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virginia diodes 文章 最新資訊
Diodes霍爾效應(yīng)開(kāi)關(guān)使便攜式產(chǎn)品更趨小巧
- Diodes 公司推出全球體積最小的可編程、全極性霍爾效應(yīng)開(kāi)關(guān)。這款A(yù)H1892器件適用于受空間限制的便攜式及電池驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品,包括平板電腦、智能手機(jī)和攝像機(jī),特別適合接近效應(yīng)與位置檢測(cè)的需要。AH1892是一款微功率器件,采用微型的四引腳0.7 x 0.7 x 0.5毫米U-WLB0707-4封裝,體積比一般三引腳TSOT封裝產(chǎn)品小十七倍。
- 關(guān)鍵字: Diodes AH1892 霍爾效應(yīng)
Diodes推出低功耗高頻頭電源管理及控制集成電路系列
- Diodes公司推出新型的低功耗高頻頭(Low Noise Block,簡(jiǎn)稱LNB)電源管理及控制集成電路系列,適用于機(jī)頂盒、內(nèi)置衛(wèi)星調(diào)頻器的電視,以及計(jì)算機(jī)衛(wèi)星調(diào)諧器卡等不同產(chǎn)品。全新ZLPM8000系列以提升產(chǎn)品效率和可靠性為設(shè)計(jì)原則,務(wù)求為制造商帶來(lái)所需的靈活性,迎合全球衛(wèi)星電視標(biāo)準(zhǔn)的要求。 三款率先面世的單輸出器件包括:高電流ZLPM8010(750mA)及低電流 ZLPM8011(450mA),兩者均功能完備,支持DiSEqC 1與DiSEqC 2標(biāo)準(zhǔn);而低電流ZLPM8012(450
- 關(guān)鍵字: Diodes 電源管理
Diodes微型過(guò)壓鉗有效保護(hù)便攜式設(shè)備
- Diodes公司推出AP9060過(guò)壓鉗位器,用以保護(hù)便攜式應(yīng)用中的電源管理集成電路 (PMIC)。該產(chǎn)品采用1.1 x 1.4 x 0.8毫米的小型 W-DFN1114-3封裝,適用于最新一代的電池供電產(chǎn)品,包括智能手機(jī)、平板電腦及超迷你筆記本電腦。 該新器件能支持很寬的3V至30V的充電器輸出電壓,把通至PMIC的電壓限制在安全的11V鉗位電壓之內(nèi)。AP9060通過(guò)反饋回路控制一個(gè)MOSFET開(kāi)關(guān),有效地維持鉗位電壓水平。該器件使用超低的偏置電流,將自身發(fā)熱量降至最低,從而提升產(chǎn)品的可靠性。
- 關(guān)鍵字: Diodes 電源管理
Diodes:MOSFET控制器提升PSU效率
- Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8,其額定電壓為25V,適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設(shè)計(jì)。這款新品能取代返馳式轉(zhuǎn)換器內(nèi)效率較低的肖特基二極管,并通過(guò)減少多達(dá)70%的整流器損耗,有效提升最高達(dá)3.5%的電源效率。因此,該器件有助電源供應(yīng)系統(tǒng)更容易達(dá)到能源之星V2.0所規(guī)定的電源平均效率需達(dá)到87%的評(píng)級(jí)要求。 這款采用SO8封裝的MOSFET控制器操作電壓范圍寬廣,介于5V至25V之間,可由適配器的19V供電軌直接供電,并且在瞬態(tài)過(guò)壓狀態(tài)下,保證器件正常
- 關(guān)鍵字: Diodes MOSFET 控制器
MOSFET控制器有助提升PSU效率
- Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8,其額定電壓為25V,適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設(shè)計(jì)。這款新品能取代返馳式轉(zhuǎn)換器內(nèi)效率較低的肖特基二極管,并通過(guò)減少多達(dá)70%的整流器損耗,有效提升最高達(dá)3.5%的電源效率。因此,該器件有助電源供應(yīng)系統(tǒng)更容易達(dá)到能源之星V2.0所規(guī)定的電源平均效率需達(dá)到87%的評(píng)級(jí)要求。
- 關(guān)鍵字: Diodes MOSFET ZXGD3104N8
Diodes封裝MOSFET有助于實(shí)現(xiàn)低溫操作
- Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封裝MOSFET。該器件的結(jié)點(diǎn)至環(huán)境熱阻(Rthj-a)為130oC/W,能在持續(xù)狀態(tài)下支持高達(dá)1W的功率耗散,相比于占位面積相同、Rthi-a性能為280oC/W的SOT723封裝,能實(shí)現(xiàn)更低溫度運(yùn)行。 這款無(wú)鉛DFN1212-3封裝MOSFET與采用SOT723封裝的MOSFET一樣,印刷電路板(PCB)面積為1.44mm2,并具備0.5mm的狹小離板高度,但后者的熱效率則較低。這對(duì)采用DFN1212-3封裝的MOSFET
- 關(guān)鍵字: Diodes MOSFET
Diodes負(fù)載開(kāi)關(guān)提升HDMI端口保護(hù)功能
- Diodes公司推出AP2331單信道限流負(fù)載開(kāi)關(guān)。該產(chǎn)品專為高清晰度多媒體接口 (HDMI) 的標(biāo)準(zhǔn)及其它監(jiān)視器接口的保護(hù)功能而優(yōu)化設(shè)計(jì),適合于3V至5V的熱插拔連接以及其它承受高電容性負(fù)載和可能受短路影響的應(yīng)用。
- 關(guān)鍵字: Diodes 負(fù)載開(kāi)關(guān) AP2331
Diodes推出新型P通道MOSFET
- Diodes公司推出微型12V P通道強(qiáng)化型MOSFET——DMP1245UFCL,有助提升電池效率及減少電路板空間,并滿足空間局限的便攜式產(chǎn)品設(shè)計(jì)要求,如智能手機(jī)及平板計(jì)算機(jī)等。
- 關(guān)鍵字: Diodes MOSFET DMP1245UFCL
Diodes超薄型整流器簡(jiǎn)化太陽(yáng)能電池板設(shè)計(jì)
- Diodes推出SBR12U45LH超級(jí)勢(shì)壘整流器 (SBR) ,額定電流為12A,以超薄型PowerDI-5SP封裝,為生產(chǎn)新一代太陽(yáng)能光電模塊 (PV module) 的太陽(yáng)能電池板制造商,解除設(shè)計(jì)和生產(chǎn)方面的主要顧慮 。
- 關(guān)鍵字: Diodes 太陽(yáng)能電池板
virginia diodes介紹
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