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          sic mosfet模型 文章 最新資訊

          SiC市場產值 今年估增4成

          • 根據市調統(tǒng)計,隨著安森美(onsemi)、英飛凌(Infineon)等與汽車、能源業(yè)者合作案明朗化,將推動2023年整體碳化硅(SiC)功率組件市場產值達22.8億美元、年成長41.4%。 主要成長原因在于SiC適合高壓、大電流的應用場景,能進一步提升電動車與再生能源設備系統(tǒng)效率。集邦表示,SiC功率組件的前兩大應用為電動車與再生能源領域,分別在2022年已達到10.9億美元及2.1億美元,占整體SiC功率組件市場產值約67.4%和13.1%。車用方面,安森美與大眾汽車簽屬戰(zhàn)略協(xié)議,另外該系列產品亦被起亞
          • 關鍵字: SiC  

          市場規(guī)模節(jié)節(jié)攀升,第三代半導體成收購的熱門賽道

          • 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導體市場正如火如荼地發(fā)展著,而“圍墻”之外的企業(yè)亦對此賽道十分看重。近日,中瓷電子資產重組重新恢復審核,其對第三代半導體業(yè)務的開拓有了新的進展。3月6日,中瓷電子發(fā)布了《發(fā)行股份購買資產并募集配套資金暨關聯交易報告書(草案)(修訂稿)》。根據該修訂稿,中瓷電子擬以發(fā)行股份的方式,購買博威公司73.00%股權、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務資產及負債、國聯萬眾94.6029%股權。事實上,除中瓷電子外,近來還有許多企業(yè)選擇以收購的方式,布局或擴大第三代半導體業(yè)務。2023年3月2
          • 關鍵字: 第三代半導體  收購  SiC  GaN  

          新能源汽車時代的半導體材料寵兒——SiC(碳化硅)

          •   前  言  1824年,一種全新的材料被瑞典科學家,貝采里烏斯合成出來,這是一種名為碳化硅的黑色粉末,平平無奇的樣子,仿佛是隨處可見的灰燼,也許誰也沒能想到,就是這一小撮雜質般的黑色顆粒,將會在近200年后,在其之上長出絢爛的花朵,幫助人類突破半導體的瓶頸。在人類半導體產業(yè)的起步初期,基于硅(Si)芯片的技術發(fā)展速度卓越,無論是成本還是性能都達到了完美的平衡,自然對于碳化硅(SiC)沒有過多的注意。直到20世紀90年代,Si基電力電子裝置出現了性能瓶頸,再次激發(fā)
          • 關鍵字: SiC  新能源汽車  汽車電子  

          GaN 時代來了?

          • 隨著特斯拉宣布其下一代 EV 動力總成系統(tǒng)的 SiC 組件使用量減少 75%,預計第三代化合物半導體市場狀況將發(fā)生變化,GaN 被認為會產生后續(xù)替代效應。據業(yè)內消息人士透露,這有望使臺積電、世界先進半導體 (VIS) 和聯華電子受益,它們已經進行了早期部署,并繼續(xù)擴大其 8 英寸加工 GaN 器件的產能。GaN 和 SiC 的比較GaN 和 SiC 滿足市場上不同的功率需求。SiC 器件可提供高達 1200V 的電壓等級,并具備高載流能力,因此非常適合汽車和機車牽引逆變器、高功率太陽能發(fā)電場和大型三相電網
          • 關鍵字: GaN  SiC  

          碳化硅快充時代來臨,800V高壓超充開始普及!

          • 一直以來,“里程焦慮”、“充電緩慢”都是卡住新能源汽車脖子的關鍵問題,是車企和車主共同的焦慮;但隨著高壓電氣技術的不斷進步和快充時代的到來,將SiC(碳化硅)一詞推向了市場的風口浪尖。繼2019年4月保時捷Taycan Turbo S 全球首發(fā)三年后,800V高壓超充終于開始了普及。相比于400V,800V帶來了更高的功效,大幅提升功率,實現了15分鐘的快充補能。而構建800V超充平臺的靈魂就是材料的革新,基于碳化硅的新型控制器,便引領著這一輪高壓技術的革命。小鵬發(fā)布的800V高壓SiC平臺Si(硅)早已
          • 關鍵字: 碳化硅  SiC  

          5大重要技巧讓您利用 SiC 實現高能效電力電子產品!

          • 當您設計新電力電子產品時,您的目標任務一年比一年更艱巨。高效率是首要要求,但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一個必須實現的特性。SiC MOSFET 是一種能夠滿足這些目標的解決方案。以下重要技巧旨在幫助您創(chuàng)建基于 SiC 半導體的開關電源,其應用領域包括光伏系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)、電動汽車 (EV) 充電站等。為何選擇 SiC?為了證明您選擇 SiC 作為開關模式設計的首選功率半導體是正確的,請考慮以下突出的特性。與標準或超級結 MOSFET 甚至 IGBT 相比,SiC 器件可以在更高的電壓、更高的
          • 關鍵字: 安森美  SiC  

          英飛凌與Resonac擴大合作范圍,簽署多年期碳化硅(SiC)材料供應協(xié)議

          • 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)持續(xù)擴大與碳化硅(SiC)供應商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導體制造商,此次與Resonac Corporation(原昭和電工)簽署了全新的多年期供應和合作協(xié)議。早在2021年,雙方就曾簽署合作協(xié)議,此次的合作是在該基礎上的進一步豐富和擴展,將深化雙方在SiC材料領域的長期合作伙伴關系。協(xié)議顯示,英飛凌未來十年用于生產SiC半導體的SiC材料中,約占兩位數份額將由Resonac供給。前期,Resonac將主要供應6英寸SiC
          • 關鍵字: 英飛凌  Resonac  碳化硅  SiC  

          是什么使SiC成為組串式逆變器的完美解決方案

          • 與硅技術相比,SiC MOSFET在光伏和儲能應用中具有明顯的優(yōu)勢,它解決了能效與成本的迫切需求,特別是在需要雙向功率轉換的時候。易于安裝是大功率光伏組串式逆變器的關鍵特征之一。如果只需要兩個工人來搬運和安裝該系統(tǒng),將會非常利于運維。因此,尺寸和重量非常重要。最新一代的碳化硅半導體使電力轉換效率大幅提高。這不僅節(jié)省了能源,而且使設備更小、更輕,相關的資本、安裝和維護成本更低。關鍵的應用要求及其挑戰(zhàn)。在光伏和儲能系統(tǒng)中,1500V的高系統(tǒng)電壓要求宇宙輻射引起的故障率非常低,同時要求功率器件具有更高的系統(tǒng)效率
          • 關鍵字: 英飛凌  SiC  逆變器  

          高壓SiC MOSFET研究現狀與展望

          • 碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)作為寬禁帶半導體單極型功率 器件,具有頻率高、耐壓高、效率高等優(yōu)勢,在高壓應用領域需求廣泛,具有巨大的研究價值?;仡櫫烁邏?SiC MOSFET 器件的發(fā)展歷程和前沿技術進展,總結了進一步提高器件品質因數的元胞優(yōu)化結構,介紹了針對高壓器件的幾種終端結構及其發(fā)展現狀,對高壓 SiC MOSFET 器件存在的瓶頸和挑戰(zhàn)進行了討論。1 引言電力電子變換已經逐步進入高壓、特高壓領域,高壓功率器件是制約變換器體積、功耗和效率的決定性因素。特高壓交直流輸電、
          • 關鍵字: SiC  MOSFET  

          特斯拉 Model3 搭載 SiC,寬禁帶半導體迎來爆發(fā)

          • 去年 11 月底,特斯拉 Model 3 新款開售,其產品設計和功能變化都引起了外界關注。在特斯拉 Model 3 車型中,SiC 得到量產應用,這吸引了全球汽車廠商的目光。搭載 SiC 芯片的智能電動汽車,可提高續(xù)航里程,對突破現有電池能耗與控制系統(tǒng)上瓶頸,乃至整個新能源汽車行業(yè)都有重要意義。目前,業(yè)內普遍認為以 SiC 為代表的寬禁帶半導體將成為下一代半導體主要材料,那么寬禁帶半導體當前發(fā)展狀況如何?國內外發(fā)展寬禁帶半導體有哪些區(qū)別?未來發(fā)展面臨著哪些挑戰(zhàn)?01、特斯拉 Model 3 首批
          • 關鍵字: 特斯拉  Model 3  SiC  

          瑞薩電子推出新型柵極驅動IC 用于驅動EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET

          • 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子(TSE:6723)近日宣布,推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM,用于驅動電動汽車(EV)逆變器的IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC(碳化硅)MOSFET等高壓功率器件。柵極驅動IC作為電動汽車逆變器的重要組成部分,在逆變器控制MCU,及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們在低壓域接收來自MCU的控制信號,并將這些信號傳遞至高壓域,快速開啟和關閉功率器件。為適應電動車輛電池的更高電壓,RAJ2930004AGM內置3.75kV
          • 關鍵字: 瑞薩  柵極驅動IC  EV逆變器  IGBT  SiC MOSFET  

          安森美與大眾汽車集團就下一代電動汽車的碳化硅(SiC)技術達成戰(zhàn)略協(xié)議,進一步鞏固戰(zhàn)略合作關系

          • 2023 年 1 月 30 日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi,美國納斯達克上市代號:ON)宣布與德國大眾汽車集團 (VW)簽署戰(zhàn)略協(xié)議,為大眾汽車集團的下一代平臺系列提供模塊和半導體器件,以實現完整的電動汽車 (EV) 主驅逆變器解決方案。安森美所提供的半導體將作為整體系統(tǒng)優(yōu)化的一部分,形成能夠支持大眾車型前軸和后軸主驅逆變器的解決方案。?安森美將首先交付其 EliteSiC 1200 V 主驅逆變器電源模塊,作為協(xié)議的一部分。EliteSiC 電源模塊具備引腳兼容特性,可
          • 關鍵字: 安森美  大眾汽車集團  電動汽車  碳化硅  SiC  

          簡述碳化硅SIC器件在工業(yè)應用中的重要作用

          • 電力電子轉換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著至關重要的作用。它們的應用正在增加,并且在眾多新技術中發(fā)揮著核心作用,包括電動汽車、牽引系統(tǒng)、太空探索任務、深層石油開采系統(tǒng)、飛機系統(tǒng)等領域的進步。電力電子轉換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著至關重要的作用。它們的應用正在增加,并且在眾多新技術中發(fā)揮著核心作用,包括電動汽車、牽引系統(tǒng)、太空探索任務、深層石油開采系統(tǒng)、飛機系統(tǒng)等領域的進步。電力電子電路不斷發(fā)展以實現更高的效率,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和金屬氧化物場效應晶體管(MOSFET)等電力電子設備為令人興奮
          • 關鍵字: 國晶微半導體  SIC  

          羅姆的第 4 代SiC MOSFET成功應用于日立安斯泰莫的純電動汽車逆變器

          • 全球知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)的第4代SiC MOSFET和柵極驅動器IC已被日本先進的汽車零部件制造商日立安斯泰莫株式會社(以下簡稱“日立安斯泰莫”)用于其純電動汽車(以下簡稱“EV”)的逆變器。在全球實現無碳社會的努力中,汽車的電動化進程加速,在這種背景下,開發(fā)更高效、更小型、更輕量的電動動力總成系統(tǒng)已經成為必經之路。尤其是在EV領域,為了延長續(xù)航里程并減小車載電池的尺寸,提高發(fā)揮驅動核心作用的逆變器的效率已成為一個重要課題,業(yè)內對碳化硅功率元器件寄予厚望。 羅姆自2010年
          • 關鍵字: 羅姆  SiC MOSFET  日立安斯泰莫  純電動汽車逆變器  

          意法半導體第3代SiC碳化硅功率模塊,這品牌用上了?

          • 現代-起亞集團的 E-GMP 純電平臺以 800V 高電壓架構、高功率充電備受肯定,原先 E-GMP 平臺在后馬達 Inverter 逆變器的功率模塊(Power Module)就有采用 SiC 碳化硅半導體,成本與轉換效率比傳統(tǒng)的硅半導體更高,更能提升續(xù)航。如今瑞士半導體供應商意法半導體 (STMicroelectronics) 日前推出第 3 代的 SiC 碳化硅功率模塊,并確認 E-GMP 平臺的起亞 EV6 等車款將采用,預計在動力、續(xù)航都能再升級。E-GMP 平臺,原先已在后馬達逆變器采用 Si
          • 關鍵字: SiC  碳化硅功率模塊  起亞 EV6  意法半導體  ACEPACK DRIVE  
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          sic mosfet模型介紹

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