外。據(jù)了解,目前TD-LTE工作組在完成2.3GHz的TD-LTE技術(shù)試驗(yàn)測(cè)試基礎(chǔ)上,已全面轉(zhuǎn)向2.6GHz的測(cè)試。

            滯后

            對(duì)于目前國(guó)內(nèi)TD-LTE產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀,王志勤認(rèn)為稍顯失衡:全球系統(tǒng)廠商全面加入了TD-LTE設(shè)備的研發(fā),你追我國(guó)的局面已經(jīng)形成,研發(fā)水平也基本與FDD同步;但在領(lǐng)域,推進(jìn)速度滯后,尤其是多模多頻芯片更是欠缺。

            據(jù)了解,在2.3GHz頻段上,只有海思、創(chuàng)毅視訊、Sequans、三星、中興微電子五家芯片廠商提供了產(chǎn)品進(jìn)行功能、性能、射頻等參數(shù)的測(cè)試,并與多個(gè)系統(tǒng)進(jìn)行了互操作測(cè)試。聯(lián)芯、重郵新科、展訊這些在TD上表現(xiàn)可圈可點(diǎn)的芯片企業(yè),目前尚未有TD-LTE芯片測(cè)試產(chǎn)品提供。不過值得一提的是,作為CDMA領(lǐng)域的基帶芯片巨頭,高通也將于近期首次提供TD-LTE芯片產(chǎn)品進(jìn)行互操作測(cè)試。

            相比之下,基于2.6GHz的終端芯片更為匱乏。目前只有海思一家提供了相關(guān)產(chǎn)品在進(jìn)行功能測(cè)試。

            對(duì)此,大唐電信副總陳山枝坦言,考慮到芯片、工藝等各方面因素,TD-LTE手機(jī)要真正達(dá)到商用成熟標(biāo)準(zhǔn),估計(jì)要到2013年。



          關(guān)鍵詞: TD-LTE 終端芯片

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