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全球第二!SK海力士追上三星、量產(chǎn)20納米DRAM
- SK海力士終于趕上三星電子,成為全球第二家成功量產(chǎn)20奈米DRAM的廠商。該公司也力拼3D NAND Flash研發(fā),期盼能在明年量產(chǎn)48層3D NAND。 BusinessKorea 15日報導,SK海力士人員受訪表示,該公司引入20奈米DRAM制程,過程雖有困難,但已經(jīng)穩(wěn)定,開始寄送樣品給客戶、進入量產(chǎn)。據(jù)此而言,SK海力士是世界第二家量產(chǎn)20奈米DRAM的業(yè)者。三星首開先例,去年3月就量產(chǎn)20奈米DRAM。 SK海力士也宣布3D NAND研發(fā)計畫,社長樸星昱(Park Sung-wo
- 關鍵字: SK海力士 三星
全球半導體支出縮減 三星、SK海力士反其道而行
- 南韓存儲器芯片業(yè)界將主導設備投資(CAPEX)競爭。在其他地區(qū)競爭業(yè)者擔憂IT產(chǎn)品需求趨緩,而縮減設備投資規(guī)模時,三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)等南韓企業(yè)將反其道而行,擴大投資并推動微細制程尖端化等,致力于研發(fā)新技術,未來在競爭中將更具優(yōu)勢。 據(jù)南韓Newstomatoa報導,英特爾(Intel)決定將2015年設備投資規(guī)模,從87億美元縮減11.5%至77億美元;臺積電設備投資規(guī)模也從120億美元減少約8%至110億美元。因IT裝置等終端產(chǎn)業(yè)
- 關鍵字: 三星 SK海力士
平面架構1x納米NAND揭密!
- 過去的一年半以來,主要NAND快閃記憶體制造商已經(jīng)開始銷售1x奈米等級的平面快閃記憶體;根據(jù)我們調查開放市場上所銷售元件的供應來源,美光(Micron)是從2014年2月開始供應1x奈米元件的第一家記憶體廠商,隨后是在同年10月推出產(chǎn)品的SK海力士(Hynix)。在近六個月之后,TechInsights實驗室才出現(xiàn)三星(Samsung) 16奈米與東芝(Toshiba) 15奈米產(chǎn)品。 針對平面NAND快閃記憶體的微影尺寸終點,在文獻中已經(jīng)有很多討論;其替代方案是垂直堆疊式的快閃記憶體,例如三星
- 關鍵字: NAND SK海力士
DRAM產(chǎn)業(yè)十年一劫,中國全面搶灘市場
- 中國扶植自有DRAM供應鏈計劃浮上臺面,業(yè)界透露中國將分三個階段著手,包括扶植大型集團建立自有技術、高關稅逼迫國際大廠合作、強制品牌系統(tǒng)廠采用, 由于上一輪全球DRAM市場崩盤是在2008年發(fā)生,業(yè)界直指十年一劫的DRAM淘汰賽恐將在2017年再度引爆,對于既有DRAM業(yè)者SK海力士、美光 (Micron)等恐造成不小沖擊。 半導體業(yè)者表示,中國建立DRAM產(chǎn)業(yè)最難解問題,似乎是如何取得被三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士、美光三大廠所把持的DRAM技術,然事實上,中
- 關鍵字: SK海力士 DRAM
SK海力士全面進入20納米級DRAM時代
- SK海力士(SK Hynix)中斷生產(chǎn)30納米級DRAM,全面進入20納米級生產(chǎn)時代。據(jù)了解,SK海力士在4年前才首度采用38納米制程生產(chǎn)DRAM,不過到2015年第1季,生產(chǎn)效率比30納米級制程更高的25納米DRAM制程比例,已高達全體生產(chǎn)的82%。 韓媒Digital Times報導,日前業(yè)界消息傳出,SK海力士的38納米制程到2014年第4季為止,約占全體DRAM生產(chǎn)比例的8%,但從2015年第1季開始已全面轉進20納米級制程。全球DRAM市占率第三名的美光(Micron),目前30納米級
- 關鍵字: SK海力士 DRAM
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