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          用于確保信號完整性的ESD保護(hù)器件新結(jié)構(gòu)

          —— New Structure of ESD Protection Device to Ensures Signal Integrity
          作者:周智勇 特約撰稿人 時間:2009-12-11 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            隨著視頻圖像分辨率以及色彩深度的提高,數(shù)字視頻信號的速率呈現(xiàn)越來越高的趨勢,(靜電放電)保護(hù)器件作為高速數(shù)字信號接口如、DVI、USB等中必不可少的模擬元器件,一種發(fā)展趨勢是采用IC制造工藝做成集成在單一芯片中的保護(hù)器件陣列;另一種是采用分立元件制造工藝,做成分立的保護(hù)器件。

          本文引用地址:http://yuyingmama.com.cn/article/101086.htm

            ESD保護(hù)器件的新材料以及制造工藝的發(fā)展驅(qū)動力在于,既要具備很高的抗靜電放電的能力,又要具有超低的電容。

            傳統(tǒng)ESD保護(hù)器件的局限性

            最常見的ESD保護(hù)器件可以分為三類:聚合體、變阻器/抑制器以及二極管。

            聚合體器件

            聚合體因具有低于0.05~1.0 pF數(shù)量級的電容,它在高頻應(yīng)用中似乎具有吸引力,但是,這種低電容特性也帶來了一些副作用。

            聚合體擊穿的觸發(fā)電平遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于鉗位電平,典型的聚合體ESD保護(hù)器件的擊穿電壓高達(dá)500V,擊穿之后迅速回復(fù)至高達(dá)150V的鉗位電平。當(dāng)電荷被釋放后,聚合體才恢復(fù)高阻狀態(tài),這就需要花費很長的恢復(fù)時間。

            變阻器和抑制器

            變阻器和抑制器是非線性可變電阻器。抑制器存在的問題在于觸發(fā)電壓高、鉗位電壓高以及電阻高,典型的低電容抑制器的鉗位電壓范圍150~500V,動態(tài)電阻在20~40Ω之間,從而導(dǎo)致大部分能量能夠抵達(dá)受保護(hù)器件,而不是被旁路到地。此外,變阻器和抑制器存在的最大問題是每次ESD沖擊之后,器件的電特性會發(fā)生變化,包括電容參數(shù)。

            二極管

            ESD保護(hù)二極管具有低的鉗位電壓、低電阻以及快速開啟時間和更高的可靠性等特點,因此,能提供最佳的保護(hù)特性,最新的ESD保護(hù)二極管已經(jīng)可以做到低于1pF的電容,因此,使之成為ESD保護(hù)的理想選擇之一。許多公司提供針對ESD保護(hù)的二極管陣列??墒?,片上ESD保護(hù)二極管存在的問題在于要進(jìn)一步提高抗ESD沖擊的能力有限,它更適合于便攜式產(chǎn)品。

            隨著數(shù)字信號速率的提高,傳統(tǒng)的ESD保護(hù)器件均存在一定的局限性,因此,有必要研究更為有效的ESD保護(hù)器件的新結(jié)構(gòu)和新材料。

            確保對保護(hù)器件的

            3個要求

            ESD保護(hù)器件的設(shè)計和制造除了要遵循ESD保護(hù)準(zhǔn)則之外,同等重要的就是ESD保護(hù)器件必須符合數(shù)據(jù)傳輸過程中確保的要求。

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