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DSP編程技巧之29---答疑解惑哪家強之（4）
- 答疑解惑哪家強?當屬我們EEPW最強。。。接下來繼續(xù)我們的答疑解惑。 22. 除了使用編譯器的優(yōu)化選項之外，還可以使用什么方法提高程序的性能? 編譯器的優(yōu)化選項，只能在代碼滿足眾多選項的要求時，才能得到較好的優(yōu)化效果。在我們編程的時候，首先要做到心里有數(shù)，盡可能使用一些高效的編程方式，例如使用右移操作代替除以2的倍數(shù)的操作，可以大幅度地減少代碼運行時間等。這些技巧很多是與C/C++的熟練使用所相關(guān)的。此外，根據(jù)器件的特點，例如是否包含F(xiàn)PU、CLA等，把特定的代碼放在不同的區(qū)域執(zhí)行，也能起
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NAND吃緊！花旗：三星、hTC將學蘋果加大智能機容量
- Investor.com 3日報導，花旗發(fā)表研究報告指出，三星電子、宏達電 (2498)等智慧型手機制造商有望跟隨蘋果 ( Apple Inc. )的腳步增加手機的儲存容量，這會提高市場對SanDisk產(chǎn)品的需求。 費城半導體指數(shù)成分股SanDisk 3日聞訊上漲2.02%、收103.36美元;該檔個股在11月總計勁揚了9.9%、年初迄今大漲46.53%。SanDisk 11月26日收盤(104.26美元)甫創(chuàng)7月16日以來收盤新高。 根據(jù)報告，花旗分析師Joe Yoo將SanDisk的投
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分析師：2015年NAND Flash市況“上冷下熱”
- TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 調(diào)查顯示， NAND Flash 成本隨著制程演進而持續(xù)下滑，各種終端應(yīng)用如 SSD 與eMMC等需求則持續(xù)成長，估計 2015年 NAND Flash產(chǎn)值將較2014年成長12%，至276億美元。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，由于終端產(chǎn)品出貨與新機上市多半集中在第三季和第四季，相較之下上半年缺少新產(chǎn)品刺激市場，受淡季效應(yīng)影響情況將較為顯著，因此預(yù)估2015年NAND Flash市況將呈現(xiàn)上冷下熱的格局，也就是
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2015年NAND Flash產(chǎn)業(yè)持續(xù)向上，產(chǎn)值成長超過10%
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示， NAND Flash成本隨著制程演進而持續(xù)下滑，各種終端應(yīng)用如SSD與eMMC等需求則持續(xù)成長，2015年NAND Flash產(chǎn)值將較2014年成長12%，達276億美元。DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，由于終端產(chǎn)品出貨與新機上市多半集中在第三和第四季，相比之下上半年缺少新產(chǎn)品刺激市場，受淡季效應(yīng)影響情況將較為顯著，因此DRAMeXchange預(yù)估2015年NAND Flash市況將呈現(xiàn)上冷下熱的格局，也就是上半年
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SSD 2年內(nèi)價格砍半 每GB首度跌破0.5美元
- 次世代資料儲存裝置固態(tài)硬碟(SSD)市場價格，2年內(nèi)下滑一半。由于NAND Flash產(chǎn)能增加、SK海力士(SK Hynix)也可望加入3D架構(gòu)NAND Flash量產(chǎn)行列，皆讓SSD加速邁向大眾化階段。而最近隨著價格下滑，SSD應(yīng)用范圍逐漸擴大，有加速普及的傾向。 據(jù)韓聯(lián)社引用市調(diào)機構(gòu)IHS資料報導，256GB的SSD 2014年第3季平均售價(ASP)為124美元，比2013年同期171美元下跌27.5%，與2012年同期價格226美元相比，跌幅更達45.1%，意即最近2年內(nèi)SSD價格幾乎砍
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臺內(nèi)存大廠揮軍日本 直闖工控和車用市場
- 征戰(zhàn)海外展覽的臺灣內(nèi)存大廠，終于在日本找到了機會。
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深入理解串行外設(shè)接口(SPI)總線及應(yīng)用
- 串行外設(shè)接口(SPI)總線是一個工作在全雙工模式下的同步串行數(shù)據(jù)鏈路。它可用于在單個主控制器和一個或多個從設(shè)備之間交換數(shù)據(jù)。其簡單的實施方案只使用四條支持數(shù)據(jù)與控制的信號線(圖1)： 雖然表1中的引腳名稱來自摩托羅拉開發(fā)的SPI標準，但具體集成電路的SPI端口名稱往往與圖1中所示的不同。 ? 圖1：基本SPI總線 ? 表1：SPI引腳名稱分配 SPI數(shù)據(jù)速率一般在1到70MHz的范圍內(nèi)，字長為從8位及12位到這兩個值的倍數(shù)。
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六大NAND Flash廠商：東芝最“吸金”
- 2014第三季度 NAND Flash廠商營收排名出爐，其中東芝最為亮眼，原因是因為它最漲勢最猛。
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美光咬蘋果大單 力成同樂
- 蘋果公司繼推出iPhone 6/6 Plus新款智能手機后，今年底或明年初，將緊接推出Apple Watch智能手表，目前正展開一波拉貨，力成最大客戶美光傳出大啖蘋果Apple Watch存儲器絕大部分訂單，力成受惠度看漲，也激勵今天股價逆勢上漲;另一檔美光受惠股華東則維持小跌與平盤間的狹幅震蕩。 據(jù)了解，Apple Watch采用512MB LPDDR3，內(nèi)建4GB或8GB容量的NAND Flash，美光包辦絕大部分的訂單，而在下游后段封測代工制程方面，目前多半由力成與華東共同負責，由于測試時
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臺IC設(shè)計前3季 聯(lián)發(fā)科穩(wěn)居每股獲利王 敦泰群聯(lián)位居二三名
- IC設(shè)計第3季財報全數(shù)公布完畢，累計前3季，聯(lián)發(fā)科(2454-TW)每股稅后盈余23.41元，穩(wěn)居IC設(shè)計每股盈余獲利王，也是稅后凈利獲利王，其次是觸控IC廠F-敦泰(5280-TW)，前3季每股稅后盈余為13.67元，排名第二，第三名則是FLASH控制晶片廠群聯(lián)(8299-TW)，前3季每股盈余為13.34元，排名第三。 根據(jù)公開資訊站資料顯示，聯(lián)發(fā)科前3季稅后凈利與每股稅后盈余穩(wěn)居IC設(shè)計之冠，表現(xiàn)亮眼，顯示行動裝置需求持續(xù)升溫，第3季旺季效應(yīng)加持發(fā)威下，相關(guān)廠商營運表現(xiàn)都相當亮眼，聯(lián)發(fā)科第
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下游需求高企 2014年中國內(nèi)存芯片市場將占全球兩成
- TrendForce最新研究報告顯示，隨著中國市場近幾年的蓬勃發(fā)展與政策開放，GDP成長率呈現(xiàn)高度的成長，所伴隨而來的就是驚人的消費潛力，無論是PC、智能型手機與平板市場都把中國市場列入第一戰(zhàn)區(qū)。TrendForce旗下權(quán)威內(nèi)存研究機構(gòu)DRAMeXchange最新數(shù)據(jù)顯示，以2Gb顆粒來換算，2014年中國市場在DRAM與NAND的消化量已經(jīng)高達47.89億與70.36億，分別占全球產(chǎn)能19.2%與20.6%。 從DRAM市場來觀察，PC-DRAM在中國市場的消化量已經(jīng)來到15%，內(nèi)需市場的強勁
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基于FLASH介質(zhì)嵌入式存儲方案的設(shè)計與實現(xiàn)
- 引言 FLASH(閃速存儲器)作為一種安全、快速的存儲體，具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點，已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。由于FLASH在結(jié)構(gòu)和操作方式上與硬盤、E2ROM等其他存儲介質(zhì)有較大區(qū)別，使用FLASH時必須根據(jù)其自身特性，對存儲系統(tǒng)進行特殊設(shè)計，以保證系統(tǒng)的性能達到最優(yōu)。 FLASH的特點 FLASH是一種非易失性存儲器NVM(Non-VolatileMemory)，根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同可以將其分成NORFLASH和NANDFLASH兩種。但不
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OEM需求拉貨動能增溫，第三季NAND Flash品牌營收季增12.2%
- 第三季NAND Flash市況在蘋果iPhone6/6Plus新機上市備貨需求強勁與OEM業(yè)者進入出貨旺季的帶動下，eMMC/eMCP與SSD的成長力道均高于上半年，NAND Flash價格表現(xiàn)也相對穩(wěn)健，使得第三季NAND Flash品牌供貨商營收較上季增加12.2%至85.8億美元。TrendForce旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，新制程的嵌入式產(chǎn)品自第三季起成為市場主流，有助于各家業(yè)者成本結(jié)構(gòu)的改善，而隨著蘋果第四季iPhone表現(xiàn)持續(xù)亮眼以及新產(chǎn)品的問世，整體N
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提高MSP430G 系列單片機的Flash 擦寫壽命方法
- 在嵌入式設(shè)計中，許多應(yīng)用設(shè)計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機在芯片內(nèi)部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器，在MSP430G 系列單片機中并不具備EEPROM。為了存儲非易失性數(shù)據(jù)，MSP430G 系列處理器在芯片內(nèi)部劃分出了256 字節(jié)的Flash 空間作為信息Flash，可用于存儲非易失性數(shù)據(jù)，但是由于Flash 與EEPROM 在擦寫壽命上存在一定差距，所以在實際應(yīng)用中，這種應(yīng)用方式并不能夠滿足所有客戶的需求。本應(yīng)
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FLASH和反熔絲類型的FPGA你了解多少
- 由于航天應(yīng)用對可靠性提出了更高的要求，這是與一般的FPGA開發(fā)最大的不同。當高能粒子撞擊可編程邏輯器件時，撞擊的能量會改變器件中的可配置的SRAM單元的配置數(shù)據(jù)，使系統(tǒng)運行到無法預(yù)知的狀態(tài)，從而引起整個系統(tǒng)失效。這在航天設(shè)備中是必須要避免的。以FLASH和反熔絲技術(shù)為基礎(chǔ)的FPGA與以SRAM為基礎(chǔ)的FPGA相比，在抗單粒子事件方面具有很大的優(yōu)勢，可靠性高。 ACTEL公司是可編程邏輯解決方案供應(yīng)商。它提供了多種服務(wù)，包括基于反熔絲和閃存技術(shù)的FPGA、高性能IP核、軟件開發(fā)工具和設(shè)計服務(wù)，定位
- 關(guān)鍵字： FPGA FLASH 反熔絲
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