近日，在北京大學(xué)2025年研究生畢業(yè)典禮上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)首席科學(xué)家、北大校友霍宗亮表示，我國(guó)的三維閃存芯片技術(shù)從無到有、從落后到趕超，實(shí)現(xiàn)了跨越式的發(fā)展。

資料顯示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立于2016年7月，是一家集芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造、封裝測(cè)試及系統(tǒng)解決方案產(chǎn)品于一體的存儲(chǔ)器IDM企業(yè)，主要為全球合作伙伴提供3D NAND閃存晶圓及顆粒，嵌入式存儲(chǔ)芯片以及消費(fèi)級(jí)、企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤等產(chǎn)品和解決方案，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通信、消費(fèi)數(shù)碼、計(jì)算機(jī)、服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。

2014年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存項(xiàng)目正式啟動(dòng)；2017年10月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)通過自主研發(fā)和國(guó)際合作相結(jié)合的方式，成功設(shè)計(jì)制造了中國(guó)首款3D NAND閃存；2020年4月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布第三代TLC/QLC兩款產(chǎn)品研發(fā)成功，其中X2-6070型號(hào)作為首款第三代QLC閃存，擁有發(fā)布之時(shí)業(yè)界最高的I/O速度，最高的存儲(chǔ)密度和最高的單顆容量。

此外，目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)旗下零售存儲(chǔ)品牌—致態(tài)，旗下產(chǎn)品主要包括固態(tài)硬盤、移動(dòng)固態(tài)硬盤及存儲(chǔ)卡等，均采用基于晶棧?Xtacking?創(chuàng)新架構(gòu)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)原廠顆粒。