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揚長補短發(fā)展FeRAM
- 存儲器在半導體行業(yè)就是一塊萬能膏藥，或者嵌入到SoC里或者當做單獨的存儲元件，有數(shù)據(jù)計算和程序存儲的要求就有它的用武之地。當前的主流半導體存儲器可以簡單的分成易失性和非易失性兩部分，它們各有所長，應用領(lǐng)域也因這一特性而是涇渭分明。 易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM，SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數(shù)據(jù)，但是RAM 類型的存儲器易于使用、性能好。非易失性存儲器在掉電的情況下并不會丟失所存儲的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自于ROM（只讀存儲器）技術(shù)，包
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瑞薩科技與松下開發(fā)新SRAM制造技術(shù)
- 瑞薩科技（Renesas Technology Corp.）與松下電器產(chǎn)業(yè)有限公司宣布，共同開發(fā)出一種新技術(shù)，可以使45nm工藝傳統(tǒng)CMOS的SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）穩(wěn)定工作。這種SRAM可嵌入在SoC（系統(tǒng)(集成)芯片）器件和微處理器（MPU）當中。經(jīng)測試證實，采用該技術(shù)的512Kb SRAM的實驗芯片，可以在寬泛的溫度條件下（-40℃－125℃）穩(wěn)定工作，而且在工藝發(fā)生變化時具有較大的工作電壓范圍裕量。用于實驗的SRAM芯片采用45nm CMOS工藝生產(chǎn)，集成了兩種不同的存儲單元設(shè)計，一個元
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新一代非易失性存儲器——NVSRAM的原理和應用
- 摘要： 本文介紹了針對高端存儲應用的最新非易失性存儲器NVSRAM。可以根據(jù)應用要求以及功能需要選擇最佳的非易失性存儲器架構(gòu)。關(guān)鍵詞： Flash；EEPROM；SRAM；NVSRAM 概述眾所周知，在非易失性存儲器領(lǐng)域，市場熱度節(jié)節(jié)攀升。近日，SRAM家族又增加了新的成員—NVSRAM。NVSRAM 為 Non-volatile SRAM縮寫，即為非易失性SRAM。本文將比較各類非易失性存儲器，并介紹NVSRAM的特點和優(yōu)勢， NVSRAM 的應用以及工作方式。 非易失性存儲器應用
- 關(guān)鍵字： 0701_A NVSRAM SRAM 消費電子 雜志_技術(shù)長廊 存儲器 消費電子
用單片機實現(xiàn)SRAM工藝FPGA的加密應用
- 在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性，而得到了廣泛的應用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對FPGA器件進行重配置，這就使得可以通過監(jiān)視配置的位數(shù)據(jù)流，進行克隆設(shè)計。因此，在關(guān)鍵、核心設(shè)備中，必須采用加密技術(shù)保護設(shè)計者的知識產(chǎn)權(quán)。 1 基于SRAM工藝FPGA的保密性問題 通常，采用SRAM工藝的FPGA芯片的的配置方法主要有三種：由計算機通過下載電纜配置、用專用配置芯片（如Altera公司的EPCX系列芯片）配置、采用存儲器
- 關(guān)鍵字： FPGA SRAM 單片機 加密 嵌入式系統(tǒng) 存儲器
網(wǎng)絡(luò)應用中的SRAM
- 引言同步SRAM的傳統(tǒng)應用領(lǐng)域是搜索引擎，用于實現(xiàn)算法。在相當長的一段時間里，這都是SRAM在網(wǎng)絡(luò)中發(fā)揮的主要作用。然而，隨著新存儲技術(shù)的出現(xiàn)，系統(tǒng)設(shè)計師為SRAM找到了新的用武之地，如：NetFlow(網(wǎng)流)、計數(shù)器、統(tǒng)計、包緩沖、隊列管理和存儲分配器。 如今，人們對所有路由器和交換機的要求都不僅限于FIB(轉(zhuǎn)發(fā)信息庫)搜索。計數(shù)器需要跟蹤接受服務的信息包數(shù)量，并獲取統(tǒng)計數(shù)據(jù)來解決帳單編制問題。通過統(tǒng)計來連續(xù)監(jiān)視網(wǎng)絡(luò)(被稱為NetFlow)，從而完成問題檢測和判定。隨著每個信息包處理量的增加，需要采用包
- 關(guān)鍵字： IPV6 SRAM 存儲器 通訊 網(wǎng)絡(luò) 無線 存儲器
為實現(xiàn)高性能選擇正確的 SRAM 架構(gòu)
- 按慣例，設(shè)計人員總把SRAM 作為其最基本的形式，即單端口、單時鐘域器件。在需要更高性能時，設(shè)計人員通常會選擇更高的時鐘頻率和更寬的總線。盡管這樣可以顯著提高 SRAM 性能，但卻并不是唯一的方法。我們也可以開發(fā)用于先進通信系統(tǒng)的存儲器，這就將工作重點轉(zhuǎn)向了帶寬，而不是時鐘頻率。存儲器帶寬的定義為：給定時間內(nèi)可通過器件訪問的數(shù)據(jù)量。通常單位為Mbps乃至極高性能存儲器的Gbps。帶寬的主要組成部分為 I/O 速度、接入端口寬度以及存儲器可用的接入端口數(shù)量。用以下簡單的方程式可計算出帶寬：帶寬=I/O速度
- 關(guān)鍵字： SRAM 存儲器
支持高性能應用的SRAM
- SRAM一直是網(wǎng)絡(luò)應用的重要組成部分，它可提高帶寬，從而在許多高性能應用中起著主導作用。這些應用包括無總線時延 (NoBL)和四倍數(shù)據(jù)速率 (QDR) 等。就系統(tǒng)資源及內(nèi)存帶寬要求而論，分組處理對內(nèi)存帶寬的要求最高。分組處理塊內(nèi)部的多個功能以及其它存儲功能要求采用不同的 SRAM 架構(gòu)。因此需要采用支持 SRAM 的新型協(xié)議及架構(gòu)，以滿足這些網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的需求。本文重點介紹針對網(wǎng)絡(luò)應用提供的高級 SRAM 架構(gòu)。此外，還介紹了如何區(qū)分采用不同 SRAM 架構(gòu)的各種應用以及促使用戶選擇 SRAM 的標準。 網(wǎng)
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