2008年12月8日，中芯宣布首批45納米產(chǎn)品通過良率測(cè)試 作者： 時(shí)間：2009-12-04 來源：電子產(chǎn)品世界 加入技術(shù)交流群 掃碼加入和技術(shù)大咖面對(duì)面交流海量資料庫(kù)查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 2008年12月8日，中芯國(guó)際集成電路制造有限公司宣布其第一批45納米產(chǎn)品已成功通過良率測(cè)試，此時(shí)距2007年12月該公司與IBM簽訂45納米低功耗和高性能bulkCMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)技術(shù)許可協(xié)議不到1年時(shí)間。
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