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	sic mosfet
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
          
                	
          sic mosfet 文章
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          Microchip推出三相無刷直流配套器件實現(xiàn)完整電機系統(tǒng)解決方案
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 全球領先的整合單片機、混合信號、模擬器件和閃存專利解決方案的供應商——Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布推出一款新型帶電源模塊的三相BLDC電機柵極驅動器MCP8024。該器件能夠為dsPIC?數(shù)字信號控制器(DSC)和PIC?單片機(MCU)供電，同時驅動六個N溝道MOSFET。
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          • 關鍵字：
                        Microchip  電機系統(tǒng)  MCP8024  MOSFET                          
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          EiceDRIVERTM 系列新品：1EDI Compact驅動器
          
                                                            
            
                    	
          • 2013年12月4日，英飛凌科技股份公司(法蘭克福股票交易所股票代碼：IFX / 美國柜臺交易市場股票代碼：IFNNY)宣布，在今年的電氣自動化系統(tǒng)及元器件(SPS IPC Drives)貿(mào)易展上，英飛凌科技股份有限公司推出針對絕緣電壓高達1200伏的應用的1EDI EiceDRIVERTM Compact單通道柵極驅動器。
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  驅動器  IGBT  MOSFET                          
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          Vishay P溝道Gen III MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低導通電阻
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
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          • 關鍵字：
                        Vishay  MOSFET  導通電阻                          
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          在光伏逆變器中運用SiC BJT實現(xiàn)更低的系統(tǒng)成本
          
                                                            
            
                    	
          • 最近，碳化硅(SiC)的使用為BJT賦予了新的生命，生產(chǎn)出一款可實現(xiàn)更高功率密度、更低系統(tǒng)成本且設計更簡易的...
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          • 關鍵字：
                        光伏逆變器  SiC  BJT                          
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          網(wǎng)絡化智能調(diào)光LED隧道照明系統(tǒng)
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 摘要：本課題的主要研究內(nèi)容是根據(jù)《公路隧道通風照明設計規(guī)范》要求研究設計了網(wǎng)絡化智能調(diào)光LED隧道燈控制系統(tǒng)。
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          • 關鍵字：
                        智能調(diào)光  LED  隧道照明  光耦  MOSFET  201312                          
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          高功率LED照明驅動應用的新方法
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 摘要：傳統(tǒng)高功率LED驅動電源大多采用直流并聯(lián)LED的方式工作，成本低，容易實現(xiàn)，但目前高亮度LED消耗的電流可達350mA甚至更高，因此傳統(tǒng)方法的損耗極大，效率低;本文提出了一種串聯(lián)輸入多并聯(lián)驅動電源的實現(xiàn)方法，具有高性價比，輸出電流大，失真度低，且具有優(yōu)異的串電流調(diào)節(jié)功能等優(yōu)點。
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          • 關鍵字：
                        LED  照明驅動  DC/DC  SIMPLE  MOSFET  201312                          
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          東芝電子攜“智慧社區(qū)”亮相第十五屆高交會
          
                                                            
            
                    	
          • 2013年11月22日，日本半導體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導體&存儲產(chǎn)品公司宣布，在第十五屆中國國際高新技術成果交易會(簡稱高交會)電子展上圍繞“智慧與科技的雙贏，盡在東芝智能社區(qū)”這一主題，重點展示了面向移動終端、家用電器、汽車電子、工業(yè)電子以及存儲等五大應用領域的創(chuàng)新技術與解決方案。
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          • 關鍵字：
                        東芝  存儲卡  MOSFET                          
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          針對IGBT和MOSFET可再生能源應用的驅動器設計
          
                                                            
            
                    	
          • 引言對電能轉換而言，可再生能源電子細分市場是一個復雜且多樣化的競技場。在一些負載點應用中，開關型功率轉換...
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          • 關鍵字：
                        IGBT  MOSFET                          
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          通過基片薄型化降低導通電阻漸成趨勢
          
                                                            
            
                    	
          • 　　通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產(chǎn)品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。
　　目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產(chǎn)品也要達到230μm左右。為了進一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關研發(fā)。
　　比如，羅姆通過研磨等工序將SiC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢壘二極管
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          • 關鍵字：
                        三菱電機  SiC                          
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          MOS管驅動電路總結
          
                                                            
            
                    	
          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
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          • 關鍵字：
                        MOS管  驅動電路  MOSFET  導通特性  AN799                          
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          把握LED設計關鍵 實現(xiàn)情調(diào)照明
          
                                                            
            
                    	
          • 一、LED的出現(xiàn)打破了傳統(tǒng)光源的設計方法與思路，目前有兩種最新的設計理念。1.情景照明:是2008年由飛...
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          • 關鍵字：
                        LED    MOSFET                          
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          淺析MOSFET的UIS及雪崩能量
          
                                                            
            
                    	
          • 在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工...
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  電源設計                          
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          SiC二極管 通過基片薄型化降低導通電阻
          
                                                            
            
                    	
          • 　　通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產(chǎn)品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。
　　目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產(chǎn)品也要達到230μm左右。為了進一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關研發(fā)。
　　比如，羅姆通過研磨等工序將SiC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢壘二極管
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        SiC  二極管                          
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          Power Integrations的高頻率雙管正激IC可大幅降低系統(tǒng)成本和尺寸
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 用于高能效電源轉換的高壓集成電路業(yè)界的領導者 Power Integrations公司(納斯達克股票代號：POWI)日前宣布推出HiperTFS?-2系列IC - 一款同時集成了高壓MOSFET、雙管正激和反激電源控制器的IC。如此高的集成度可節(jié)省超過20個元件，從而減小外形尺寸并提高功率密度。
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          • 關鍵字：
                        Power  MOSFET  HiperTFS-2                          
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          飛兆集成式智能功率級(SPS)模塊具有更高的功率密度和更佳的效率
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 在電路板尺寸不斷縮小的新一代服務器和電信系統(tǒng)供電應用中，提高效率和功率密度是設計人員面臨的重大挑戰(zhàn)。
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          • 關鍵字：
                        飛兆  MOSFET  SPS  驅動器                          
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