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          高頻應(yīng)用下的整流橋挑戰(zhàn):MDDEMI優(yōu)化與反向恢復(fù)時(shí)間控制方案

          發(fā)布人:MDD辰達(dá) 時(shí)間:2025-03-12 來源:工程師 發(fā)布文章

          在高頻電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用(如開關(guān)電源、逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng))中,MDD整流橋的選型和設(shè)計(jì)直接影響系統(tǒng)效率和電磁兼容性(EMC)。高頻下的主要挑戰(zhàn)包括EMI(電磁干擾)控制和反向恢復(fù)時(shí)間(trr)優(yōu)化,如果處理不當(dāng),會(huì)導(dǎo)致能量損耗、信號(hào)干擾、甚至器件損壞。MDD在本文探討高頻應(yīng)用下整流橋的EMI優(yōu)化策略及反向恢復(fù)時(shí)間的控制方案。

          1.高頻應(yīng)用中整流橋的挑戰(zhàn)

          (1)EMI問題

          在高頻環(huán)境(&gt;20kHz)下,整流橋的二極管在導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生高頻開關(guān)噪聲,主要表現(xiàn)為:

          共模噪聲:二極管開關(guān)瞬間產(chǎn)生的dv/dt效應(yīng),通過寄生電容耦合到地,形成共模干擾。

          差模噪聲:二極管反向恢復(fù)時(shí)的di/dt引起線路電流突變,形成差模干擾。

          (2)反向恢復(fù)時(shí)間(trr)影響

          在開關(guān)電源或高頻逆變器中,二極管在關(guān)斷時(shí)會(huì)有反向恢復(fù)電流,導(dǎo)致額外損耗和EMI問題。

          傳統(tǒng)硅整流橋的trr通常較長(zhǎng)(幾十到上百納秒),在高頻環(huán)境下易導(dǎo)致寄生振蕩和開關(guān)損耗增加。

          trr越長(zhǎng),反向恢復(fù)損耗越大,導(dǎo)致MOSFET或IGBT的開關(guān)損耗上升,降低系統(tǒng)效率。

          2.EMI優(yōu)化方案

          (1)選用超快恢復(fù)或肖特基整流橋

          ?超快恢復(fù)整流橋(trr≤50ns)

          適用于中等電壓(&lt;600V)的高頻應(yīng)用,如PFC整流、開關(guān)電源輸出整流。

          trr較短,減少反向恢復(fù)引起的EMI問題。

          ?肖特基整流橋(trr≈0ns)

          適用于低壓高頻應(yīng)用(&lt;200V),如DC-DC變換器。

          由于無反向恢復(fù)過程,EMI影響極小,但耐壓較低。

          (2)RC緩沖電路

          ?在整流橋兩端并聯(lián)RC吸收電路(如100Ω+1nF),用于抑制高頻噪聲。

          ?RC緩沖網(wǎng)絡(luò)可有效吸收dv/dt引起的瞬態(tài)電壓尖峰,減少EMI。

          (3)優(yōu)化PCB布局

          縮短整流橋至負(fù)載的走線,降低寄生電感。

          增加地平面,減少共模噪聲的回流路徑。

          使用低ESL(等效串聯(lián)電感)的陶瓷電容做旁路,降低高頻噪聲。

          (4)屏蔽與濾波

          **共模濾波器(如共模扼流圈)**降低高頻干擾。

          屏蔽銅箔或金屬罩減少電磁輻射。

          3.反向恢復(fù)時(shí)間(trr)控制方案

          (1)選擇合適的二極管

          ?低trr超快恢復(fù)整流橋(UF系列)

          適用于高頻AC-DC轉(zhuǎn)換,減少反向恢復(fù)損耗。

          例如UF4007(trr≈75ns)適用于高壓整流,MB6S(trr≈50ns)適用于高頻橋式整流。

          ?SiC(碳化硅)二極管

          trr接近0,適用于高壓高頻應(yīng)用(&gt;600V),如光伏逆變器、PFC電路。

          SiC二極管幾乎無反向恢復(fù)電流,可極大減少EMI和開關(guān)損耗。

          (2)降低開關(guān)頻率

          適當(dāng)降低開關(guān)頻率(如從100kHz降至50kHz),可減少di/dt變化速率,降低EMI影響。

          但需要在EMI與效率之間權(quán)衡,避免影響功率密度。

          (3)增加串聯(lián)電阻

          在二極管陽(yáng)極串聯(lián)小電阻(如10Ω),可減緩di/dt變化,降低反向恢復(fù)峰值電流,減少EMI。

          但需注意功率損耗,適用于小電流應(yīng)用。

          (4)優(yōu)化驅(qū)動(dòng)電路

          采用軟開關(guān)技術(shù)(如ZVS、ZCS),可降低di/dt,減少反向恢復(fù)損耗。

          在PWM驅(qū)動(dòng)MOSFET時(shí),適當(dāng)調(diào)整死區(qū)時(shí)間,避免二極管反向恢復(fù)電流過大。

          4.高頻整流橋的選型建議

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          5.結(jié)論

          高頻應(yīng)用下,整流橋的EMI優(yōu)化和反向恢復(fù)控制是關(guān)鍵設(shè)計(jì)點(diǎn)。通過選擇低trr的二極管(如超快恢復(fù)、肖特基或SiC)、優(yōu)化PCB布局、增加緩沖電路,可以有效減少EMI和功率損耗,提升系統(tǒng)效率。工程師在選型時(shí)應(yīng)結(jié)合開關(guān)頻率、輸入電壓、功率等級(jí),選擇最適合的整流橋方案,以保證系統(tǒng)穩(wěn)定性和可靠性。


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