隨著IT技術的不斷發(fā)展，對于非易失性存儲器的需求越來越大，讀寫速度要求越來越快，功耗要求越來越小，現(xiàn)有的傳統(tǒng)非易失性存儲器，如EEPROM、FLASH等已經(jīng)難以滿足這些需要了。同傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比，鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性，因此受到很大關注。今天Aigtek安泰電子就給大家介紹一下和鐵電材料密切相關的鐵電存儲器（FRAM），以及功率放大器在鐵電存儲器（FRAM）鐵電疇的高壓極化測試中的應用。

　　一、鐵電存儲器的定義

　　鐵電存儲器(FRAM，ferroelectricRAM)是一種隨機存取存儲器，它將動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)的快速讀取和寫入訪問結合起來。由于鐵電存儲器不像動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)和靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)一樣密集，它很可能不能取代這些技術。

　　二、鐵電存儲器的工作原理

　　FRAM利用鐵電晶體的鐵電效應實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲。鐵電效應是指在鐵晶體上施加一定電場時，晶體中心原子在電場的作用下移動，達到穩(wěn)定狀態(tài);當電場從晶體中移除時，中心原子將保持在原始位置。這是因為晶體的中間層是一個高能階，當沒有獲得外部能量時，中心原子不能超過高能階到達另一個穩(wěn)定位置。因此，F(xiàn)RAM不需要電壓來保持數(shù)據(jù)，也不需要像DRAM那樣定期刷新。由于鐵電效應是鐵電晶體所固有的一種偏振極化特性，與電磁作用無關，所以FRAM存儲器的內容不會受到外界條件諸如磁場因素的影響，能夠同普通ROM存儲器一樣使用，具有非易失性的存儲特性。

　　FRAM的特點是速度快，可以像RAM一樣操作，讀寫功耗極低，不存在E2PROM等最大寫作次數(shù)的問題。然而，受鐵晶體特性的限制，F(xiàn)RAM的訪問次數(shù)仍然最多。

　　三、鐵電存儲器應用

　　由于鐵電存儲器可以在非常低的電能需求下快速存儲，因此有望廣泛應用于消費者的小型設備中，如個人數(shù)字助理(PDA)、手機、電源表、智能卡和安全系統(tǒng)。鐵電存儲器(FRAM)比閃存快。在某些應用中，它也可能取代電能擦除只讀存儲器(EEPROM)和靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)，成為未來無線產(chǎn)品的關鍵元件。

　　以上就是關于鐵電存儲器的原理與應用，以及功率放大器在鐵電存儲器（FRAM）鐵電疇的高壓極化測試中的應用的全部內容分享，相信大家看完之后對高壓放大器以及鐵電存儲器有了更深的了解，更多精彩歡迎持續(xù)關注我們。