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          安森美推出符合汽車標準的自保護低端MOSFET驅動IC 
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出高度集成保護的NCV840x系列低端自保護MOSFET。這系列器件通過了AEC-Q101標準認證，非常適用于嚴格的汽車及工業(yè)工作環(huán)境中的開關應用。
　　NCV8401、NCV8402、NCV8402D(雙裸片)、NCV8403及NCV8404的設計是為了提供強固及可靠的工作，這些器件全都有豐富的自保護特性，包括限溫及限流、靜電放電(ESD)保護，以及用于過壓保護(OVP)的集成漏極至柵極鉗位。
　　安森美半導體汽車
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          • 關鍵字：
                        安森美  MOSFET  驅動IC                           
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          利用低端柵極驅動器IC進行系統(tǒng)開發(fā)
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 利用低端柵極驅動器IC可以簡化開關電源轉換器的設計，但這些IC必須正確運用才能充分發(fā)揮其潛力，以最大限度地減小電源尺寸和提高效率。如何根據(jù)額定電流和功能來選擇適當?shù)尿寗悠?，驅動器周圍需要哪些補償元件，以及如何確定熱性能等是設計時要注意的方面。

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          • 關鍵字：
                        Fairchild  轉換器  MOSFET  開關電源  柵極驅動器  200912                          
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          D類MOSFT在發(fā)射機射頻功放中的應用
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • O 引言
            隨著微電子技術的發(fā)展，MOS管在電子與通信工程領域的應用越來越廣泛。特別是在大功率全固態(tài)廣播發(fā)射機的射頻功率放大器中，利用MOS管的開關特性，可使整個射頻功率放大器工作在開關狀態(tài)，從而提高整機效
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          • 關鍵字：
                        應用  功放  射頻  發(fā)射機  MOSFT  MOSFET  開關特性  射頻功放  調幅發(fā)射機                          
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          能效需求催生功率器件應用熱潮
          
                                                            
            
                    	
          • 　　市場需求逐步恢復
　　● 能效需求催生功率器件應用熱潮
　　● 擴內需政策為企業(yè)提供增長空間
　　陳坤和
　　從2008年底到2009年初，所有電子產(chǎn)品的需求均有減少，功率半導體也不例外。我們認識到，困難時期可能成為重新把公司塑造成一個更精簡、更專注、更贏利企業(yè)的催化劑。由于各國政府的經(jīng)濟刺激措施紛紛把提升能效列為重點內容，許多企業(yè)開始關注功率產(chǎn)品。在中國，由于政府刺激消費電子市場，中國市場需求增長，推動功率管理和其他半導體產(chǎn)品的需求開始復蘇。從長期來看，功率半導體將與許多其他領域的半導體產(chǎn)品
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          • 關鍵字：
                        功率器件  MOSFET                          
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          針對應用選擇正確的MOSFET驅動器
          
                                                            
            
                    	
          • 現(xiàn)有的MOSFET技術和硅工藝種類繁多，這使得選擇合適的MOSFET驅動器成了一個富有挑戰(zhàn)性的過程。
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  選擇正確  驅動器                            
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          Diodes推出為VoIP應用優(yōu)化的全新MOSFET
          
                                                            
            
                    	
          • 　　Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET，為網(wǎng)絡電話 (VoIP) 通信設備的設計人員帶來一種更堅固的解決方案，極大地降低了電路的復雜性和成本。
　　ZXMN15A27K及ZXMN20B28K經(jīng)過特別設計，能滿足各種VoIP應用中基于用戶線接口電路(SLIC)DC/DC轉換器對變壓器中初級開關位置的嚴格要求。這些應用涵蓋寬帶語音系統(tǒng)、PBX系統(tǒng)、有線和DSL網(wǎng)關。
　　兩款新器件的擊穿電壓(BVDSS)分別為150V及200V，能夠承受SLIC環(huán)境下的高脈沖雪崩能量和通信模式，不需要額外的保護電
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          • 關鍵字：
                        Diodes  MOSFET                          
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          MOSFET柵漏電流噪聲模型研究
          
                                                            
            
                    	
          •     CMOS器件的等比例縮小發(fā)展趨勢，導致了柵等效氧化層厚度、柵長度和柵面積都急劇減小。對于常規(guī)體MOSFET，當氧化層厚度2 nm時，大量載流子以不同機制通過柵介質形成顯著的柵極漏電流。柵極漏電流不僅能產(chǎn)生
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          • 關鍵字：
                        研究  模型  噪聲  電流  MOSFET                          
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          功率半導體充當節(jié)能先鋒 中國企業(yè)加快步伐
          
                                                            
            
                    	
          • 　　過去，人們常把集成電路比作電子系統(tǒng)的大腦，而把功率半導體器件比作四肢，因為集成電路的作用是接受和處理信息，而功率器件則根據(jù)這些信息指令產(chǎn)生控制功率，去驅動相關電機進行所需的工作。如今，新型功率半導體器件如MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)及功率集成電路應用逐漸普及，其為信息系統(tǒng)提供電源的功能也越來越引人注目。功率半導體器件在電子系統(tǒng)中的地位已不僅限于“四肢”，而是為整個系統(tǒng)“供血”的“心臟&rdq
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          • 關鍵字：
                        功率半導體  MOSFET  IGBT                          
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          Vishay Siliconix推出新款20V P溝道功率MOSFET
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強PowerPAK SC-70®封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET® P溝道技術的最新器件，使用了自矯正的工藝技術，在每平方英寸的硅片上裝進了1億個晶體管。這種最先進的技術實現(xiàn)了超精細、亞微米的間距工藝，將目前業(yè)界最好的P溝道MOSFET
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          • 關鍵字：
                        Vishay  MOSFET  SiA433EDJ                          
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          理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性
          
                                                            
            
                    	
          • 通常，許多資料和教材都認為，MOSFET的導通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此可以并聯(lián)工作。當其中一個并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時，具有正的溫度系數(shù)導通電阻也增加，因此流過的電流減小，溫度降低，從而實現(xiàn)自動的均流達到平衡。同樣對于一個功率MOSFET器件，在其內部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成，晶胞的導通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此并聯(lián)工作沒有問題。但是，當深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對其傳輸特性的影響，以及各個晶胞單元等效電路模型，就會發(fā)現(xiàn)，上述的理論只有在MOSFET進入穩(wěn)態(tài)導通的狀態(tài)下才能成立，而在
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  RDS  ON  溫度系數(shù)                            
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          Vishay推出業(yè)界最小的芯片級MOSFET
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　日前，Vishay宣布推出兩款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB，最大尺寸為1mm x 1 mm x 0.548mm，是迄今為止業(yè)界最小的芯片級功率MOSFET。
　　在種類繁多的便攜式設備中，20V的P溝道Si8461DB和Si8465DB可用于負載開關、電池開關和充電開關應用。器件的小尺寸和薄厚度有助于減少電源管理電路所占用的空間，以及/或是實現(xiàn)更多的功能。與市場上尺寸與之最接近的芯片級功率MOSFET相比，1mm x 1mm x 0.548mm的M
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          • 關鍵字：
                        Vishay  MOSFET  Si8461DB  Si8465DB                          
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          安森美推出24款新的30伏、N溝道溝槽MOSFET
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　全球領先的高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封裝， 為計算機和游戲機應用中的同步降壓轉換器提供更高的開關性能。

　　新系列的MOSFET利用安森美半導體獲市場驗證的溝槽技術，提供優(yōu)異的導通阻抗[RDS(on)]及更高的開關性能，用于個人計算機(PC)、服務器、游戲機、處理器穩(wěn)壓電源
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          • 關鍵字：
                        安森美  MOSFET  溝槽  同步降壓轉換器                          
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          理解功率MOSFET的開關損耗
          
                                                            
            
                    	
          • 本文詳細分析計算開關損耗，并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程，從而使電子工程師知道哪個參數(shù)起主導作用并更加深入理解MOSFET。

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          • 關鍵字：
                        MOSFET  開關損耗                            
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           MOSFET管并聯(lián)應用時電流分配不均問題探究
          
                                                            
            
                    	
          • 1 引言
            MOSFET管的導通電阻具有正的溫度特性，可自動調節(jié)電流，因而易于并聯(lián)應用。但由于器件自身參數(shù)(柵極電路參數(shù)及漏源極電路參數(shù)不一致)原因，并聯(lián)應用功率MOSFET管會產(chǎn)生電流分配不均的問題，關于此問題，
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          • 關鍵字：
                        不均  問題  探究  分配  電流  管并聯(lián)  應用  MOSFET                          
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          采用射頻功率MOSFET設計功率放大器
          
                                                            
            
                    	
          • 1. 引言
            　本文設計的50MHz/250W 功率放大器采用美國APT公司生產(chǎn)的推挽式射頻功率MOSFET管ARF448A/B進行設計。APT公司在其生產(chǎn)的射頻功率MOSFET的內部結構和封裝形式上都進行了優(yōu)化設計，使之更適用于射頻功率放大器
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  射頻功率  功率放大器                            
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	共1308條
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