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          三星正與臺積電聯(lián)手開發(fā)HBM4

          發(fā)布人:芯智訊 時(shí)間:2024-11-05 來源:工程師 發(fā)布文章

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          9月9日消息,據(jù)《韓國經(jīng)濟(jì)日報(bào)》報(bào)道,臺積電生態(tài)系統(tǒng)和聯(lián)盟管理負(fù)責(zé)人 Dan Kochpatcharin上周在 Semicon Taiwan 2024 論壇上表示,三星和臺積電正在聯(lián)手生產(chǎn)無緩沖高帶寬內(nèi)存 (HBM)。

          報(bào)道稱,三星與臺積電的合作將提供 英偉達(dá)(Nvidia)和谷歌(Google) 等客戶要求的“定制芯片和服務(wù)”。

          與現(xiàn)有型號相比,無緩沖 HBM4 的能效將提高 40%,延遲可降低 10%。HBM 已被廣泛用于 AI 計(jì)算。

          雖然在邏輯制程代工方面,三星是臺積電的競爭對手,但臺積電并不生產(chǎn) DRAM。然而,在 AI 處理器協(xié)作中采用多晶粒封裝或者所謂的“Chiplet小芯片先進(jìn)封裝的情況正在增加,其中就包括HBM。

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          并且當(dāng)HBM進(jìn)入到新一代的HBM4時(shí),會采用基于邏輯制程的基礎(chǔ)芯片,使得客戶可以加入自己的IP,以實(shí)現(xiàn)定制化,提升HBM的效率。而對于該邏輯制程的基礎(chǔ)芯片,三星和SK海力士都將允許客戶自行設(shè)計(jì),并可選擇外部的邏輯制程晶圓代工廠來生產(chǎn)。

          相關(guān)文章《三星HBM4將轉(zhuǎn)向Logic Base Die及3D封裝》

          消息人士也表示,雖然三星能夠提供全面的 HBM4 制造服務(wù),包括內(nèi)存生產(chǎn)、(邏輯制程基礎(chǔ)芯片)代工和先進(jìn)封裝,但它希望利用臺積電的技術(shù)來獲得更多客戶。

          此舉是三星可能將是試圖反擊競爭對手 SK 海力士的一個(gè)舉措,后者以 53% 的標(biāo)價(jià)成為領(lǐng)先的 HBM 供應(yīng)商,而三星只有 35%。

          值得注意的是,SK 海力士、三星和美光都在推出 HBM3E DRAM,并計(jì)劃在 2025 年推出 HBM4 格式。SK 海力士最近宣布,它打算開發(fā)下一代HBM,性能將是當(dāng)前產(chǎn)品的20-30倍,并可提供客戶定制的產(chǎn)品。

          編輯:芯智訊-浪客劍


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