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          ufs 4.0 文章 最新資訊

          三星UFS存儲卡現(xiàn)身IFA:順?biāo)僮x取速度達(dá)510.82MB/s

          • 9月10日消息,據(jù)WinFuture報道,三星UFS存儲卡現(xiàn)身IFA2019展會,它被裝在了海信T91手機(jī)上。
          • 關(guān)鍵字: 三星  存儲卡  UFS  

          集邦咨詢:受惠需求回溫及產(chǎn)能調(diào)節(jié),第二季NAND Flash合約價跌幅略有收斂

          •   Mar. 20, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查指出,受到服務(wù)器需求疲弱、智能手機(jī)換機(jī)周期延長、蘋果新機(jī)銷售不如預(yù)期等終端需求不佳沖擊,2019年第一季各類NAND Flash產(chǎn)品合約價綜合季跌幅近20%,是自2018年初NAND Flash轉(zhuǎn)為供過于求以來跌幅最劇的一季?! ≌雇诙?,DRAMeXchange分析師葉茂盛表示,歷經(jīng)第一季的需求低谷之后,智能手機(jī)、筆記本電腦及服務(wù)器等主要需求較第一季有所改善。另一方面,NAND Flash供應(yīng)商
          • 關(guān)鍵字: NAND  UFS  SSD  

          關(guān)于NAND閃存大科普

          •   在半導(dǎo)體業(yè),有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計的真實可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此,弄清事實很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀念。  在使用期的性能恒定。  固態(tài)硬盤(SSD)寫入數(shù)據(jù)愈多,特別是隨機(jī)數(shù)據(jù),而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實際的讀取或?qū)懭胩幚砜梢詾閼?yīng)用于交叉存取后臺管理工作的控制器開創(chuàng)新局。對于在內(nèi)部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價控制器,可能會表現(xiàn)差勁,不是導(dǎo)致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降?! ‰S著PCIe銷售額的增加,SATA逐漸消失不見
          • 關(guān)鍵字: NAND  eMMC  UFS  

          NAND閃存大科普

          •   在半導(dǎo)體業(yè),有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計的真實可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此,弄清事實很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀念?! ≡谑褂闷诘男阅芎愣??! 」虘B(tài)硬盤(SSD)寫入數(shù)據(jù)愈多,特別是隨機(jī)數(shù)據(jù),而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實際的讀取或?qū)懭胩幚砜梢詾閼?yīng)用于交叉存取后臺管理工作的控制器開創(chuàng)新局。對于在內(nèi)部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價控制器,可能會表現(xiàn)差勁,不是導(dǎo)致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降?! ‰S著PCIe銷售額的增加,SATA逐漸消失不見
          • 關(guān)鍵字: NAND  UFS  

          如何快速從eMMC轉(zhuǎn)移到UFS?

          • 在高速數(shù)字接口中,并行總線越來越少。原因很簡單,隨著系統(tǒng)頻率的提升,并行總線在板級建置時已經(jīng)遭遇到實體瓶頸,抖動、串?dāng)_、信號偏移、傳輸路徑不
          • 關(guān)鍵字: UFS  emmc  數(shù)字接口  

          LPDDR5、UFS 3.0存儲介紹:我們何時能用上?

          •   相較于處理器芯片,存儲性能這些年在智能手機(jī)上的重要性也開始逐漸凸顯。據(jù)Android Authority總結(jié),LPDDR5 RAM、UFS 3.0 ROM和SD Express存儲卡將會成為新一輪旗艦智能機(jī)將要占領(lǐng)的技術(shù)之制高點。  具體來說,LPDDR5的速度將達(dá)到6400Mbps,比LPDDR4翻番,比LPDDR4X(4266Mbps)提升50%。按照IC廠商Synopsys透露的,LPDDR5將引入WCK差分時鐘,類似于GDDR5,從而在不增加引腳的情況下提升頻率?! 〈送?,LPDDR5還將引入
          • 關(guān)鍵字: LPDDR5  UFS 3.0  

          三星不再霸權(quán)!美光強勢殺入UFS 2.1手機(jī)閃存

          •   2月26日,美光發(fā)布了專為安卓旗艦機(jī)打造的UFS 2.1標(biāo)準(zhǔn)閃存,容量設(shè)計為64GB、128GB和256GB。   顆粒選用TLC,3D 64層堆疊,美光強調(diào)基于人工智能技術(shù)進(jìn)行了APP打開、運行有關(guān)的性能優(yōu)化。   由于是第二代3D閃存,美光稱性能提升了50%。   單Die面積59.341mm2,32GB,號稱業(yè)內(nèi)最小。因此,在同樣芯片面積下的總?cè)萘糠?   新閃存將于今春發(fā)貨,2018年下半年開始出現(xiàn)在智能機(jī)中。   由于此前,UFS2.1能穩(wěn)定供貨的只有三星和東芝,導(dǎo)致價格較高,美
          • 關(guān)鍵字: 三星  UFS   

          UFS 3.0進(jìn)軍車用儲存 三星256GB Flash量產(chǎn)

          •   三星電子(Samsung Electronics)于2018年2月宣布最新256GB嵌入式通用快閃儲存(embedded Universal Flash Storage, eUFS) 2.1解決方案已開始量產(chǎn), 是業(yè)界首款將固態(tài)技術(shù)協(xié)會(JEDEC)的UFS 3.0標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)入汽車應(yīng)用的儲存設(shè)備。   三星電子在2017年9月宣布首款128GB eUFS技術(shù)有所突破之后,于近日發(fā)布量產(chǎn)256GB eUFS 2.1車用內(nèi)存。 該儲存設(shè)備將為下一代駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、車用娛樂系統(tǒng)與儀表板應(yīng)用帶來更好的
          • 關(guān)鍵字: 三星  UFS   

          TrendForce:2018年NAND Flash價格有望縮減10%-20%

          •   TrendForce研究指出,明年上半年步入淡季,NANDFlash價格有機(jī)會走跌,下半年需求回升,可能再次供不應(yīng)求,預(yù)估2018年NANDFlashASP(平均銷售單價)將較2017年縮減10%-20%。   相對而言,TrendForce預(yù)計,2018年DRAM產(chǎn)能擴(kuò)增效益有限,價格趨勢與供給狀況持續(xù)看漲、看緊。   TrendForce表示,就移動存儲來看,智能手機(jī)應(yīng)用的存儲零組件價格從2016年第三季開始不斷攀升,以主流規(guī)格而言,到今年第四季價格平均上升40%,不僅影響各大品牌在智能手機(jī)的
          • 關(guān)鍵字: UFS  NANDFlash  

          群聯(lián)UFS新芯片獲高通和海思認(rèn)證

          •   NAND Flash解決方案供應(yīng)商群聯(lián)9、10月連續(xù)兩月份的固態(tài)硬盤(SSD)出貨量都破歷史新高,上月更達(dá)到100萬組的水準(zhǔn),另一個好消息是,群聯(lián)在下一代的嵌入式快閃存儲器新款的UFS芯片PS8313上,已經(jīng)通過手機(jī)芯片大廠高通(Qualcomm)和海思等智能手機(jī)芯片平臺的測試,新產(chǎn)品布局有成。   群聯(lián)今年全力沖刺SSD和嵌入式存儲器解決方案eMMC產(chǎn)品線,繼9月SSD出貨量突破90萬片后,10月再創(chuàng)新高達(dá)100萬片水準(zhǔn)。   以第3季表現(xiàn)來看,群聯(lián)第3季獲利創(chuàng)下單季歷史新高,主要是受惠多項主流
          • 關(guān)鍵字: UFS  海思  

          eMMC使命完成,UFS時代來臨,如何快速從eMMC轉(zhuǎn)移到UFS

          • eMMC使命完成,UFS時代來臨,如何快速從eMMC轉(zhuǎn)移到UFS-在高速數(shù)字接口中,并行總線越來越少。原因很簡單,隨著系統(tǒng)頻率的提升,并行總線在板級建置時已經(jīng)遭遇到實體瓶頸,抖動、串?dāng)_、信號偏移、傳輸路徑不完美等因素,都將大幅降低并行總線持續(xù)建立時間窗口,從而限制系統(tǒng)帶寬的進(jìn)一步提升。
          • 關(guān)鍵字: emmc  ufs  數(shù)字接口  

          UFS 3.0曝光:2666MB/s速度 快到飛起

          •   智能手機(jī)體驗優(yōu)秀與否,除了處理器芯片,閃存芯片也是一大影響因素,目前手機(jī)上常搭載的閃存有UFS 2.1、UFS 2.0及eMMC 5.1等標(biāo)準(zhǔn)。其中UFS標(biāo)準(zhǔn)于2011年誕生,升級到2.0版本是在2013年,2.1版本則是在2016年發(fā)布的,而近日據(jù)網(wǎng)友爆料其下一代標(biāo)準(zhǔn)3.0也已經(jīng)在研發(fā)了。        根據(jù)網(wǎng)友爆料使用的圖片顯示,UFS 3.0的速度最高達(dá)2666MB/s,較UFS 2.1最高1333MB/s的速度整整快了一倍。   除了快到飛起的速度外,USF 3.0占據(jù)的
          • 關(guān)鍵字: UFS   

          ADAS帶動車用內(nèi)存升級 除錯機(jī)制成決勝關(guān)鍵

          •   車內(nèi)信息娛樂系統(tǒng)(IVI)越來越普及,先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、無人駕駛技術(shù)亦逐漸成熟,車載系統(tǒng)突飛猛進(jìn)造就日益龐大的數(shù)據(jù)處理需求,所需內(nèi)存容量、輸出/入帶寬不得不隨之升級。 不僅如此,車用儲存組件相較3C電子等一般應(yīng)用,更須考慮車輛要求之極高可靠性、安全性,進(jìn)一步納入完善的硬/韌體除錯與實時反饋等相應(yīng)機(jī)制。   內(nèi)存控制芯片主力供貨商慧榮(SMI)產(chǎn)品企劃部項目經(jīng)理胡文基表示,從早期所用之SD卡、光罩式ROM、PATA/SATA硬盤等演進(jìn)至今,目前車載系統(tǒng)是以16G起跳之內(nèi)嵌式多媒體記憶卡(e
          • 關(guān)鍵字: ADAS  UFS  

          Flash產(chǎn)能不給力 UFS稱霸江湖夢碎

          • UFS普及并不缺乏機(jī)會,F(xiàn)lash產(chǎn)能的困境能否早日抒解,成為真正影響UFS茁壯的關(guān)鍵因素了。
          • 關(guān)鍵字: Flash  UFS  

          吹牛必備常識之——“華為P10閃存門”中的UFS和eMMC究竟是啥?

          • 華為P10“閃存門”其實就是一些消費者在購買P10手機(jī)后,經(jīng)過測試發(fā)現(xiàn),華為P10系列手機(jī)閃存速度出現(xiàn)了明顯差異的情況。用戶測試結(jié)果顯示,有部分手機(jī)的閃存速度約為200MB/秒,而根據(jù)網(wǎng)上公布的評測參數(shù)來看,以華為官方配置的P10實際速度應(yīng)該可以達(dá)到800MB/秒左右。而最終測試的結(jié)論就是華為P10的閃存存在UFS和eMMC混用的問題。
          • 關(guān)鍵字: 閃存  UFS  eMMC  
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