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SK Hynix公開第二代服務器用SSD
- SK海力士(SK Hynix)正式發(fā)表第二代36層3D NAND Flash服務器用固態(tài)硬碟(SSD)，借由推出3D NAND Flash固態(tài)硬碟及其他高規(guī)格產(chǎn)品，積極搶攻企業(yè)市場。 據(jù)亞洲經(jīng)濟報導，日前SK海力士參加在大陸深圳召開的英特爾開發(fā)者論壇(IDF)，并公開采用第二代3D NAND Flash與控制器的服務器用NVMe介面固態(tài)硬碟。據(jù)了解，SK海力士從2016年初開始量產(chǎn)36層3D NAND Flash。 SK海力士公開的1TB NVMe介面固態(tài)硬碟，采用3D NAND Flas
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韓國SK電訊擬投入8400萬美元擴張物聯(lián)網(wǎng)業(yè)務
- 據(jù)相關(guān)消息，韓國SK電訊計劃在接下來的兩年內(nèi)投資1000億韓元(約8400萬美元)，擴張公司物聯(lián)網(wǎng)(IoT)業(yè)務。 該韓國電信網(wǎng)絡運營商計劃在今年內(nèi)建設(shè)一個全國性的低功耗廣域網(wǎng)(LPWA)，發(fā)展物聯(lián)網(wǎng)專用模塊，并升級其物聯(lián)網(wǎng)平臺ThingPlug以便提供更多創(chuàng)新物聯(lián)網(wǎng)服務。 韓國SK電訊總裁兼首席業(yè)務官Lee Hyung-hee表示：“通過我們涵蓋網(wǎng)絡、平臺以及設(shè)備的物聯(lián)網(wǎng)戰(zhàn)略，SK Telecom將會引領(lǐng)整個物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)的發(fā)展。”
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IC Insights：三星、SK Hynix全球半導體市占擴增
- 在中國半導體業(yè)者積極爭取市占的環(huán)境中，三星電子(Samsung Electronics Co.)、SK Hynix今(2015)年仍持續(xù)擴大在全球半導體市場的占有率。 韓媒BusinessKorea 14日報導，科技市調(diào)機構(gòu)IC Insights 13日發(fā)表一就報告指出，三星今年仍是全球第二大半導體制造商、銷售額達到416億美元，緊追在英特爾(Intel Corp.)的503億美元之后。不過，兩家公司的差距已從去年的157億美元收斂至87億美元，主要是因為英特爾今年營收下降了2%、但三星卻成長1
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SK Hynix 其實想和紫光合作，擬專利授權(quán)
- 南韓記憶體大廠SKHynix雖一口回絕了紫光集團(TsinghuaUnigroup)共組合資企業(yè)的提議，但商場沒有永遠敵人，韓媒傳出在競爭日益激烈的環(huán)境下，SKHynix有意與紫光簽立專利授權(quán)協(xié)議，希望能降低一些市場風險。 韓國時報29日報導，駐扎首爾的數(shù)名歐美投資銀行基金經(jīng)理人直指，SKHynix其實很想(morethaninterested)和紫光合作、分享記憶體晶片專利科技，未來或許會和紫光就公司市占較低的快閃記憶體簽訂廣泛的專利授權(quán)合約，因為紫光的生產(chǎn)成本更為低廉。根據(jù)經(jīng)理人的說法，中國
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SK集團跨足半導體材料 斥資4.1億美元收購OCI Materials
- SK控股(SKHoldings)于23日召開理事會，決定收購49.1%的OCIMaterials股權(quán)，以每股9.3萬韓元(約80美元)收購價來看，估計SK控股以4,816億韓元(約4.1億美元)代價入主OCIMaterials，SK集團(SKGroup)也正式進軍半導體材料領(lǐng)域。 根據(jù)韓媒MoneyToday的報導，SK集團(SKGroup)24日對外宣布，SK控股已于23日召開理事會，決定出資4.1億美元，收購49.1%的OCIMaterials股權(quán)，該股權(quán)的原本持有者為韓國OCI。據(jù)了解，這
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拼年底量產(chǎn)3D NAND、傳SK海力士大買設(shè)備
- 記憶體大廠整軍經(jīng)武，準備展開新一波大戰(zhàn)!據(jù)傳三星電子和SK 海力士 (SK Hynix )將大買設(shè)備，積極投資3D NAND Flash;另外DRAM也將轉(zhuǎn)進新制程，拉高戰(zhàn)力。 韓媒etnews 6日報導，記憶體大廠爭相量產(chǎn)3D NAND Flash，新制程和傳統(tǒng)NAND Flash相比，差別在于從平面改為立體，能層層堆疊，提高效能。據(jù)了解，由2D轉(zhuǎn)進3D NAND Flash，顯影制程不變，但是金屬化和刻蝕步驟將分別增加50~60%、30~40%，需要采購不少新設(shè)備。據(jù)了解，三星最早量產(chǎn)3D
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三星半導體設(shè)備投資傳明年微幅加碼，擬加蓋 NAND 廠
- 韓國時報(Korea Times)15 日報導，三星電子明年將投資半導體設(shè)備 13.5 兆韓圜，或相當于 120 億美元，稍高于今年的 13 兆韓圜。 全球記憶體晶片市場目前由三星、SK 海力士與美光所把持，三大廠市占率合計來到 93%。知情人士消息指出，三星并不打算大幅增加設(shè)備資本支出的主要考量是明年策略將放在維持價格穩(wěn)定與市場供需平衡。 據(jù)報導，三星看準儲存型快閃記憶體(NAND Flash)的市場需求有望增加，因此考慮明年在大陸西安開設(shè)新廠房。除此之外，有鑒于 DRAM 的需求平穩(wěn)，
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解讀三星的開放創(chuàng)新中心
- 自從三星將開放源碼做為軟件經(jīng)營的主要戰(zhàn)略后，現(xiàn)在又更進一步，在硅谷設(shè)立開放創(chuàng)新中心（Samsung Open Innovation Center），藉此打造更大的人才平臺。三星的開放源碼戰(zhàn)略，仍至于開放創(chuàng)新中心，都圍繞在「人才」的層面
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臺灣新定位：與全球創(chuàng)客接軌
- 在多位創(chuàng)客的熱情分享中，第三屆的Android Day終于順利落幕。以電子技術(shù)為報導主體的CTIMES，因認同軟硬整合的趨勢，在三年前協(xié)同Moko365開始了Android Day的大型年度活動
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