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          IR推出100V集成MOSFET解決方案

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          作者: 時間:2005-12-23 來源: 收藏

          本文引用地址:http://yuyingmama.com.cn/article/10421.htm

          為PoE應用節(jié)省80%的占位空間

          國際整流器公司近日推出F4000型100V器件。該器件將4個HEXFET  集成在一個功率MLP封裝內(nèi),可滿足以太網(wǎng)供電(Power-over-Ethernet,簡稱PoE)應用的需求。這款新器件符合針對網(wǎng)絡和通信基礎設施系統(tǒng)的IEEE802.3af標準,例如以太網(wǎng)交換器、路由器和集線器等,可提供每端口15W的功率,并能取代4個獨立SOT-223封裝的。其減少的占位面積相當于節(jié)省了80%的空間,或相當于典型48端口電路板中3平方英寸的占板面積。

          中國及香港銷售總監(jiān)嚴國富指出:“PoE卡的每個端口都需要有各自的F4000正好可以滿足這種需要。與使用單獨MOSFET的相比,它能大幅度減少零件數(shù)目,同時簡化制造工藝,可在48端口系統(tǒng)中節(jié)省36個插入元件?!?

          IEEE 802.3af提出了在網(wǎng)絡系統(tǒng)中由電源設備通過局域網(wǎng)向用電裝置供電的標準。IR的這款新型MOSFET的工作類似一個熱交換場效應管,在受控環(huán)境下,可將電力由電源設備輸送到用電裝置。由于它必須在線性區(qū)域工作,工作環(huán)境也非常嚴峻,因此必須設置一個高度穩(wěn)定的安全工作區(qū)域(SOA)。

          IRF4000采用低跨導硅技術,封裝熱阻約1



          關鍵詞: IR MOSFET 解決方案

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