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日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出用于遙控系統(tǒng)的新款系列超小型SMD紅外接收器。該系列器件是業(yè)界首個采用兩個光敏二極管及專利技術內部金屬EMI屏蔽的產品，超薄封裝的厚度僅為2.35mm。TSOP75xxxW采用無鏡片設計，實現(xiàn)了業(yè)界最佳的敏感度尺寸比，在在±75°寬的角度內，輻照度為0.3mW/m2～0.7mW/m2。
今天發(fā)布的器件中有三款是自動增益控制(AGC)版本。TSOP752xxW兼容于所有常用紅外遙控數(shù)據(jù)格式。TSOP7
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Vishay SMD 紅外接收器
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出VBPW34x和VBP104x系列高速SMD PIN光敏二極管，新器件采用鷗翼和倒鷗翼型封裝，提供透明環(huán)氧樹脂封裝和具有日光阻斷濾波功能的版本。八款新器件針對煙霧探測、光柵中的探測器，以及各種消費類和工業(yè)應用中的數(shù)據(jù)傳輸進行了優(yōu)化。
VBPW34FAS、VBPW34FASR、VBP104FAS和VBP104FASR光敏二極管具有與紅外發(fā)射器相匹配的日光阻斷濾波器，例如波長為870nm或950nm的Vishay TSFFxxxx
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Vishay 二極管
日前，Vishay宣布推出兩款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB，最大尺寸為1mm x 1 mm x 0.548mm，是迄今為止業(yè)界最小的芯片級功率MOSFET。
在種類繁多的便攜式設備中，20V的P溝道Si8461DB和Si8465DB可用于負載開關、電池開關和充電開關應用。器件的小尺寸和薄厚度有助于減少電源管理電路所占用的空間，以及/或是實現(xiàn)更多的功能。與市場上尺寸與之最接近的芯片級功率MOSFET相比，1mm x 1mm x 0.548mm的M
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Vishay MOSFET Si8461DB Si8465DB
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用glass-to-tantalum新型密封的新系列鉭外殼液鉭電容器 --- 136D。對于高可靠性應用，136D器件可在-55℃～+85℃溫度范圍內工作，在電壓降額的情況下可在+200℃下工作，在120Hz和+25℃條件下的ESR低至0.44Ω。
商用的136D電容器等同于軍用型的CLR90和CLR91器件，軍用型器件是按照軍標MIL-PRF-39006/30和39006/31的性能要求設計的。另外，今天發(fā)布
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Vishay 電容器 電子元件
2009年4月23日—日前，VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代號：VSH)宣布，推出兩款新型液鉭電容器---M34和M35，新器件是業(yè)界首款采用真正可表面貼裝的模壓封裝產品。
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M34和M35液鉭電解芯片電容器集中了所有電解電容器的優(yōu)點，摒棄了大多數(shù)缺點。在相似的電容量和外殼尺寸的情況下，新器件可耐受比其他類型電解電容器更高的紋波電流。此外，M35系列在+85℃溫度下可承受3V的反向電壓。
新器件可以使目前使用Vish
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Vishay 鉭電容器
近日，Vishay Intertechno logy,Inc.宣布推出新系列徑向鋁電容器---EKX系列，這些器件可實現(xiàn)+105°C的高溫運行，且具有低阻抗值以及高電容值及紋波電流。
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Vishay 電容器 EKX
光檢測電路用LED和光檢測器線性陣列來檢測切斷光束的目標;然后，觸發(fā)報警輸出。然而，光檢測電路通常不提供發(fā)生空間的數(shù)據(jù)以指明光束被切斷的位置。本設計增加了位置檢測功能，能告知何處光束被切斷并經RS-232把切斷光束的位置傳送到PC。
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Vishay TSOP6236 IR接收器
Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布其第七代通用高壓電源模塊系列，該系列具有增強的電流處理能力、更輕的重量、更低的熱阻、更高的可靠性及完全無鉛的結構。
第七代模塊均采用與 TO-240AA 兼容的 ADD-A-PAK 封裝，將兩個有源元件整入各系列，并包括標準二極管、可控硅/二極管、可控硅/可控硅及肖特基整流器組合。
新器件具有高達 1600 V 的阻斷電壓、1000 V/µ
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Vishay 電源模塊 RoHS規(guī)定
雖然全球經濟正陷入低迷中，電子行業(yè)也在經歷著嚴峻的挑戰(zhàn)。但作為全球最大的分立器件與無源器件供應商，Vishay并未因此放慢自己的腳步，反而利用其技術上的優(yōu)勢，推出了眾多高性能、低功耗、低成本的產品。在繼續(xù)保持其領導地位的同時，更幫助客戶將Vishay的技術實力轉化為他們自身的競爭力。
在本次IIC期間，Vishay攜帶多款最新產品參展。包括具有 3300μF～72000μF 超高電容范圍的新型HE3液體鉭高能電容器，新器件采用 SuperTan技術，可提供 0.035?
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Vishay IIC
賓夕法尼亞、MALVERN — 2008 年10月29日— 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出一款新型 25V n 通道器件 --- SiR476DP，從而擴展了其 Gen III TrenchFET® 功率 MOSFET 系列，對于采用 PowerPAK® SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業(yè)界最低的導通電阻以及導通電阻與柵極電荷之乘積。
SiR476DP 在 4.5V
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Vishay 柵極驅 降壓轉換器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出業(yè)界首款采用 CLCC-6 及 CLCC-6 扁平陶瓷封裝的高強度白光功率 SMD LED --- VLMW63.. 系列和VLMW64.. 系列。上述系列器件均提供基于藍寶石 InGaN/TAG 技術、2240mcd 至 5600mcd 的高光功率。
新型 VLMW63.. 系列采用 CLCC-6 封裝且具有低達 50k/W 的低熱阻，而采用 CLCC-6 扁平封裝的 VLMW64.. 系列則具有 40k/W 低熱阻及 0.9m
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Vishay 白光 LED 陶瓷封裝
Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布，其 HVArc Guard 表面貼裝 X7R 多層陶瓷芯片電容器 (MLCC) 現(xiàn)可提供可選聚合體端子。該器件專為耐受較高機械應用而設計，旨在減少機械破碎相關的電容器故障。
憑借可選聚合體端子，VJ0805、VJ1206、VJ1210、VJ1808 和 VJ1812 HVArc Guard? MLCC 可減少電容器故障，并通過限制電容器故障節(jié)約保修成本，從而進一步減少電路板上受損元件的數(shù)量或減少對整個設備的損壞。
Visha
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Vishay 電容器 MLCC 轉換器
日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出新型超高精度 Z 箔電阻 —— VPR221Z.此新型器件可提供 ±0.05ppm/°C（當溫度介于 0°C 至 +60°C 之間）及 ±0.2 ppm/°C（當溫度范圍在 55°C 至 +125°C）（參考溫度為 +25°C）的工業(yè)級別絕對 TCR、在 +25°C 時最多 8
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Vishay Z 箔 電阻 超高精度
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出最新小型 4 線 ESD 保護陣列 --- VBUS054CV-HS3，該器件可在高浪涌電流情況下提供低電容，以保護兩個高速 USB 端口或四個其它高頻信號線，以免它們受到瞬態(tài)電壓信號的損壞。
VBUS054CV-HS3 采用占位面積為 1.6mm×1.6mm 且具有 0.75mm 超薄厚度的無鉛 LLP75 封裝，可將眾多便攜式電子設備中的有源 ESD 保護所需的板面空間縮減至最小，這些系統(tǒng)包括便攜式與手持式計算、通
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Vishay ESD 保護陣列 電容
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